• 日产推出新一代e-Power发动机:热效率高达50%!

    日产推出新一代e-Power发动机:热效率高达50%!

    一台好的发动力,除了功率和扭矩之外,热效率同样重要。因为发动机热效率越高,往往意味着其越省油,这在油价节节攀升的当下更具现实意义。 一周前,日产官方宣布,已在发动机效能方面取得了突破性进展,新一代e-Power动力系统的热效率将升至50%,从而可使燃油效率提升25%。 众所周知,发动机热效率一旦突破40%,向上每提升0.1%都是非常艰难的,就连丰田也只有41%。而日产却做到了50%,如此巨大的提升,引发了众多质疑。 据外媒报道,日前,日产官方再度确认可以制造出热效率达50%的发动机,并表示“拥有此技术的发动机将减少25%的油耗”。日产提出了STARC的概念技术(这一名称源自高效率点火通道),其通过加强汽缸内气流(被吸入气缸的空气燃料混合物的流动)的流动和点火效率,并在高压缩比下燃烧更为稀释的混合气体,从而提高发动机的热效率。 而根据内部所进行的发动机测试显示,虽然使用EGR1稀释法时,热效率仅为43%,但在使用多缸发动机试验时(λ=2的过量空气比率),热效率提升至46%;而通过固定转速、废气回收等多技术结合时,热效率更是达到了空前的50%。 据悉,此发动机是搭载e-POWER系统的车型专属,只为电池进行充电(一种增程器),拥有更高的压缩比。 目前,我国比亚迪研发的“骁云”专用插混发动机热效率高达43%,已处于业内领先水平, 并且搭载该发动机的秦Plus实测油耗仅为3.8L,相比“两田”混动,有着明显的优势。若日产新发动机量产,将会打破这一纪录。 日产动力总成和EV工程部门高级副总裁表示:“将传统发动机的热效率从30%提到40%用了50年时间,使用e-POWER可以在几年内提高到50%”。

    时间:2021-03-02 关键词: 日产 热效率 发动机

  • 新的辅助电源方案用于汽车功能电子化

    新的辅助电源方案用于汽车功能电子化

    辅助电源单元在电池电动汽车(BEV)和混合动力电动汽车(HEV)的电源应用中无处不在,对于为控制、通信、安全、驱动等通常低于20 V的各种低压子系统供电至关重要,而且,电源本身的电源可能来自+400 V直流高压总线,如车载充电(OBC)系统或48 V或12 V电池电压轨。在如此广泛的应用范围内,对辅助电源的要求非常多样化,因而市场上产生了无数替代方案和运用。 尽管这些电源是辅助系统,但仍需要确保高可靠性和稳定性,因其在为关键模块供电,如可能包括核心控制器的逻辑级电路,或导通和关断功率金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的门极驱动器。同时,要求紧凑的设计和出色的性价比,因为这些系统不是应用的核心部分,因此应花费尽可能少的资源来完成工作。安全也是最重要的,在大多数情况下,系统必须符合汽车标准,也规定了电磁干扰限制。而且,适应广泛的输入电压范围和适应不同用例的灵活性,使其脱颖而出。最后同样重要的是,辅助电源需要提供高压隔离,特别是如果法规规定,或功能隔离,以实现可靠的运行。 汽车高压辅助电源 根据应用相应的上述要求,辅助电源用在不同的拓扑结构-反激、升压、降压-升压等。它们可采用替代的开关机制,如:准谐振或固定频率,并利用集成或分立技术来传输所需的功率。 图1.基于反激式拓扑的隔离型辅助电源原理图,工作在准谐振峰值电流模式控制下 安森美半导体最近推出了四个新方案:高压辅助电源,适用于基于800 V和400 V电池的BEV和PHEV并提供15 W或40 W功率,以及用于IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET驱动器的隔离型电源。这些方案解决上述挑战并满足所需要求。 SECO-HVDCDC1362-15W15V-GEVB和SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB是极高能效和灵活的初级端调节(PSR)辅助电源,优化用于BEV和PHEV汽车动力总成。这些设计可在250 V至900 V的宽输入直流电压范围内提供稳定的15 V,因此适用于400 V和800 V电池系统。 该方案利用NCV1362准谐振峰值电流PSR反激控制器、成本优化的NVHL160N120SC1 160mΩ1200 V碳化硅(SiC) MOSFET和FFSD0665B-F085 SiC二极管的多种优点。得益于SiC FET的高阻断电压能力和超低门极电荷(34 nC)值,开关损耗显著减小,该设计表现出出色的能效,在低交流电条件下高达86%。 NCV1362控制器出色的驱动能力支持SiC FET在12 V下直接运行,而无需预驱动器,从而简化了布局并减少了物料单的内容。反激式变压器提供4 kV的隔离度,且完全通过汽车级半导体和无源器件实现。 图2. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB的能效 图3. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB框图 图4.15 W高压辅助电源的优势 (SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB) SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB是IGBT驱动器的隔离电源,提供所需稳定电压轨 (-7.5 V和15 V,每个分路50 mA),实现在宽输入电压范围(6 Vdc至18 Vdc)高效开关。还提供了额外的+7.5 V电源轨,以支持任何其他较低电压逻辑。该系统利用NCV3064 DC-DC转换器,实现紧凑而稳定可靠的设计,最小化材料单内容。该板完全采用汽车认证的器件实现,并且与商用IGBT DC - DC电源引脚兼容,从而提供了开箱即用的隔离型驱动器电源方案。使用相同NCV3064的另一个SiC变体SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB [1]将适用于SiC MOSFET开关,为门极驱动器提供+ 20 V /-5V电压轨。 图5.1.5 W IGBT隔离型驱动器电源的优势 (SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB) 图6. SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB框图 新的电源设计用于400 V和800 V电池系统,隔离型电源用于IGBT和SiC门极驱动器,都经过专门设计,可直接集成到应用系统中。 安森美半导体用于汽车辅助电源方案的广泛产品和工具阵容,有助于满足每种应用的要求并提供最佳方案。除了AC-DC控制器和稳压器、DC-DC控制器和稳压器、功率MOSFET、二极管和保护器件的全面产品阵容,以充分实现广泛的设计,我们还提供广泛的硬件和软件评估以及开发工具帮助工程师,可加快开发阶段并缩短新产品的上市时间。

