索尼通过自对准型顶栅构造TFT开发出新型有机EL面板

索尼试制的有机EL面板，使用自对准型顶栅构造的氧化物TFT （点击放大）
索尼开发出了减少亮度不均、提高画质的有机EL面板，并在全球最大的显示器学会“49th SID International Symposium, Seminar & Exhibition（Display Week 2011）”（SID 2011）上发布。在发布后举行的开发人员见面会上展示了试制品。为一睹其风采，众多研究人员汇集在演示会场，观看了该试制面板的影像。

导致有机EL面板亮度不均的原因之一，是在TFT的栅极电极与源漏电极之间存在产生的寄生电容。由于寄生电容的大小会随着在屏幕上的位置不同而变化，从而产生了亮度不均问题。这种现象在低灰阶时尤为明显。如果能够充分缩小TFT的寄生电容，就可解决亮度不均问题。

此次，索尼改进了TFT的构造。具体来说，就是把以前的底栅构造改为了自对准型顶栅构造。自对准型顶栅构造中由于栅极电极与源漏电极的距离变长，所以可充分缩小寄生电容。

索尼为采用自对准型顶栅构造，开发出了新的制造工艺。主要由4道工序构成：（1）在玻璃基板上形成氧化物半导体IGZO、栅极绝缘膜及栅极电极后，利用干法刻蚀进行图案加工。（2）利用溅射法在其上形成Al薄膜。（3）通过氧退火，氧化Al形成Al2O3保护层，同时在氧化物半导体表面扩散氧气，以形成低电阻层。（4）涂布有机层后，穿出通孔形成源漏电极。

利用工序（3）中形成的Al2O3保护层和氧化物半导体表面的低电阻层，可稳定TFT性能提高时所必需的退火处理，还可实现高可靠性。另外，索尼在此次开发的制造工艺中，掩模工序仅为4道，在成本方面也具有优势。此外，由于自对准型顶栅构造中TFT的通道长度较短，易于实现有机EL的大屏幕化和高精细化以及提高驱动频率。

此次索尼试制的有机面板，屏幕尺寸为9.9英寸，像素为960×540。亮度方面，全白时为200cd/m2，峰值时为600cd/m2以上。对比度为100万比1以上。色彩表现范围NTSC比为96％。（记者：田中 直树）