ADI工业及仪表用先进器件

美国模拟器件公司（Analog Devices, Inc.），发布一批最新的解决方案，包括数据转换器、放大器、基准电压源和新的智能传感器系列产品，目的是为了满足工业和仪器仪表设备特殊的信号调理要求。鉴于对工作在电气噪声环境中高电压工业系统的特殊性能需求，ADI公司采用拥有专利权的高电压制造工艺生产出新的数据转换器、放大器和基准电压源，它们具有降低功耗、减小成本和封装尺寸的特点以简化系统开发并且为增加新的产品功能节省了印制电路板（PCB）面积。与此同时，ADI公司采用已有的iMEMS®（集成微电子机械系统）技术和新的先进集成工艺制造出新的智能传感器系列产品。这种新的传感器提供创新的性能和可编程能力以简化工企自动化控制、平台监控系统和其它对运动敏感的工业工具和机器的设计。

新的数据转换器、放大器和智能传感器

今天即将发布下列产品：
    可编程PulSAR®模数转换器（ADC）：新的16 bit AD761x和18 bit AD763x PulSAR 系列ADC，由于增加了创新的软件可选择输入范围无须在前端模拟电路中采用成本很高的电平变换和增益级电路。凭借ADI公司拥有专利权的iCOMSTM工业制造工艺这种新的逐次逼近（SAR）型ADC允许“实时”（零数据等待时间）地选择0～5 V和0～10 V单极性输入范围；±5 V和 ±10 V双极性输入范围。结果显著降低了工业应用对元件成本和PCB面积的要求，例如数据采集和工企自动化中所采用的过程控制系统。16 bit的AD761x系列器件时钟速率高达750 kSPS，提高的采样速率是现有可编程ADC的6倍，同时AD763x系列ADC以18 bit的分辨率允许更精密的信号转换。这种SAR型 ADC以同类产品一半的价格兼备多功能、高性能、小封装（减小50%）等特点，这是史无前例的。欲获知更多信息，请访问：www.analog.com/AD7610和www.analog.com/AD7630。

    JFET输入运算放大器和基准电压源：业已最佳优化的新的JFET（结型场效应晶体管）输入运算放大器和新的基准电压源系列为工业和仪器仪表系统设计工程师提供非常高的精密性能、超小的封装尺寸和极低的功耗，从而以比同类器件低的成本节省了PCB面积并且提高了电路布线的灵活性。。ADA4000-1运算放大器非常适合用作基准缓冲器、有源滤波器和电平变换器，它具有同类器件中最精密的性能，而且输入偏置电流降低了80％，失调电压降低了50%。ADA4000-1采用ADI公司的iPolarTM沟道隔离工艺制造，其功耗最接近的同类运算放大器降低了75%，采用SOT-23封装，尺寸减小了75％。ADA4000-1的高精密性能和DC精度能够在要求超高精度的设备中实现精确的测量和功能控制，例如病人监护系统、数据采集系统和安全系统。欲获知更多信息，请访问：www.analog.com/ADA4000-1。

ADR12x系列低功耗基准电压源采用TSPT-23封装，兼备高精密和低工作电压的特点，从而使得它在便携式和电池供电的工业和医用仪器仪表设备中成为数据转换器的理想配套芯片。这些器件在扩展工业温度范围（－40°C～＋125°C）内具有最低的温度漂移性能（9 ppm/°C）——比同类器件改善了10%——而且只需要很小的工作电流，仅为85 μA。在小尺寸中取得如此的精度提高得益于ADI公司iPolar制造工艺的微调机能（trimming efficiencies）。欲获知更多信息，请访问：www.analog.com/ADR12x。

    iSensorTM智能传感器：ADIS16201 iSensor智能运动传感器是ADI公司新传感器系列产品中的旗舰产品，它凭借一种正在专利申请中的先进集成工艺，集成了双轴MEMS加速度计、数字温度传感器、电源管理电路以及嵌入式固件。这种系统封装（system-in-a-package）方法构造了一种小型、低成本而且易用的传感器解决方案，它能为运动和倾角测量提供完全校准的数字输出，以便使可靠的检测电路对于工业系统设计工程师来说易使用和低成本。这种多功能的结合适合于工业应用，例如平台稳定、机器振动检测，以及运动和位置测量。新的智能传感器包括专用的可编程电源管理选项，同时有自动校准功能，以及多项易用的片内编程选项和一个工业标准SPI（串行接口），因此显著节省了成本和与系统层传感器集成相关的时间。欲获知更多信息，请访问：www.analog.com/ADIS16201。


关于ADI公司的iCOMS和iPolar制造工艺

由于多年来对iPOLAR和 ICMOS两种工艺研发（R&D）投资取得到重大成果，所以能够使生产出新一代的高性能模拟器件工作在电气噪声和高电压环境下，例如过程控制、工企自动化系统、控制环路和其它工业电子设备。

iCMOS工艺融合了互补双极型工艺的性能优势、CMOS（互补金属氧化物半导体）的高效率和高电压特性。在iCOMS工艺推出之前，工业设计工程师在考虑使用模拟CMOS工艺时，不得不在其系统中增加大量的信号调理、信号偏置电路和外部运算放大器。在当时情况下，能够承受30 V电压的制造工艺尺寸高达5.0 µm——比iCMOS中能达到的0.6 µm线宽高一个数量级。ADI公司的iCMOS工艺还能够使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离，这就意味着通过对同一单芯片施加多种电源电压，一颗单芯片能实现5 V 电压CMOS电路和16 V，24 V或30 V高电压的CMOS电路混合和匹配。

iPolar沟道隔离工艺是一种稳定的高电压制造工艺，它用一种深沟道技术取代传统的双极型工艺中的大面积扩散层从而显著地提高了晶体管的密度和性能。这种结合使得开发出的产品不仅能显著增强功能而且能减小封装尺寸。iPolar工艺能够生产出增强模拟信号处理能力的精密线性IC，而亚微米30 V iCMOS工艺用于制造高度集成的混合信号器件。这些新工艺将ADI公司的模拟和混合信号电路设计创新扩展到了高电压领域，从而为工业仪器仪表用户提供了最先进的数据转换器、放大器和传感器元件。