    时间:2021-03-01 关键词: 辅助电源 汽车功能电子化 高压辅助电源

  • Strata赋能的汽车LED尾灯方案

    Strata赋能的汽车LED尾灯方案

    如今,全球汽车行业看到在大多数汽车照明应用中使用LED照明的好处和价值。LED的高能效、使用寿命长、低辐射热、高可靠性和高流明密度等特性,使其成为一种很有吸引力的技术。安森美半导体的Strata赋能的汽车LED尾灯评估套件在Strata Development Studio中提供了一个易于使用的平台,来帮助评估这关键汽车应用中的LED系统。 新的评估套件基于可由I2C控制的12通道60 mA LED线性电流驱动器NCV7685,具有以下功能:12个独立控制的脉宽调制(PWM)通道、可变PWM频率、通过单个电阻器的电流设定值和LED 诊断。该方案以安森美半导体的其他关键器件为亮点,如CAT5171数字电位器,FPF2193负载开关,NCV47822双高边开关,FPF2700可调限流负载开关,NCV8853降压控制器,NCV5173升压调节器,NCT375温度传感器和NCS214R电流检测放大器。 图1:框图 让我们演示Strata赋能的汽车LED尾灯评估套件。 首先,下载并安装Strata Developer Studio。然后,将套件随附的微型USB电缆从开发板上插入运行Strata的PC。连接后,将自动检测该板,并通过单击“打开平台控件”按钮立即访问控制用户界面(UI)。控件UI中的导航选项卡易于使用,旨在提供完整的评估体验。 左侧的第一个选项卡是“汽车演示模式”。选中后,将自动启用它以模拟普通汽车的尾灯和前灯。默认配置以每分钟左右方向指示灯均闪烁80次来显示汽车危险指示灯。可以使用用户界面右侧的可单击控件来配置刹车灯,倒车灯,闪光灯和行车灯。必须禁用危险,使用左右闪光灯控件。 以易于使用和直观的用户界面,“ LED控制”选项卡可通过直接控制LED驱动器的I2C寄存器、PWN来全面控制12个LED通道。 “电源”选项卡控制输入电源以及评估板上各种电流、电压和温度遥测的读数。默认电源配置使用USB VBUS的可调输出升压转换器,LED电源的最大功率限制为约2 W。可以通过香蕉插头或桶形连接器连接外部电源,以实现更高的功率运行。 LED串电压由板载升压或降压电源提供或直接从外部香蕉/桶形连接器提供。 “ SAM(独立模式),OTP(一次性编程)和CRC(循环冗余校验)”选项卡可通过使用NCV7685来访问SAM和OTP寄存器,而无需微控制器通过I2C通讯来配置LED驱动器。 I2C地址和CRC也可以设置为非默认值。 图2:平台控制界面 平台的完整资料如原理图、布板、框图、用户指南、测试报告、数据表等都在Strata Developer Studio中的“文档”选项卡下。 图3:平台文档 Strata赋能的汽车LED尾灯评估套件提供测试、测量和控制LED车辆照明中的各种关键设计参数的全面的评估经验,以帮助设计工程师确定该方案是否兼容并完全适合其汽车照明应用。该汽车LED尾灯方案适用于以下领域:仪表盘、组合尾灯(RCL)、日间行车灯(DRL)、雾灯、中央高位停车灯(CHMSL)阵列、转向信号灯和其他外部调制应用。

