TSV技术扩大异种芯片封装应用恐撼动市场版图

时间：2014-05-25 18:54:54

关键字：封装芯片封装系统芯片 DRAM

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[导读]直通矽穿孔(TSV)封装时代即将来临，将撼动现有的半导体市场版图。过去TSV技术只能堆叠DRAM、CMOS影像感测器(CIS)等同种芯片，但目前已进化到可堆叠系统芯片与记忆体、系统芯片与系统芯片等，封装异种芯片。TSV半导体

直通矽穿孔(TSV)封装时代即将来临，将撼动现有的半导体市场版图。过去TSV技术只能堆叠DRAM、CMOS影像感测器(CIS)等同种芯片，但目前已进化到可堆叠系统芯片与记忆体、系统芯片与系统芯片等，封装异种芯片。TSV半导体目前仍未有明确的标准，但可在初期掌握技术主导权的企业，就有机会主导从系统芯片到记忆体的整个半导体市场。

记忆体、系统芯片、晶圆代工、后段制程业者间，将更积极争夺TSV市场主导权。据ETNews报导，近来三星电子(SamsungElectronics)研发出将移动应用处理器(AP)和记忆体以TSV载板(interposer)方式堆叠的2.5D产品。最快2014年内可推出1~2项产品。三星2011年公开4层堆叠的30纳米级4GbDDR3DRAM产品后，仍持续累积TSV技术实力。

南韩业者表示，三星除记忆体外也生产AP等系统芯片，因而确保半导体从前段到后段制程所必要的技术。TSV市场若正式成形，将对三星形成有利的局势。为确保异种芯片TSV技术，记忆体业者和系统芯片业者间的合纵连横也开始活跃。

韩系半导体大厂SK海力士(SKHynix)和AMD携手研发将29纳米DRAM4层堆叠的图形处理用高频宽记忆体(HighBandwidthMemory；HBM)，并将于2014年9月公开样品。该产品的目标为移动装置、伺服器市场。系统芯片龙头高通(Qualcomm)和英特尔(Intel)近来也与多间记忆体业者携手合作，加速研发异种芯片TSV产品。美光(Micron)和尔必达(Elpida)晚一步寻求系统芯片业者的合作，正极力确保异种芯片TSV技术，近来已发包晶圆接合(waferbonding)和剥离(debonding)设备，及导孔蚀刻设备。

2015年初将以网路市场为目标，公开TSV产品。南韩证券分析师表示，想实现异种芯片TSV封装，必须经过形成绝缘层、注入铜、晶圆研磨、封测等多元制程，为高难度技术。初期在市场上制程竞争力具优势，能提升需求的综合半导体业者，将居有利位置。