英特尔首次公开1.4nm工艺？官方：ASML自作主张修改了PPT

12月12日 讯 - 近日，据多家外媒报道，在IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，一张英特尔即将推出的制造工艺的扩展路线图被透露，其中显示，英特尔未来将推出7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm工艺。而这张图是由ASML发言人在会议上展示的，ASML表示，此图为英特尔9月在一次光刻会议上展示的。然而英特尔方面则澄清，这张图被ASML修改过了。

ASML发言人展示的路线图

通过对比，的确英特尔并未标注出制程的具体信息，不过大致的路线是相同的。

英特尔澄清的路线图

作为其合作伙伴，ASML对于英特尔的工艺路线可谓是心知肚明，这样擅自更改PPT并公开究竟是何种原因造成的，目前尚未拥有确切消息。有媒体猜测，两张路线图都是在2021年才会使用上EUV设备，这是否是一种催单也并非不可能。

在IEDM会议上，关于5nm的讨论很多，因此其中一些改进，诸如制造、材料、一致性等，最终将最终以英特尔的5nm工艺结束，这取决于与之合作的设计公司(历史上是应用材料公司(ASML))。

不过可以确定的是，在摩尔定律方面，英特尔依然是处于“寻路”模式，超越5nm，即3nm / 2nm / 1.4nm，当然继续在摩尔定律上面“死磕”将会是一笔不小的花费。

值得一提的是，英特尔的这张路线图还提到了在旧工艺的升级版本中进行“反向移植”（ Backport）带来的机会。包括可以将7nm产品反向移植到10nm+++，可以将5nm产品反向移植到7nm++，可以将3nm产品反向移植到3nm++，而可以将2nm产品反向移植到3nm ++。不过，对于1.4nm节点没有提到反向移植。

另外，今年IEDM上的一些演讲使用的是所谓的“ 2D自组装”材料，其尺寸大约为0.3nm，这么小的尺寸并不新鲜，但对于硅而言很新鲜。

值得注意的是，5nm被列为2023年的节点，大约在ASML开始销售其“高NA” EUV机的时候，以帮助在制造过程中更好地定义路径。并不确定High NA是否会在5nm或3nm处拦截，假设英特尔的此路线图的日期正确且英特尔能够坚持下去，但这是需要考虑的问题。