    时间:2021-03-01 关键词: LED尾灯 汽车照明应用

  • 意法半导体推出功能完整的电能表评估板 集成低成本传感器和稳健的电隔离功能

    意法半导体推出功能完整的电能表评估板 集成低成本传感器和稳健的电隔离功能

    意法半导体新推出的电表评估板采用低成本的抗电分流传感器和先进的电流隔离技术实现出色的可靠性和鲁棒性,加快三相交流电能表设计,满足国际上最严格的电能表质量和精度标准。 EVALSTPM-3PHISO评估板集成高精度STPMS2计量前端IC和先进的STISO621数字隔离器,以及在STM32微控制器上运行的用于计算计量数据和电能质量数据的可定制的统包固件。经过优化设计的感测电路和PCB布局,确保电能表具有优异的抗EMI干扰的鲁棒性和出色的信噪比,进行高精度测量和后处理计算。 STPMS2是一款双通道24位二阶sigma-delta调制器,通过板上分压器和分流传感器测量每相交流电的电压电流,然后,使用微控制器分配的同步4MHz时钟对信号进行过采样,并采用多路复用技术通过一个输出引脚传输电压和电流的sigma-delta比特流。三相电表系统需要使用三个STPMS2采集每个相的电压电流数据。 随板提供的电表固件利用STM32微控制器集成的sigma-delta调制数字滤波器(DFSDM)将六个比特流转换为24位的电压和电流值,并每200µs实时计算一次所有计量数据。该固件还实现了一个虚拟通信端口,用于访问内部参数,读取计量数据,修改内部配置和校准电路板。 STISO621双通道数字隔离器,一个新系列隔离IC的首款产品,采用意法半导体的6kV厚氧化电流隔离技术在隔离域之间传输数据,适合各种工业应用。STISO621具有两个独立的通道,带有施密特触发器输入,确保高抗扰度并将脉冲失真保持在3ns以下。STISO621的最大数据传输速率达到100Mbit/s,脉冲耐压(VIOTM) 高达6000V,最大重复隔离电压(VIORM)为1200V,与传统的光隔离器相比,STISO621确保数据传输速度更快,使用寿命更长,可靠性更高。 意法半导体的电能表评估板符合EN 50470-x、IEC 62053-2x、ANSI12.2x的交流电表标准。该应用方案提供每相或者累计的有源能量或者功率的宽带、基波、无功和视在功率和能量数据;达到IEC 62053-22的三相有功/视在功率测量准确度等级0.5级和IEC 62053-21的三相无功功率测量准确度等级1级,可以对每个电压和电流信号执行RMS计算和THD失真计算(可选),及直流电测量,以及线路周期、相移和相电压延迟测量。 除民用电能计量外,EVALSTPM-3PHISO还是一个工业级多相交流电能计量参考设计,例如,电动汽车充电、服务器和太阳能逆变器。

    时间:2021-03-01 关键词: 传感器 电隔离 电能表评估板

  • 意法半导体推出支持高能效Power Delivery和PPS的参考设计 简化USB Type-C™电源适配器设计

    意法半导体推出支持高能效Power Delivery和PPS的参考设计 简化USB Type-C™电源适配器设计

    意法半导体推出了一个支持可编程电源(PPS)的 USB Type-C™Power Delivery 3.0参考设计,最大输出功率27W,在不连接充电线的情况下零功耗,可加快好用、小巧、高效的电源适配器设计。USB PPS有助于节省电能,减少设备充电时间和散热量,降低设备端的物料清单成本。 STEVAL-USBPD27S参考设计集成STM32G071微控制器(MCU)、最先进的PWM控制器STCH03和TCPP01-M12 USB Type-C 保护IC,其中,STM32G071单片集成功能完整的USB Type-C Power Delivery控制器。这个参考设计让用户可以快速开发USB快充电源适配器,满足欧盟能效标准European CoC V5 Tier-2和美国能效标准DOE Level VI规定的四级最低平均工作能效和待机功耗低于40mW的要求。 STM32G071 MCU处理整个数字控制部分的功能,包括副边VBUS电压控制算法,以及意法半导体独有的自适应同步整流专利算法,从而提高充电效率。VBUS控制算法符合USB Type-C供电和PPS规范,并实现了电缆压降补偿,以精确控制供电电压。PPS可以在3.3V-11V之间以20mV步长逐步调整输出电压值,50mA步长逐步调整限流值,以最大程度地减小充电期间的功率变换损耗。 作为基于MCU的解决方案,该参考设计为用户提供了更多的设计灵活性,可以实现其他的客户定制应用层,引入USB Power Delivery标准的升级改进功能。 STEVAL-USBPD27S电路板的功率级采用意法半导体的高集成度STCH03 PWM控制器,该控制器内置高压启动电路、原边恒流输出调节和先进电源管理功能。为准谐振零压开关(ZVS)反激式转换器设计,STCH03确保功率变换器具有高能效、超低待机功耗和出色的动态性能。 STD7N65M6 MDmesh M6原边高压STPOWER MOSFET优化了软开关和硬开关模式的开关性能,为应用设计带来极高的能效。 最后,TCPP01-M12 为USB VBUS引脚和配置通道(CC)引脚提供±8kV ESD静电放电保护,符合IEC 61000-4-2第4级安全要求。VBUS引脚和CC引脚之间还有短路保护功能,以及误用坏线导致设备损坏的防护功能。 STEVAL-USBPD27S是一个小巧紧凑的立即可用的评估板模组,外观尺寸为59mm x 35mm x 21mm,功率密度达到每立方英寸10.2W。

