刘忠立:证明中国半导体器件技术实力

随着信息产业的迅速发展，半导体器件和集成电路事业恰逢东风，日新月异。我国在该领域的研究逐步迈入世界先进行列，具有一定的发展优势及规模。刘忠立教授作为国内该学科研究的领军人物之一，为半导体器件技术的国产化做出了卓越的贡献。

刘忠立毕业于清华大学无线电电子学系半导体材料及器件专业。历任中国科学院半导体研究所微电子研究及发展中心主任、传感技术国家重点实验室副主任。现任中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师、创新重大项目“特种半导体器件及电路”负责人；兼任传感技术国家重点实验室学术委员会委员、973国家重大基础研究项目“面向功能重组结构的DSP&CPU芯片及其软件的基础研究”专家委员会委员、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会委员、中国电子学会半导体与集成技术分会ICCAD专委会委员、科技部经济专家委员会专家、中国国际工程咨询公司项目评估专家等职。这成串的职位背后蕴涵着刘忠立无尽的拼搏与奋进。

上世纪60年代中期，刘忠立和研究小组成员冲破重重障碍，试制成功MOSFET及低噪音JFET等器件，其后，在国内率先建立了钝化栅Si02中钠离子的PSG(磷硅玻璃)方法、掺HCL高质量栅Si02生长等多项新工艺。由他主持的CMOS指针式电子手表电路研究，荣获北京市科技二等奖。

创新的理念激励着他不断前进，1980-1982年，他作为访问学者在德国多特蒙德大学电子系从事新CMOS器件研究，首创性地提出并负责完成离子注入氮形成隐埋Si3N4的CMOS／SOI研究课题，得到国际同行的认可。刘忠立凭借他精湛的专业理论知识，先进的创造性思维观念，以及他特有的执着与顽强向世人证明了中国半导体器件事业的发展实力。回国后他又投入到抗辐射CMOS／SOS集成电路研究中，使CMOS／SOS电路的抗辐射指标达到国际上相应电路的最好水平，获中科院科技进步二等奖。1987年承担东Ⅱ(甲)长寿命卫星5个品种抗辐射CMOS／SOS电路研制，发明的专利填补了国内空白，被中科院授予科技进步二等奖。

1990-1991年受聘于德国著名的HMI研究所从事MOS器件抗辐射研究，成果显著。在此期间完成专著一本，被高校选作参考教材。1992年负责的抗辐射加固COMS/SOS电路研制工作顺利完成，标志这一高难度技术在我国进入成熟及实用阶段。突出的成绩使他荣获光华基金个人二等奖。

“八五”及“九五”期间，他负责多项国家重大预研课题，均已通过验收。同中科院微电子所合作完成64K抗辐射CMOS／SOISRAM院重点创新项目，目前正在开展更大规模的同类电路研究。同时，他继续开展SiGe／SOS、SiGe／SOIRF及宽带隙（SiC）等器件研究，已取得国内一流的研究成果，研制成高反压SiC二极管、SiC肖特基二极管、SiCMOS管等。出色的科研工作使刘忠立研究员在国内建立了一个抗辐射CMOS/SOS及CMOS/SOI研究基地，培养了众多科研领域的中坚力量。多年来，他把自己的创造性思维与研究心得凝结成文字，发表著作多部，重要论文80余篇。

获得的荣耀激励着刘忠立教授一如既往的在半导体器件领域不断开拓进取。