散热技术技术突破 无封装LED将现身

除了从系统角度强化散热性能外，随着LED照明的应用普及，对于散热基板的要求日趋严苛，LED基板材料及技术在近年的开发也有所进展，目前最新的趋势是对于硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)的研发。基本上，由于蓝宝石基板面临技术瓶颈，LED厂商正积极寻找新的基板材料，而硅基氮化镓可减少热膨胀差异系数，不仅能强化LED发光强度，更可以大幅降低制造成本、提高散热表现，因此成为了业界争相发展的新技术。

例如普瑞光电(Bridgelux)与东芝(Toshiba)合作开发出硅基氮化镓白光LED，并在去年十月在日本加贺市(Kaga)的8英寸晶圆厂实现量产。东芝与普瑞光电是自2012年1月起开始合作，结合普瑞的长晶和LED芯片结构，以及东芝先进的硅制造工艺，双方成功开发出最大光输出达到614毫瓦的LED芯片，尺寸仅1.1平方毫米，最大光输出量达到614毫瓦。东芝企业副总裁暨半导体和储存产品子公司执行副总裁MakotoHideshima表示，在东芝与普瑞光电的紧密合作下，8英寸硅基氮化镓LED已达到最佳效能。

此外，中国大陆厂商晶能光电(江西)有限公司也已量产硅基氮化镓LED芯片，其操作电流为350毫安，发光效率已达每瓦120流明，主要锁定室内外和便携式照明应用，并已有二十多家客户开始导入设计，该公司将于今年由6英寸晶圆导入8英寸晶圆制造。另据悉，欧司朗光电半导体、飞利浦照明、韩国三星集团等都已积极投入到硅基氮化镓LED的开发生产中。