    时间:2021-03-01 关键词: 微控制器 电源适配器

  • 艾迈斯最小尺寸的接近光传感器来了,适用于极小的TWS耳塞

    艾迈斯最小尺寸的接近光传感器来了,适用于极小的TWS耳塞

    你能想象全球尺寸最小的接近光传感器能有多小嘛?艾迈斯半导体集成光学传感器业务线战略项目总监DarrellBenke来告诉你 DarrellBenke在谈话中表示:“使用TMD2636接近光传感器将为TWS耳塞制造商提供更高的产品设计灵活性,让客户在优化产品性能的同时,减小产品尺寸,进一步扩展产品支持的功能范围,也就是说尺寸减小了,但是功能更甚之,产品的设计啥的可以更加灵活了,这样使得使客户的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。” 适用于真无线立体声(TWS)耳塞的TMD2636全集成式接近光传感器模块采用封装是超小型的,他的厚度为0.35mm封装,体积仅为0.7mm,这个体积真的是非常小了。该传感器利用艾迈斯半导体在光学传感器硬件和软件方面的创新,提供可靠的入耳接近检测,他还有对耳塞非常好的功能,耳塞的续航也是非常大的问题,为耳塞在不使用时降低功耗,延长耳塞待机时间。率先推出TWS耳塞技术,推出TMD2636之前,艾迈斯半导体近期还推出了其他新产品,可以进一步帮助耳塞制造商生产更有竞争力的产品,就目前而言 艾迈斯半导体中国是全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体。在此前,艾迈斯半导体凭借AS7038RB荣获年度物联网可穿戴设备创新类别的物联网突破奖。AS7038RB是一款超薄传感器,为耳塞、贴片和其他可穿戴设备提供血氧监测功能。其主动降噪(ANC)芯片技术为Nuheara“全球先进的耳塞”——新款IQbuds2 MAX产品提供个性化的降噪。Nuheara耳塞的特别魅力在于,它集出色的播放音质与个性化的听觉增强特性于一体。这款零售价为379欧元的耳机为一些有轻度听力障碍但暂时不想使用助听器,同时又希望获得出色聆听体验的消费者提供一个新的选择。Nuheara是一家业界领先的智能听觉公司,致力于通过创造经济实惠且易于使用的变革性听觉解决方案来改变人们的聆听方式。Nuheara总部位于澳大利亚珀斯。Nuheara是第一家在澳大利亚证券交易所(ASX)上市的消费级可穿戴技术公司 艾迈斯的其他产品,推出TSL2520和TSL2521环境光传感器,其超小尺寸可被放在微小的边框或间隙中,例如手机显示屏和边框之间的间隙,使智能手机屏幕一直可以延伸至边框而无需开孔。推出4LS系列传感器,为其面向机器视觉应用的传感器家族新增了速度更快、分辨率更高的线扫描图像传感器。 通过使用配备4LS传感器的摄像头,智能工厂的操作人员能够在提高生产量的同时保持最高的质量控制标准。推出新系列红外VCSEL(垂直腔面激光发射器)泛光照明器EGA2000系列,旨在满足工业制造商为机器人、协作机器人、自动导引车以及使用2D/3D光学传感的智能设备开发各种创新应用。已选用Extra Horizon开发的高性能云基础架构来支持一系列基于光谱传感器的创新型现场护理解决方案,充分发挥数字化健康设备的效能。在COVID-19疫情持续出现的情况下,快速、准确的检测对于确保公共卫生乃至社会的安全都至关重要。在这种特殊情况下,艾迈斯半导体基于Extra Horizon云架构的光谱传感器解决方案能够实现准确、高效的现场护理检测,将是世界对抗疫情的有力武器之一。 艾迈斯半导体公司设计和制造高性能模拟传感器解决方案。公司愿景是通过传感器解决方案提供人与科技的无缝交互,打造完美世界。 艾迈斯半导体的高性能传感器解决方案致力于推动对小型外观、低功耗、高灵敏度、多传感器集成有要求的应用。公司主要为消费、通讯、工业、医疗和汽车市场的客户提供包括传感器解决方案、传感器IC、接口及相关软件在内的产品。 艾迈斯半导体公司总部位于奥地利,全球员工约9,000人,为遍布全球的8,000多家客户提供服务。

