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[导读]夏普携新IGZO展开攻势韩国和台湾厂商在有机EL面板的量产方面领先一步,但在关乎有机EL面板高性能化和低成本化的要素技术发表中,日本厂商则没有落后。其中备受关注的是文章开篇介绍的夏普与SEL开发的IGZO TFT新技术。

夏普携新IGZO展开攻势

韩国和台湾厂商在有机EL面板的量产方面领先一步,但在关乎有机EL面板高性能化和低成本化的要素技术发表中,日本厂商则没有落后。

其中备受关注的是文章开篇介绍的夏普与SEL开发的IGZO TFT新技术。开发出了使结晶在基板垂直方向(c轴方向)上生长的“CAAC(C-Axis Aligned Crystal)”构造的IGZO TFT[9.2,15.1,27.4]。在技术发表后的开发人员见面会上,夏普公开了采用新IGZO TFT的13.5英寸有机EL面板和4.9英寸液晶面板(图5)。

图5:新IGZO可使有机EL和液晶面板实现高精细和低成本化
夏普和SEL开发出称为“CAAC”,提高了结晶性的IGZO TFT。分别在日本国内和SID 2012上展示了4款和2款采用开发品的高精细液晶面板和有机EL面板。

13.5英寸有机EL面板的像素为3840×2160,分辨率高达326ppi。元件构造采用顶部发光型,组合使用白色有机EL元件、RGB三色彩色滤光片及利用多重反射的微腔构造实现了彩色显示。为了确认夏普时隔7年发布的有机EL面板的显示性能,大批技术人员蜂拥而来。

据称,此次开发的新IGZO TFT与夏普2012年3月全球首度开始量产的a-IGZO TFT相比,不但载流子迁移率及截止时的漏电流等特性提高,而且左右着显示元件驱动能力的电流电压(I-V)特性的降低等也较少。结果是,能以比LTPS TFT更低的成本实现300ppi以上的高精细液晶面板和有机EL面板。夏普的水嶋自信地表示,“500ppi以内精细度无任何问题的量产技术已经确立”。[!--empirenews.page--]

夏普采用新IGZO TFT的中小型液晶面板的量产,计划“根据客户需求于2012年度内在龟山第2工厂开始”(水嶋)。虽未公开制作工艺的详情,但水嶋称与现有a-IGZO TFT相比,“基本制作工艺没有变”。“a-IGZO层成膜后,通过施加退火处理来生长结晶。处理条件上有诀窍”(半导体能源研究所代表董事山崎舜平)。
索尼有望利用胶印法实现500ppi

CMI和夏普发布了实现326ppi分辨率的有机EL面板。两公司技术的共同点是,组合白色有机EL元件和CF实现了彩色显示。因为利用金属掩模单独形成RGB三色发光层的方式最多只能实现220ppi左右的分辨率。三星电子的智能手机“Galaxy Nexus”配备的316ppi分辨率4.65英寸有机EL面板,其RGB子像素排列非一般方式,而是将RGGB四个子像素分配给两个像素来实现虚拟高精细化的“Pentile”方式。

然而,在本届SID上有技术发布打破了这一定论:索尼展示了最大可实现500ppi高精细的可能性,发布了使用胶印技术、以相当于500ppi的51μm像素间距(子像素间距为17μm)形成发光材料的成果[68.4L]。

索尼开发的技术,利用胶印法形成R和G发光层,将其与B的共通蒸镀层组合来实现彩色显示(图6)。索尼称,由于是采用平板玻璃基板转印,与采用滚筒状的普通胶印法相比,“校准精度易于提高,适用于高精细化用途”。

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图6:以RGB三色也可实现500ppi
索尼开发出利用平板胶印法形成R和G发光层的技术,并公开了7.4英寸的有机EL面板。即使分别形成RGB三色发光层,也可实现500ppi的分辨率。

索尼在研讨会上公开了采用胶印法形成精细度相当于500ppi,线宽17μm的R和G发光层,并蒸镀形成B通用层的像素阵列样品的照片。尽管实际的有机EL面板还未达到500ppi,但该公司已试制了7.4英寸的150ppi品和3英寸的270ppi品。

摸索实现方法的柔性面板

日本厂商在显示部可弯曲的柔性有机EL面板的发布中,也显示出了影响力(参见索尼的柔性电子纸,利用印刷技术制作TFT)。索尼和东芝分别开发出了9.9英寸和11.7英寸的面板,并在研讨会上发布(图7)。“为量产柔性有机EL面板而采用了实现可能性较高的技术”(索尼)。

图7:开发瞄准量产的柔性有机EL
索尼和东芝分别开发出了柔性有机EL面板。将玻璃基板作支持基板,形成a-IGZO TFT、白色有机EL元件和CF。(照片由索尼和东芝提供)

索尼和东芝在开发品中采用的面板技术有很多共同点。具体为,除驱动元件采用在底栅型上设蚀刻阻挡层的a-IGZO TFT外,其彩色显示也以组合使用白色有机EL元件和CF来实现。

面板技术方面不同的是有机EL元件的器件构造。索尼采用顶部发光型,而东芝采用底部发光型。索尼因“利用了在11英寸有机EL电视、显示器及头戴式显示器等产品上培育的技术和经验”而采用顶部发光型,而东芝因“在阴极电极上采用铝来提高可靠性”而选择了底部发光型。
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两公司的开发品在制作工艺方面也有共同点:不是在树脂基板上单纯形成a-IGZO TFT、白色有机EL元件和CF,而是将玻璃基板作为支持基板使用。由此,得以采用与玻璃基板相同的制作工艺。

索尼的开发品采用两片玻璃上粘贴了薄膜的基板制作。在其中一片上形成a-IGZO TFT和白色有机EL元件,而在另一片上形成CF,然后将这两片基板贴合成面板。而东芝是在玻璃基板上涂布厚10μm左右的聚酰亚胺(PI)后,再在其上形成a-IGZO TFT、CF和白色有机EL元件。最后均通过从有机EL面板上剥离玻璃基板来完成柔性面板的制作。

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