被赶超？英特尔恐将沦为全球半导体市场老二？

 在全球存储器市场上，从2016年至今，DRAM(动态随机存储器)和NAND Flash(NAND闪速存储器)市场价格一涨再涨。韩国存储器大厂三星则因此大大受益。并且，美国市场研究机构IC insights预测，继中国台积电市值赶超美国英特尔之后，三星就很有可能在2017年第二季度取代英特尔，成为全球半导市场老大。

IC insights公布数据显示：在全球半导体市场上，从2016年第一季度到2017年第一季度，三星半导体销售额逐个季度递增;2017年第一季度，英特尔半导体销售额反倒比起上一个季度减少15亿美元左右。IC insights还预测：2017年第二季度，英特尔半导体销售额144亿美元，三星半导体销售额149.4亿美元，比英特尔多出大约5亿美元。

2017年第二季度，在全球半导体市场上，三星半导体销售额超过英特尔。

仅2016年下半年，在全球DRAM市场上，英特尔没占到什么市场份额，三星占得大约50%市场份额;而在全球NAND Flash市场上，英特尔占得市场份额介于6%到7%之间，三星占得36%以上市场份额。所以，DRAM和NAND Flash市场价格双双快速上涨，自然导致了三星半导体销售额逐个季度递增。从2016年第一季度到2017年第一季度，DRAM市场价格上涨45%，NAND Flash市场价格上涨40%。加之，整个2017年，DRAM和NAND Flash市场价格依然会很坚挺。

2016年下半年，在全球DRAM市场上，三星和海力士合占70%以上市场份额。

2016年下半年，在全球NAND Flash市场上，三星占得36%以上市场份额。

2016年，在全球半导体市场上，三星半导体销售额仅次于英特尔。

当然，英特尔也深知，台积电和三星等重量级竞争厂商正给自身带来冲击，英特尔必须有所改变。比如，英特尔正向人工智能、云计算、车联网和物联网等新领域拓展业务。再有，英特尔会紧随三星步伐，同样在2017年投产10nm制程工艺。英特尔向媒体称，英特尔所研发10nm制程工艺，要优于台积电和三星所研发10nm制程工艺。这等于是说，就算英特尔市值落后于台积电，就算英特尔半导体销售额落后于三星，但英特尔在技术研发上却依然领先于同行中其他竞争厂商。

结语：在过去一年多时间，全球存储器市场价格大幅上涨，对华为来说不是什么好事。另外，可能会有人分不清本文所说半导体、存储器、DRAM和NAND Flash之间关系。简单来说，半导体包含存储器，存储器包含DRAM和NAND Flash。