    时间:2021-02-24 关键词: 光传感器 艾迈斯半导体 TWS耳塞

  • 歌尔助力推出基于高通骁龙XR1平台的AR参考设计

    歌尔助力推出基于高通骁龙XR1平台的AR参考设计

    2021年2月23日,基于高通骁龙TM XR1平台的轻量级AR参考设计全新面世。该参考设计由歌尔股份有限公司助力打造,旨在为消费者和企业用户提供低功耗沉浸式体验AR设备和高性能生产力方案。 该款AR智能眼镜形态的参考设计需要连接至与之相兼容的智能手机、PC、平板电脑或者处理单元使用,其显示模组采用了歌尔参与开发的自由曲面方案以及分辨率1920 * 1080P的Micro OLED模组,配备歌尔最新兼顾卓越音质和私密性的近耳声学模组。歌尔还为其打造高效散热设计和创新柔性铰链设计,提升了佩戴舒适度。该AR参考设计将帮助设备制造商快速开发具有优质体验的平价AR设备。 自2016年起,歌尔与高通技术公司已建立紧密合作关系。基于骁龙820、821、835、845移动平台以及骁龙XR1、XR2平台,歌尔已经开发了多款XR参考设计。凭借先进光学和声学能力,以及对关键AR制造技术与工艺的深入理解,歌尔可快速扩展和开发消费级智能AR设备,助力推动AR产业发展。

    时间:2021-02-24 关键词: 智能眼镜 歌尔 AR

  • 深耕射频芯片行业,豪威集团助力5G时代“中国芯”

    深耕射频芯片行业,豪威集团助力5G时代“中国芯”

    过去十几年中,我国的通讯产业经历了从2G到3G,再由3G到4G的更新迭代。2019年,三大运营商公布5G商用套餐,正式标志着中国开始进入5G商用时代。5G时代的到来,不仅大幅提升了通讯速率和效率,促进了数字经济的蓬勃发展及硬件设备的换代升级,也对信号传输提出了更高要求。 在无线通讯行业,射频芯片被称为模拟芯片领域“皇冠上的明珠”,在信号传输过程中扮演着十分重要的角色。其作为无线连接的核心,能够将射频信号和数字信号进行转化,因此凡是接入移动互联网的设备均需要射频前端芯片。具体而言,射频芯片包括低噪声放大器(LNA)、射频开关(RF Switch)、功率放大器(PA)、滤波器(Filter)等多种器件。 伴随着通信产业的跨越式发展,射频器件作为无线通讯不可缺少的基础一环,市场需求量也在不断提升,据Yole Development的数据显示,2018年全球移动终端射频前端市场规模为150亿美元,而预计到2025年有望达到258亿美元[1]。面对快速增长的市场需求及我国5G技术的高速发展,实现射频芯片本土化替代的需求不断加快,这也为我国射频产业链企业的发展提供了良好的机遇。 作为中国领先的模拟与分立半导体设计公司,豪威集团旗下韦尔半导体一直致力于高性能射频器件的研发,持续引领射频新技术发展,尤其在低噪放(LNA)、射频开关(RF Switch)、天线调谐器(Tuner)领域,已打造出成熟的产品布局。其射频产品依靠新设计、新工艺和新材料的结合,突破了传统的设计思路,为无线通信领域多元化的产品提供创新动力。 在射频器件中,射频开关(RF Switch)可用于实现射频信号接收与发射的切换及不同频段间的切换。随着5G商业化落地,不同频段信号接收、发射的需求量不断增大,对射频开关的要求也随之增加。韦尔半导体最新推出了HWS7804LMA、VWS7802LA、VWS7822LE三款5G射频开关器件,具有低插入损耗,高端口隔离度的特性,可支持高频6GHz应用,即使远隔千山万水,也能保障良好的信号发射和接收效果。 HWS7804LMA采用RF CMOS绝缘体上硅(SOI)技术,是一颗大功率MIPI控制的单刀四掷开关,适用0.1G-6GHZ的宽带射频范围,并针对高性能GSM、CDMA、WCDMA、LTE和5G NR应用进行了优化,具有低导通电阻、低关断电容和高功率承受能力的特性。该射频开关设置RFFE2.1控制接口,并采用1.1mm×1.1mm 9引脚进行封装,无需再外加隔直电容。凭借低功耗及小封装的优势,HWS7804LMA可广泛应用于手机、蜂窝调制解调器和USB设备及多模GSM、EDEG、WCDMA、LTE和5G NR应用中。 HWS7804LMA VWS7802LA是一款高功率的单刀双掷开关,对5G NR高功率、高线性度进行了优化,可广泛应用于5G射频前端。 VWS7822LE则是一款具有优质线性度的双刀双掷转换开关,其优质的线性度和谐波性能非常适合多模GSM、EDGE、UMTS和LTE手机应用。在产品设计方面,VWS7822LE采用1.5mmx1.1mm 10pin的紧凑封装尺寸,可在1.4V-4.2V的供电电压范围内工作,适用于多元化平台和产品形态,帮助设计人员将其快速集成到多模多频段系统中,大大满足市场对射频开关复杂功能的需求。 VWS7822LE 除上述三款全新产品外,韦尔半导体还拥有几乎全系列LTE分立接收开关。其中WS7810QM(单刀十掷)和WS7812QD(双刀12掷)均采用MIPI控制,可使射频前端达到最优布局,具有低插损、高隔离、高线性度等特点,支持到3.8GHz高频应用,并具有大量量产经验,封装可靠性得到有效保证。两款产品均为手机、蜂窝通讯模块、数据卡等应用场景设计。 此外,韦尔半导体还在2019年分别推出了WS7854QA及WS7872DA两款产品。WS7854QA是一款带ESD防护的单刀四掷开关,针对3G/4G射频路径和分集应用进行了优化,并具有高线性度、低插入损耗的优势,其工作频率可高达3GHz,可满足LTE TRx的中功率需求,已被广泛应用于WCDMA/LTE手机和数据卡应用中,可为手机、平板电脑等移动设备提供更长的续航时间。在产品封装上,WS7854QA则采用1.1x1.1mm²紧凑型四方扁平无引线(QFN)封装结构,消除了侧向突出于封装之外的耗费空间大的外部引线,有效改善封装时连接可靠性。 WS7872DA则属于单刀双掷(SPDT)开关。该产品工作频率可高达6GHz,并具有高线性度、较低的插入损耗、开关切换时间快等优势。WS7872DA采用1.0x1.0mm²紧凑型双扁平无引线(DFN)封装结构,且功耗极低,是802.11 a/b/g/等WLAN应用的理想选择。 除射频开关产品外,韦尔半导体还拥有一系列低噪音放大器(LNA)产品。区别于控制信号通道转换作用的射频开关,低噪声放大器(LNA)则可将接收到的微弱射频信号放大,并尽量降低噪声的引入,以实现良好的信噪比。WS7932DE是韦尔半导体研发的第3代LTE LNA产品,采用COMS工艺实现了18dB的高增益,有效提升了系统接收灵敏度,并凭借0.8dB的低噪声系数,大大提高了输出信噪比。同时,WS7932DE采用了业界通用的1.1mmX0.7mm小尺寸封装,与主流型号兼容,方便调试替换,既为产品设计节省了宝贵的内部空间,又利于加速产品上市速度。 如今,人们已逐渐认识到“中国芯”替代在科技竞争中的重要作用,随着5G技术及通讯产业的跨越式发展,射频器件的重要性也愈发凸显。韦尔半导体凭借前瞻的技术研发、基于十余年技术积累和自主的技术架构工艺创新,已自行研发出可广泛覆盖手机和通讯模块市场、WiFi路由器市场和通讯基站市场的射频前端解决方案。面向5G时代,韦尔半导体也将持续专注于技术革新,推动“中国芯”从跟随到主导,从国产替代到齐头并进,携手行业共同发力5G在中国乃至全球的发展。 [1] 数据来源:维科网《深度丨揭秘5G芯片之王,射频芯片如何成为国产替代的曙光》

