[导读]IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)为氧化铟镓锌的缩写,是一种薄膜电晶体技术,在TFT-LCD主动层之上,打上一层金属氧化物。IGZO技术由夏普(Sharp)掌握,是与日本半导体能源研究所共同开发的产品。
IGZO的载子移动率大
IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)为氧化铟镓锌的缩写,是一种薄膜电晶体技术,在TFT-LCD主动层之上,打上一层金属氧化物。IGZO技术由夏普(Sharp)掌握,是与日本半导体能源研究所共同开发的产品。
IGZO的载子移动率大约为10cm2/Vs, 临界电压飘移几乎一致。IGZO技术可提高面板性能、降低成本,但IGZO技术对光、水以及氧都相当敏感,长时间 使用之可靠度与稳定性,亦须增强。
IGZO与非晶矽相比,IGZO能够缩小电晶体尺寸,可提高液晶面板画素的开口率,较易实现高精细化,解析度高出一倍,电子迁移率快十倍,将简单的外部电路整合至面板之中, 使移动装置更轻薄,耗电量也降至2/3。
IGZO面板结构
随智慧型手机与平板电脑等应用市场兴起,250ppi以上的面板需求增加,面板厂投入LTPS TFT生产,但LTPS TFT制程较复杂及良率低,面板厂则转投入IGZO面板。
另一方面,相较于OLED,面板功耗与OLED接近,成本较低,厚度比OLED高25%,解析度达Full HD级别程度。
夏普(Sharp)已率先量产IGZO,三星、LGD等亦开始生产。
DisplaySearch预估2012年高迁移率TFT-LCD背板产量预计将提高150%,从2011年的560万平方公尺迅速发展到1,410万平方公尺。
2008~2015年LTPS和IGZO高解析度背板的产量
来源:NPDDisplaySearch,
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