英特尔挖角格芯CTO：“三分天下”的晶圆之战开始发力

12月13日 讯 - 前几日，英特尔的制造工艺路线被披露，虽然ASML擅自在路线图中增加了7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm的标注，但总体2年一次更替的摩尔定律仍在进行之中。

而在目前最新的消息显示，英特尔（Intel）最近招揽了前格芯（GlobalFoundries）CTO、前IBM微电子业务主管Gary Patton博士。当然，为了做好新的CPU/GPU架构，Intel还批量挖走了Raja Koduri、Jim Keller等一大批业界牛人。

目前来说，格芯已经改变了投资策略，取消了7nm、5nm的工艺研发，专注进行14/12nm方面工艺和专用性的22FDX、12FDX。所以Gary Patton这样的人才仍然可以再一线研发对他来说是一件好事。

目前来说，在晶圆厂之战已变为“三分天下”的格局，这三家分别是英特尔、台积电、三星。

英特尔方面，日前报道中爆料的2年一更新的制程之路来说，虽然这是一个乌龙事件，但这是第一个被ASML爆料出的1.4nm工艺。当然，英特尔还强调了在每个流程节点之间，将会有迭代的+和++版本，以便从每个流程节点提取性能。但在EUV方面，仍然需要至2021年才会上EUV设备。

台积电方面，众所周知在EUV工艺上属于“熟练掌握”的玩家，诚然晶圆厂在标注制程方面通常也会使用一些技巧导致台积电7nm工艺与英特尔10nm工艺性能并无二异。但单纯从数字上面来看，目前台积电已在5nm方面进入量产倒计时，3nm与2nm已提上了日程并且远比英特尔要早。不过有了之前的经验，或许性能方面仍然不会有差别。

三星方面，则稳扎稳打，从14nm、10nm、7nm、3nm四个主要节点进行规划，而在3nm节点以后，三星要放弃FinFET转向GAA晶体管，3GAE工艺和3GAP工艺的优化改良之路还远矣。

摩尔定律的2年一更新仍然在持续之中，而如若走在在1nm制程以下，摩尔定律该如何继续延续，这将成为一个严肃的问题。