    时间:2021-02-24 关键词: 射频 芯片 5G 韦尔半导体 豪威集团

  • 奔驰全新C级正式发布,亮点颇多你喜欢吗?

    奔驰全新C级正式发布,亮点颇多你喜欢吗?

    根据此前报道,奔驰将在23日玩9点发布全新汽车。如约,今日晚间9点,奔驰全新C级正式发布。全新奔驰C级,除了外观经历了较大的革新,内饰更是经历了翻天覆地的变化,全面向奔驰全新S级靠拢。同时,新车搭载第二代MBUX智能人机交互系统,以数字化豪华座舱的方式,带来更加的豪华、科技体验。 从全新C级官图来看,新车进气格栅改变不大,但是新车雾灯格栅造型进行了不小革新,采用椭圆形造型,显得十分大气。前大灯和尾灯的造型也更为细长,强化了奔驰的优雅和运动特性,外表更好看了。外观整体设计上,全新C级采用了S级的设计语言。此前,因为全新S级的外观对车迷朋友过于“冲击”,不少车迷朋友直呼最丑“S级”。但是S级的设计语言下放到C级之后,车迷朋友的态度直接180°大转弯,称赞全新C级的外观内饰设计亮点颇多,确实得到了很多人的称赞。不得不说,奔驰对于消费者的审美把控能力具有深厚的经验。与外观相比,全新奔驰C级的内饰变化可以说是天翻地覆,新车放弃了现款车型的双联大屏,转而采用了和全新S级的中控斜置竖屏设计,空调出风口为奔驰标志性的圆形造型。车机系统上,新车还搭载了全新S级轿车的第二代MBUX智能人机交互系统,交互升级的“读心语音助理”能够解释车辆功能。 动力部分,全新C级车带来覆盖汽油和柴油发动机、48伏微混和插电式混合动力的多种选择。动力可谓相当厉害了,汽油版车型,全系搭载M254四缸发动机,配备第二代48V ISG智能电机,可额外提供最大15kW和200N·m的扭矩。其中,1.5T发动机有两种动力输出,最大功率分别为125+15kW和150+15kW,峰值扭矩分别为250N·m和300N·m,这数值真的绝了,能把1.5T发动机做出如此高的功率水平,体现了奔驰不俗的发动机制造功力。全新梅赛德斯-奔驰C级轿车与C级旅行轿车全球首发。作为梅赛德斯-奔驰首个实现全系电气化驱动的车系,真的相当有诚意了,全新C级车带来覆盖汽油机和柴油机、48伏微混和插电式混合动力的丰富电气化动力选择。采用第四代插电式混动技术的全新C级车也将很快亮相,我们可以期待一下,它装备最大功率为95千瓦、最大扭矩为440牛·米的永磁同步电机与容量为25.4千瓦时的电池,纯电续航里程可达约100公里(WLTP标准)。 此次发布的车型采用的是运动套件版本,此外该车还会提供AMG Line版本以及针对国内市场开发的豪华版本。新车的中网配合前包围呈现出梯形造型,两侧的大灯也是全新的设计,内部的钩状日行灯也突出了它年轻的定位,这样的设计放在此前的奔驰身上绝对是叛经离道的,这与之前大不相同。车内基本就是S级的缩小版,11.9英寸的OLED触控屏映入眼帘,匹配了第二代的MBUX车载系统,当然如果你买的是一辆低配版,该屏幕的尺寸就会随之缩小,下方增加空调按钮,所以还是加钱上高配吧你心动了嘛? 总的来看,全新奔驰C级在外观内饰设计,以及整体产品力方面,都进行了不小的提升,效果喜人。而且整车与奔驰S级也有所接近,妥妥的一个小号“S级”。当前,国内现款在售的奔驰C级,其官方指导价为30.78-47.48万元,但是市场终端有将近3.5万元的优惠空间,也就是说价格相当优惠了。而全新奔驰C级有望在即将于4月份开幕的2021上海车展国内首发,随后将由北京奔驰进行国产,预计将于年内上市销售。价格方面预计与现款车型相差不大。届时,30多万元就能购买一辆小号“奔驰S级”,你会心动吗?    

