英特尔、三星14纳米来势汹汹 台积电16纳米迎战

全球半导体大厂台积电、英特尔(Intel)及三星电子(Samsung Electronics)在10纳米级多重闸极3D架构的鳍式场效电晶体(FinFET)技术展开激烈竞争，三星和英特尔为确保14纳米FinFET技术领先，纷准备投入量产，台积电则致力于16纳米FinFET技术发展。半导体业者透露，面对竞争对手14纳米进逼，台积电亦布下天罗地网迎战，传出内部针对16纳米制程规划3个版本，且第二版本可能直接在2014年底进行试产，近期已开始说服客户导入。