IR通用电流感测IC提升整体系统效率

要量测流过功率 MOSFET 或 IGBT 的高电流(10到100A)，往往需要大的电阻器，因而产生过量的功率损耗 (10到30W)。 IR25750 则可在开关导通时从功率 MOSFET 的内部导通电阻或IGBT的VCE(on) 取出电压，不需大型外部电流感测电阻器和散热片，还避免过量的功率损耗。

IR25750 的闸极驱动输入为IC供应 VCC 电源电压，并把导通电阻或 VCE (on) 感测电路与 MOSFET 或IGBT 的开关时间进行同步。新元件利用IR专利的高压技术，在开关非导通时阻断高 VDS 或 VCE 电压所需的600V阻断能力。其他主要功能包括低闸极输入电容器、在导通时的内部滤波延迟 (一般为200奈秒)，以及 GATE 和 CS 接脚上的内部20.8V齐纳箝位 (Zener clamp)。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：「IR25750 电流感测IC是新的组合区块，利用功率 MOSFET 的导通电阻或 IGBT 的VCE(on) 量测电流，不需大型外部电流感测电阻器。这些功能可大幅提升常用交换式电力电子产品、马达控制和产业设备等高电流应用的效率，并显著节省空间。」

IR25750 在所有输入及输出上均具有整合式防静电能力和超卓的闩锁免疫力，带来无坚不摧的单晶片保护。该元件符合产业级标准及第一级湿度感应度(MSL1) 标准。

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