    时间:2021-02-24 关键词: 新品 奔驰 C级轿车

  • 第二代屏下摄像头技术横空出世!真正的全面屏手机来啦!

    第二代屏下摄像头技术横空出世!真正的全面屏手机来啦!

    经过多年的发展演变,目前全面屏手机的正面摄像头形态基本确定,大部分不是开孔屏就是刘海屏,当然,对于手机屏幕正面的那颗无处安放的前置摄像头,手机品牌也是想尽各种办法要抹除它,以追求极致的全面屏美感。屏下摄像头手机,前置摄像头完全内置在屏幕之下,屏幕不再是刘海屏或滴水屏,是真正的全面屏手机。 随着技术进步和消费者对大屏手机的需求增加,手机厂商一直致力于提高手机的屏占比,从所谓的无边框手机到刘海屏,再到水滴屏和升降摄像头的设计,以及折叠屏的推出,手机向真全面屏的发展可谓百战不殆。而屏下摄像被认为是真全面屏的终极解决方案。与刘海屏、滴水屏相比,将前置摄像头放在屏幕内层并不困难,困难的是如何解决透光问题——在实现全面屏的同时,让前置摄像头的自拍、人脸识别等功能不受影响成为关键。 全面屏设计已经从刘海屏发展到了现在的挖孔屏,虽然挖的孔很小且已经不影响屏幕显示了,但对于很多网友来说,还是期待完美无缺的全面屏,因此屏下摄像头就成为了全面屏的终极方案。说到屏下摄像头,目前共有两家手机厂商有明显的动作,包括小米和中兴,其中中兴更是直接量产屏下摄像头手机。 由于全面屏是大趋势,所以为了提升屏占比,安卓厂商大都放弃了3D结构光人脸识别,目前仅有苹果iPhone还在坚持,但要想有3D结构光,就必须要接受大刘海屏,而中兴首发屏下3D结构光将会解决大刘海屏的问题!还有,3D结构光现在已经不是最好的生物解锁了,因为出门戴口罩时3D结构光就是个摆设。 虽然早在2019年的时候,小米、OPPO两家公司就已经公布了自家的屏下摄像头技术,但是直到现如今,这两家公司依旧没有实现屏下摄像头技术的量产,而曾经位列于“中华酷联”国产手机四大天王的中兴手机,却在2020年9月1日,正式发布了全球首款能够真正量产的屏下摄像手机——中兴天机Axon 20 5G。 中兴曾在其上一代Axon 20系列上全球首发了量产屏下摄像头技术,当时吸引了不少关注。而前段时间,中兴也正式宣布了Axon 30 Pro,相比上代搭载的是骁龙765G中端处理器,这次的Axon 30 Pro搭载了骁龙888处理器,定位也从中端机型升级为旗舰机型。 值得注意的是,中兴天机AXON 20 5G虽然是全球首款配备屏下摄像头的智能手机,但是搭载的第一代量产屏下摄像头技术。 这也意味着第二代屏下摄像头相对于第一代产品要成熟很多,比如开孔更小,隐藏更深,自拍效果优化更好等等,当然,最为关注的就是屏下3D结构光技术了。毕竟3D结构光技术对于人脸识别的准确性,安全性会有更好的体验,也更为实用。目前手机行业也仅有苹果、华为等品牌在坚持,中兴此次发布的屏下3D结构光技术或许会掀起新一轮3D结构光的技术发展。 屏下3D结构光技术则更加让人期待,可以让手机产品在摆脱刘海实现真全面屏的同时实现3D人脸识别,这样也就可以支持人脸支付了。不过与屏下摄像头相比,其难度则更加大,因为穿过屏幕的组件会更多,而且对于安全性的要求会更高,实际表现如何还得等到中兴在MWC2021上海展会上进行揭晓。

