SiC半导体元件“真命天子” 沟道MOSFET即将实用化

LED半导体照明网讯 高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产“沟道型”SiC MOSFET’（电装解说员）。

在2013年10月举办的‘CEATEC JAPAN 2013’上，电装展示了SiC的相关技术（图1）。其中包括了两大‘惊喜’。一是电装宣布SiC功率元件将在2015年实用化。在此之前，SiC功率元件的成果虽然频繁出现在学会和展会等场合，但大家对於实用化的时间表都讳莫如深。

二是名为‘沟道型’的新一代SiC MOSFET的实用化。作为功率半导体材料，SiC与一般的Si相比，能够制造出损耗更低的功率元件。相关研发十分活跃，市面上已经出现了SiC材料的二极体和电晶体等产品。

但过去投产的SiC MOSFET，是在元件表面设置栅极的‘平面型’，在栅极部分挖沟的沟道型尚未投产。沟道型的导通电阻能够缩小到平面型的几分之一。因此能够进一步降低损耗。

降低导通电阻还有助於压缩SiC MOSFET的成本。因为达到相同的载流量，沟道型的晶片面积要小於平面型。也就是说，1枚SiC基板可以制造出更多的晶片，从而压缩成本。

图1：电装即将把沟道型SiC MOSFET投入实用

电装在‘CEATEC JAPAN 2013’上展出了该公司开发的沟道型SiC MOSFET。预定於2015年左右投入实用。除此之外，还展示了150mm（6寸）口径的SiC基板。

因为具备这些特点，沟道型如今成为了‘发挥SiC优势的电晶体最佳选择’（多位SiC功率元件技术人员）。

　　沟道型的研发速度加快

致力於研发沟道型SiC MOSFET的不只是电装，许多半导体企业都已经开始在大力研发。这一点在2013年9月29日～10月4日举办的SiC相关国际学会‘ICSCRM2013’上可见一斑。在该学会上，有关沟道型SiC MOSFET最新成果的发表接连不断（图2）。其中，罗姆明确提到了投产时间。该公司表示将在2014年上半年，投产在栅极、源极上都设置沟槽的‘双沟道型’SiC MOSFET。

图2：各公司全力开发沟道型SiC MOSFET