图集：人类史上信息储存技术重要里程碑回顾

书写

虽然这并非是电子甚至机械技术，「书写」基本上就是人类历史一项了不起的发明，因为它不仅让相隔两地的两个人能够交换讯息，还能将所记录的知识代代相传。根据美国芝加哥大学(University of Chicago)的考证，最早出现的人类书写是在西元前3,500年，是「资讯革命的曙光」…可不是吗！

写着图像化文字的陶板

（来源：芝加哥大学）

穿孔卡

穿孔卡(punch cards)诞生于1890年代，当时美国统计学者Herman Hollerith发明了一种能在一年之内完成人口普查的机器；而如果这样的工作完全由人工进行，得花上十年。该种机器的发明概念来自火车的打孔票。

1890年8月的Scientific American杂志上刊登的穿孔卡读卡装置图画

（来源：Wikipedia）

正反器

正反器(flip-flop)电路是在1918年发明，后来逐渐演变成为现在的电脑记忆体；那些外表看来古老的元件能根据外部电气讯号改变并储存某个状态，其实与目前的电脑运作原理相去不远(不过规模小得多)。

1918年由Eccles与Jordan提出专利申请的正反器电路图

（来源：Wikipedia）

DRAM

动态随机存取记忆体(DRAM)是在1966年发明，是以电容来储存资讯；带电的电容代表1、未带电的则代表0，而所谓的「动态」并非意味着内部的什么功能，而是指电容终究会丧失电荷，并必须定期刷新(refreshed)。

美光的1 mebibit 容量DRAM元件MT4C1024

（来源：Wikipedia）

SDRAM

同步动态随机存取记忆体(SDRAM)在1970年代的应用很有限，但在1993年时开始被广泛采用──在那之前，RAM虽然能尽可能快速变更已输入资料，SDRAM则是采用电脑的时脉，在资料被储存时进行调节，这让资料能被分配至不同的区域(bank)，好一次同步执行数个记忆体任务。

SDRAM 模组

（来源：Wikipedia）

EPROM

可抹除式可编程唯读记忆体(EPROM)是在1971年由英特尔(Intel)的Dov Frohman 所开发，该种记忆体是非挥发性的，也就是说尽管关闭电源，记忆体的状态不会改变。这种记忆体晶片是电气可编程，资讯在暴露在紫外线下时可抹除。

英特尔在1971年开发的第一款EPROM

（来源：Wikipedia）

软碟机

在1975年于《Popular Electronics》杂志曝光后，Altair 8800成为数以千计新崛起电脑宅男们的第一款电脑；该款电脑有很多有趣的特色，所配备的8寸软碟机(floppy drive)是其中之一。根据rwebs.net 网站的资讯，该软碟机可储存300,000Byte资讯；在动不动就是MB或GB等级储存容量的今日，那个数字好像太小，但在当时可是新奇玩意儿。

配备8寸软碟机的Altair 8800电脑

（来源：Michael Holley/Wikipedia）

EEPROM

电气可抹除式可编程唯读记忆体(EEPROM)是在1978年诞生，它胜过电气可编程唯读记忆体(EPROM)的优势，就是除了在使用中可编程、也能抹除；EEPROM的唯一缺点就是可重复编程的次数有限，但其读写性能在今日已经越来越有进步。

EEPROM晶片

（来源：Amit Bhawani）

硬碟机

希捷(Seagate)在1980年生产第一款5.25吋硬碟机(HDD)，这种储存装置的长相其实与我们现在所看到的相去不远；不过同样在1980年由IBM所推出的第一款1GB硬碟机则是个庞然大物，重达550磅。

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同样是1980年诞生的硬碟，外观大小差很大！

（来源：Ian Wilson/Wikipedia）

音乐CD

音乐CD是1982年问世的，但一开始并不是锁定电脑应用； 光碟片成为资讯储存装置是在1985年，当时 ??第一款商用CD-ROM光碟机其实已经在非商业市场现身。 有趣的是，这种储存媒介比电脑领域的储存技术(记忆体/硬碟机)发展速度要快，后者一直到1990年代初期才赶上用来储存多媒体内容的CD容量。

也许CD已经不再是今日最受欢迎的数位内容储存媒介，但它已经存在超过30年，看来还会继续存在一段时间，这可说是数位技术中的罕见案例。

Sony CDP-101音乐光碟播放机的宣传海报

（来源：TechHive.com）

快闪记忆体

快闪记忆体是在1980年左右被开发出来，但直到1988年才正式问世；这种记忆体在技术上算是一种EEPROM，不过在速度上则是大幅超越。 目前市面上有两种快闪记忆体，其一是NAND、其二是NOR，主要差异在于逻辑闸的不同；这种记忆体催生了小巧的随身碟、记忆卡。

图左边的晶片是快闪记忆体，右边的是记忆体控制晶片

（来源：Wikimedia Commons）

DDR SDRAM

贸易组织JDEC在2000年定义出了双倍资料速率同步动态随机存取记忆体(DDR SDRAM)规格，如其名称所点出的特性，在特定情况下，这种RAM能达到比一般SDRAM两倍的资料速率。 DDR SDRAM规格后来演进到第二代、即2003年的DDR2，速度再加倍；2007年则又把速度加快一倍，即DDR3。

如果速度提高了八倍你还嫌不够，最新的DDR4规格预计2013年底就会问世，其资料存取速度再加倍，而且创新的架构设计也预期将可降低功耗。

整合散热片的Corsair DDR-400记忆体模组

（来源：Martyn M aka Martyx/Wikipedia）

UFS

JDEC在2012年发表了通用快闪记忆体储存(universal flash storage，UFS)规格，并在2013年9月发表更新版本。 新规格除了具备省电功能，资料吞吐量也能达到上行/下行同步300 Mbit/s；这种记忆体新规格的未来发展值得关注。

采用UFS规格的东芝(Toshiba)快闪记忆体晶片

（来源：Toshiba）

3D记忆体

除了??DDR4、UFS等技术，也是在2013年才兴起的一种新型记忆体是3D记忆体；有关于这种记忆体技术的介绍请参考： HMCC发布新一代3D记忆体规格

3D记忆体

（来源：Micron/TechWeekEurope.co.uk）

1TB随身碟

Kingston在今年稍早推出了容量高达1TB的随身碟，真的很难想像，在那小小1立方英吋左右的外观尺寸中能容纳那么多的资讯空间…未来科技发展还将让记忆体/数位储存技术有怎样的大跃进，真的很令人期待。

Kingston推出1TB随身碟

（来源：HardwareZone）

在你的办公桌抽屉、实验室橱柜或是家里的仓库里，有没有那些已经尘封的数位储存装置老古董呢？ 欢迎分享！

参考阅读：

˙ 图集：记忆体技术发展回忆录

编译： Judith Cheng

( 参考原文： Memory's Evolution: From Stone Tablets to Electronic Ones，by Jeremy Cook)