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[导读](作者:穆满起)一、国产55纳米相变存储技术的发布打破了国外核心技术垄断2013年12月,宁波时代全芯科技有限公司正式发布了中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术(PCM)。相变存储技术以高性能

(作者:穆满起)

一、国产55纳米相变存储技术的发布打破了国外核心技术垄断

2013年12月,宁波时代全芯科技有限公司正式发布了中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术(PCM)。相变存储技术以高性能著称,具有替代传统存储甚至闪存的能力。

国产55纳米相变存储技术的发布,预示着存储市场的新一轮变革,为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路,彻底打破了国外芯片存储核心技术长期垄断的局面。

二、北京300亿设股权投资基金扶植集成电路产业

2013年12月,工信部、发改委与北京市政府共同成立北京市集成电路产业发展股权投资基金,基金总规模300亿元,主要投资项目包括产业链重点项目、研究中心、资本并购重组等方面。在产业投向结构上,基金在集成电路产业的投资规模占比不低于60%,相关上下游产业投资规模占比不高于40%。

股权投资基金的设立标志着我国集成电路产业扶持政策发生了重大转向,即由单纯的研发支持和项目支持转变为培育集成电路产业全产业链条和推进产业整体升级。

三、我国在移动芯片领域初步实现核心技术和市场应用的双突破

2013年,我国在移动芯片领域初步实现了核心技术和市场应用的双突破,取得了远佳于PC时代的产业位置。各细分领域出现了一批领军企业,产品线日趋丰富、销售额逐步攀升的同时,在全球产业的影响力也实现快速提升;移动芯片国产化率得到快速提升,在多模基带芯片、多核应用处理芯片、多集成单芯片等重点领域均取得关键突破,并逐步深入对基础架构的理解和软硬件优化,在移动芯片制造环节已实现40nm工艺量产。

移动芯片领域实现双突破,标志着我国已经成功实现了从“无芯”到“有芯”的跨越,实现了集成电路核心技术与产业应用的整体提升。

四、图像传感器芯片实现从低端向中高端的技术突破

2013年,北京思比科微电子股份有限公司成功推出了中国首款量产的1/4寸500万像素CIS芯片SP5408和中国首款单反数码相机用1200万像素高性能CMOS图像传感器芯片SP8AC08。

思比科推出的系列高性能图像传感器芯片产品,打破了国外高性能图像传感器芯片核心技术的长期垄断,使中国在高性能图像传感器芯片核心技术领域步入了世界前列。

五、中芯北方集成投资35亿美元建设集成电路生产线

2013年6月,中芯国际与中关村发展集团、北京工业发展投资管理有限公司等公司共同成立合资公司中芯北方集成电路制造(北京)有限公司,主要从事集成电路相关产品的测试、开发、设计、制造、封装和销售,专注于45纳米及更先进的晶圆技术的开发和生产,目标产能达到每月35000片晶圆。

中芯北方集成的建成将为国内集成电路设计企业开发CPU、存储器、移动通信、数字音视频等高端芯片产品提供稳定可靠的生产支持,可有效带动下一代互联网、云计算、物联网等战略性新兴产业规模化发展。

六、清华紫光收购展讯通信

2013年7月12日,清华紫光与展讯通信签署收购协议,清华紫光将以每股美国存托股(ADS)31美元(相当于普通股每股10.33美元)收购展讯通信全部发行在外的普通股,为展讯通信估值约17.8亿美元,支付方式为全现金。

清华紫光收购展讯通信,标志着中国集成电路产业进入了整合的新时代,国内集成电路企业在通过合并收购做大做强的道路上迈出了实质性的一步,有利于增强国内集成电路企业的整体竞争力。

七、国内首家与x86架构兼容的CPU设计公司成立

2013年4月,国内首家与x86架构兼容的CPU设计公司——上海兆芯集成电路有限公司成立,将专注于研发X86、ARM SOC、3D图形以及高速外设等芯片产品。

上海兆芯集成电路有限公司的成立,为中国CPU芯片设计提出了一个新的路线,即完全兼容x86架构的CPU芯片路线。

八、国务院副总理马凯强调加快推动我国集成电路产业发展

2013年9月,中共中央政治局委员、国务院副总理马凯在深圳、杭州、上海调研时强调,加快推动我国集成电路产业发展是中央作出的战略决策,要坚定信心,抢抓机遇,聚焦重点,强化创新,加大政策支持力度,优化企业发展环境,努力实现集成电路产业跨越式发展。

马凯副总理的发言把集成电路产业发展提升到推动国家经济转型升级和保障国家安全的高度,对于推动国内集成电路产业加快发展具有重要意义。

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