三栅极3D晶体管，无法左右英特尔ARM之争

摘要：  。英特尔 VS AMD就是热议多年的话题，然后又变成微软 VS 谷歌。现在最有趣的一对是英特尔 VS ARM。英特尔发布三栅极3D晶体管之后，关于该技术能否左右二者之间的战局业界已有很多评论文章。

关键字：  英特尔，  三栅极晶体管，  芯片

公司之间的纷争有其独特的魅力。英特尔 VS AMD就是热议多年的话题，然后又变成微软 VS 谷歌。现在最有趣的一对是英特尔 VS ARM。英特尔发布三栅极3D晶体管之后，关于该技术能否左右二者之间的战局业界已有很多评论文章。

目前看来，ARM似乎肯定会采用平面的22nm工艺，而英特尔则会采用Tri-Gate三栅极3D晶体管。要评判三栅极晶体管能否为英特尔提供显著优势，先得回答一些问题：

·英特尔称22nm三栅极晶体管功耗比自己的32nm平面晶体管低50%。但22nm三栅极晶体管与22nm平面晶体管的功耗差异有多大呢?

·采用22nm三栅极晶体管之后，芯片能比采用22nm平面晶体管节省多少功耗?10%，30%，还是50%?

这些都不难估算，我们来做个测试。

晶体管级的计算

图1.英特尔新闻发布会上展示的晶体管I-V特性数值

英特尔在自己的新闻发布会上展示了一些具体的晶体管I-V曲线。这些曲线在图1经过重制。根据这些数据你可以得到图2中的信息。你会注意到22nm 三栅极晶体管的电源电压能够比32nm平面晶体管低50%，但只比22nm平面晶体管低19%。

图2.三栅极晶体管和平面晶体管的晶体管级对比