高通、三星10纳米首役告捷，决胜关键在良率及产能

 高通发布首款由三星电子10纳米制程打造的旗舰级处理器芯片骁龙(Snapdragon)835，具备Quick Charge 4.0快充技术、虚拟实境(VR)、机器学习等亮点，已成功吸引包括三星、乐金电子、小米、Oppo、Vivo等智能手机品牌厂下单排队，未来三星10纳米制程良率和产能配置，将攸关高通Snapdragon 835出货及版图扩张。

近期半导体业界纷高度关注高通Snapdragon 835发展动向，以及三星10纳米制程竞争力，面对联发科、台积电携手首颗10纳米产品Helio X30大举进逼，高通此役不仅攸关2017年手机芯片大厂竞局变化，更是三星与台积电在10纳米先进制程的顶尖对决。

高通先前推出的旗舰级芯片Snapdragon 820/821，系采用三星14纳米FinFET制程及改良版14纳米LPP(Low Power Plus)制程生产，并导入超过200款手机和平板电脑等终端移动装置，高通新问世的Snapdragon 835采用三星10纳米制程，已进入量产阶段，2017年上半搭载Snapdragon 835的各家手机将陆续量产出货。

高通Snapdragon 835芯片应用领域涵盖智能手机、VR/AR头戴式屏幕、IP网路摄影机、平板电脑、移动式个人电脑等终端装置，目前已传出多家手机大厂将采用高通Snapdragon 835芯片，包括三星、小米、乐金、Oppo、Vivo等。

半导体业者认为，10纳米制程对于半导体大厂而言是一道极具挑战的关卡，高通Snapdragon 835芯片后续出货及决胜关键，将是三星10纳米制程良率是否能改善，以及有无充足的10纳米制程产能可供应手机大客户需求。

高通产品管理资深副总裁Keith Kressin在CES上揭露Snapdragon 835细节，其采用8核心搭载Kryo 280 CPU，包含4个时脉可达2.45GHz的性能核心，以及4个时脉可达1.9GHz的效能核心，并加入支持机器学习功能，透过升级至Snapdragon类神经网路处理引擎软件框架，可支持如Google的人工智能(AI)技术TensorFlow，让芯片可以自我学习各种功能，了解使用者习惯，或是强化AR/VR使用体验等。

Snapdragon 835亦支持Google Daydream移动VR平台，强化视觉与音效、直觉互动等功能，包括高达25%的3D绘图着色效能，以及透过Adreno 540视觉处理子系统支持高达60倍的彩度提升，另支持4K HDR10影片格式、10位元超宽色域显示、物体与场景式3D音效，以及6DoF技术为基础的AR/VR动态追踪。

另外，高通Snapdragon 835亮点之一是Quick Charge 4.0快充技术，相较于Quick Charge 3.0充电速度提高20%，充电5分钟约可达5小时的电池容量，充电15分钟可达到装置电池容量50%，Snapdragon 835封装尺寸缩小35%，功耗降低25%，拥有更轻薄设计及更长电池续航力，且新增高通Haven安全平台，针对生物辨识与装置验证提供更严密的防护。

高通上一代Snapdragon 820/821芯片问世至今，陆续拿下包括华硕ZenFone 3 Deluxe、三星S7/S7 Edge、小米5、LG G5、HTC 10、Le Max 2、Vivo Xplay5、Sony Xperia X Performance、OnePlus 3等客户产品订单。