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[导读]【导读】在我国整体推进4G TD-LTE研发产业化和全球发展的大趋势下,抓住技术和产业升级转型的关键机遇期,加大TD-LTE手机芯片的研发力度,在知识产权、标准开发、研发设计、系统集成、关键仪表、测试验证等方面与国际

【导读】在我国整体推进4G TD-LTE研发产业化和全球发展的大趋势下,抓住技术和产业升级转型的关键机遇期,加大TD-LTE手机芯片的研发力度,在知识产权、标准开发、研发设计、系统集成、关键仪表、测试验证等方面与国际领先水平大大缩短了差距,接近同步发展水平。

摘要:  在我国整体推进4G TD-LTE研发产业化和全球发展的大趋势下,抓住技术和产业升级转型的关键机遇期,加大TD-LTE手机芯片的研发力度,在知识产权、标准开发、研发设计、系统集成、关键仪表、测试验证等方面与国际领先水平大大缩短了差距,接近同步发展水平。

关键字:  芯片TD-LTE元器件解决方案

在我国整体推进4G TD-LTE研发产业化和全球发展的大趋势下,抓住技术和产业升级转型的关键机遇期,加大TD-LTE手机芯片的研发力度,在知识产权、标准开发、研发设计、系统集成、关键仪表、测试验证等方面与国际领先水平大大缩短了差距,接近同步发展水平。

当今时代,信息通信业飞速发展,广大手机用户享受到了巨大的信息红利。其中,智能手机和移动互联网成为最重要的信息传播与服务载体之一,也是产品普及最广泛、市场发展最迅猛、业务增长最快的产业。手机芯片则是智能手机技术和产业的制高点,手机芯片的研发产业化极其复杂,涉及通信标准和关键技术、基带和射频研发设计、集成电路设计制造、各类相关元器件、软件研发和集成,甚至材料科学等众多领域与环节。

中国手机芯片产业从2G时代“无芯”,到3G时代“有芯”,在即将来临的4G时代努力实现到“强芯”的飞跃。目前,在我国整体推进4G TD-LTE研发产业化和全球发展的大趋势下,抓住技术和产业升级转型的关键机遇期,加大TD-LTE手机芯片的研发力度,在知识产权、标准开发、研发设计、系统集成、关键仪表、测试验证等方面与国际领先水平大大缩短了差距,接近同步发展水平。

TD-LTE为手机芯片产业创造难得机遇

手机芯片是集通信、嵌入式、半导体集成电路的设计开发制造等高新技术于一体的产物,一方面市场价值巨大,另一方面技术积累和要求高,资金投入也非常巨大。据不完全统计,我国制造了全球75%的手机,拥有六分之一的手机用户市场。但在GSM、CDMA和WCDMA制式上,我国手机芯片特别是高端智能手机芯片还主要由境外企业提供;只有在TD-SCDMA制式上,主要由我国企业研发和提供。

随着智能终端的普及和移动互联网的快速发展,移动用户的业务数据流量呈现几何增长。现有2G网络(GSM/GPRS/EDGE)、3G网络(WCDMA、TD-SCDMA、CDMA2000)已逐渐不能满足移动宽带的需要,全球移动通信网络正在向4G演进,4G技术能够提供高达数十到数百Mbps的数据速率与极低的时延和全IP架构,更能适应宽带移动互联网的要求。TD-LTE作为4G主流标准之一,具有高速率、高性能和频率灵活易用等特点。我国在TD-LTE国际标准和研发产业化方面提前布局,已经形成了比较完整的产业链体系,为我国芯片企业、手机企业创造了难得的发展机遇。

TD-LTE核心芯片研发产业化取得突破

多年来,我国芯片企业不懈努力,在手机芯片的通信标准和关键技术、基带和射频研发设计、集成电路设计制造、各类相关元器件、软件研发和集成等方面逐步积累了关键经验以及重要基础。海思、展讯、大唐联芯、中兴微电子、创毅视讯、重邮信科、国民技术、锐迪科等手机芯片企业,已经分别开发出TD-LTE、TD-SCDMA、GSM等多模多频的基带芯片和射频芯片,并已开始商用供货。

在关键技术方面,我国企业研发了高集成度单芯片支持双流智能天线等核心技术的TD-LTE、FDD LTE、TD-SCDMA、WCDMA、GSM等多模基带芯片以及700MHz~2700MHz的超宽频射频芯片,并将继续研发支持增强型的TD-LTE-Advanced标准,以进一步提升4G手机的宽带数据速率。

在芯片设计方面,我国企业突破瓶颈,已实现高性能、低功耗的40nm工艺基带芯片的设计开发和商用供货;并已研发试制28nm工艺基带芯片,预计将在今年内实现商用。

在测试验证方面,在TD-LTE研发技术试验和规模技术试验中,TD-LTE芯片和终端样机得到充分验证与改进完善,芯片技术和产品设计已经成熟稳定。在我国15个城市开展的TD-LTE扩大规模试验网络以及国际上的TD-LTE商用网络中,已有批量数据终端供货和实际应用。

下一步,我国芯片企业将投身复杂的全球移动终端芯片竞争大潮中,持续打造包括高性能手机核心芯片、单芯片一体化手机芯片解决方案、全集成射频前端模块芯片等高端产品,不断增强我国手机芯片产业的国际竞争力。

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产学研用紧密结合的创新体系

手机芯片产业环节多、产业链长,技术含量和设计制造要求高,而我国产业基础弱、起步晚、差距大。产业的创新和发展不是一蹴而就和一朝一夕的过程,需要扎实积累和加速度追赶,我国手机芯片产业在TD-SCDMA标准的研发产业化过程中,积累了宝贵的产学研用结合的创新经验,为在TD-LTE阶段实现产业上的更大突破奠定了坚实基础。

在国际标准和技术路线研究制定上,运营企业、研发制造企业、科研院所、高等院校全面参与,在鼓励创新的同时,注重走开放融合之路。既切实提升我国科研、开发和应用等方面的创新实力,又与国际兼容、共享全球产业规模效益;既为全球用户无缝服务作了贡献,又保护了产业的核心竞争力。

在产业链上下游合作上,我国芯片企业与系统设备、终端企业、仪表企业、元器件供应商、高等院校、测试机构等开展长期的广泛协作,协同技术要求、产品定义和技术路标,及早解决瓶颈问题,保障产业链不因某个环节出问题造成全线断链。同时,及早推动下游终端的开发,以及与系统、仪表等环节互操作、兼容性测试,保障全产业链的成熟应用。

在与商用市场衔接上,我国芯片企业与中国移动、日本软银、美国Clearwire、印度巴蒂等诸多国内外TD-LTE运营企业积极沟通合作,及早设计满足不同运营网络技术要求的产品方案,及时提供商用解决方案和良好的技术服务,推动全球LTE产业成熟,加速TD-LTE的商用进程。[!--empirenews.page--]

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