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[导读]全球半导体大厂台积电、英特尔(Intel)及三星电子(Samsung Electronics)在10纳米级多重闸极3D架构的鳍式场效电晶体(FinFET)技术展开激烈竞争,三星和英特尔为确保14纳米FinFET技术领先,纷准备投入量产,台积电则致力

全球半导体大厂台积电英特尔(Intel)及三星电子(Samsung Electronics)在10纳米级多重闸极3D架构的鳍式场效电晶体(FinFET)技术展开激烈竞争,三星英特尔为确保14纳米FinFET技术领先,纷准备投入量产,台积电则致力于16纳米FinFET技术发展。半导体业者透露,面对竞争对手14纳米进逼,台积电亦布下天罗地网迎战,传出内部针对16纳米制程规划3个版本,且第二版本可能直接在2014年底进行试产,近期已开始说服客户导入。
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