次世代记忆体新霸主尚难定论R-RAM或将取代PRAM和MRAM成主流

新世代的记忆体技术需要面临新材料、新技术、新制程的开发挑战，目前台面上争霸的技术包括PRAM(Phase Change RAM)、MRAM (Magnetic RAM)、R-RAM(Resistive Random-Access Memory)等架构，之前最广为讨论的是PRAM，但国家奈米元件实验室(NDL)博士何家骅则表示，R-RAM到了10奈米以下，会面临物理瓶颈，R-RAM成主流的机率较大，且9奈米电阻式记忆体正式研发后，更证明RRAM是可行之道。

何家骅表示，下世代记忆体面临的最大挑战之一是半导体材料，像是MRAM最被外界质疑的是材料难取得，R-RAM技术到了10奈米以下，会面临物理瓶颈，目前NDL以R-RAM为基础架构研发出9奈米电阻式记忆体，已在12月8日美国旧金山举行的国际会议IEDM中正式发表。

目前投入ReRAM技术国际大厂除了除了NDL之外，还包括英特尔(Intel)、新帝(SanDisk)、三星电子(Samsung Electronics)、IBM等，目前NDL在ReRAM技术上的作法是采用氧化钨的材料，像三星是用氧化镍，也有业者用氧化铜等，目前各种材料的组合还再持续研发中。

NDL表示，9奈米R-RAM阵列晶胞容量比目前的快闪记忆体增加约20倍，耗电量则降低约200倍，是以操控氧原子近距离移动的创新技术，改变元? 饇O忆资讯而完成，突破开发10 奈米以下记忆体的技术瓶颈，希望5~10年内进入量产。

现有浮动闸(Floating Gate)技术从90奈米、65奈米、45奈米= 32奈米，到2011年要走到22奈米制程，但在20奈米以下的物理瓶颈，恐将打破现有NAND Flash技术的游戏规则，这次NDL成功以R-RAM技术架构开发9奈米的产品，来要再观察业界趋势是如何发展。

再者，NDL有意成立「16-8奈米元件联盟」建立快闪记忆体技术和专利平台，并广邀记忆体厂和晶圆代工厂加入，效应未来值得观察，

NDL表示，台湾DRAM业者每年要付给国际大厂约300亿元的权利金，20奈米制程以上的技术也都被国际大厂把持，随著NAND Flash技术瓶颈在20奈米制程以下浮现，也给台湾发展的空间和机会。

目前记忆体厂方面，DRAM厂加入意愿还要再观察，若是以付权利金的方式，目前大部分的DRAM厂都资金压力庞大，是否会愿意投入战局，还是疑问；而旺宏在下世代快闪记忆体技术耕耘颇深，且手上也有很多专利，是否会与「16-8奈米元件联盟」合作，值得进一步注意。