    时间:2021-02-23 关键词: 摄像头 屏下摄像头

  • 中兴通讯推出新一代全屋光纤组网系列产品

    中兴通讯推出新一代全屋光纤组网系列产品

    近日,中兴通讯发布了新一代全屋光纤组网系列产品——全光网关F4606P/F7606P及光路由器Z6620,其在网络速度、Wi-Fi覆盖,以及造型设计等方面均有显著提升。 该系列新品的发布,标志着中兴通讯在全屋光纤商用领域取得又一重要突破,将全面助力全光家庭部署。 不同于传统的家庭组网方案,全屋光纤组网将传输介质由网线替换为光纤,全光网关和光路由器之间通过光纤连接,可实现“光速”对话。与网线相比,光纤具有寿命长、价格低廉、传输距离远、传输速率无上限等优势,一步到位解决家庭网络布线瓶颈。 此外,新一代全屋光纤组网设备进一步升级,全光网关支持万兆接入,F4606P上行接口为10G EPON,F7606P为XG PON,下行均搭载3个GE光网口及1个GE光电Combo网口,为用户提供充分选择。全光网关和光路由器均支持160MHz频宽Wi-Fi 6技术,实测有线及Wi-Fi速率达千兆,通过EasyMesh组网,实现全屋1张网和毫秒级智能漫游,为在线游戏、实时直播、网络课堂等高带宽、低时延应用提供充分保障,满足全屋“真千兆”需求。同时,该系列新品还支持多穿1堵墙的超广室内覆盖,运用ER+DCM技术,穿墙能力大幅提升,让每个房间都能稳定接收Wi-Fi信号。 2020年12月,中国联通聊城市分公司与中兴通讯携手发布全屋光纤组网商用技术方案和套餐,向山东聊城宽带用户发起限量体验邀请,实现了“光纤到家”服务向“光纤在家+全屋Wi-Fi+全屋智能体验”的升级,让光纤到达家庭的每个房间,让Wi-Fi在家庭无处不在。 目前,全屋光纤组网方案已在十多个省份进行了试点和商用,具备规模部署能力。今后,中兴通讯将在全屋光纤领域持续积极探索,广泛携手行业合作伙伴推进全屋光纤组网方案商用,构建智慧家庭的全新未来。

    时间:2021-02-22 关键词: 网络 中兴通讯 光纤

  • 想要一款优秀的或差分放大器?不妨看看这一款

    想要一款优秀的或差分放大器?不妨看看这一款

    在下述的内容中,小编将会对ADI ADL5580或差分放大器的相关消息予以报道,如果或差分放大器是您想要了解的焦点之一,不妨和小编共同阅读这篇文章哦。 ADL5580 是一款高性能、单端或差分放大器,具有 10 dB 的电压增益,并针对直流至 10.0 GHz 范围的应用进行优化。该放大器在很宽的频率范围内,提供 2.24 nV/√Hz 的低折合到输入 (RTI) 噪声谱密度 (NSD)(在 1000 MHz 时),并针对失真性能进行了优化,因此是高速 12 位至 16 位模数转换器 (ADC) 的理想驱动器。ADL5580 非常适用于高性能、零中频 (IF) 和复杂 IF 接收器设计。此外,对于单端输入驱动器应用,该套件保持低失真。 通过使用两个外部串联电阻,可以将差分输入的 10 dB 增益选择改为较低的增益值。此套件可在 0.5 V 输出共模电压下,保持低失真,在高达 1.4 V p-p 的全部电平下,可以灵活驱动 ADC。 ADL5580或差分放大器采用 +5 V 和 -1.8 V 电源供电,正负电源电流典型值分别为 +276 mA 和 -224 mA。该套件具有电源禁用功能,当电源禁用时,放大器消耗 2 mA 电流。 ADL5580或差分放大器针对在直流至 10.0 GHz 频率范围内的宽带、低失真和低噪声操作进行了优化。这些属性与其可调的增益功能一起,使得此套件成为适合驱动各种 ADC、混频器、Pin 二极管衰减器、表面声波 (SAW) 滤波器和多种离散射频 (RF) 套件的首选放大器。 ADL5580 或差分放大器利用 ADI 公司的高速硅锗 (SiGe) 工艺制造,采用紧凑式 4 mm x 4 mm 20 端子网格阵列封装封装,可在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。 ADL5580或差分放大器是固定电压增益(10 dB),全差分,高线性度放大器和ADC驱动器,采用+5 V和-1.8 V双电源供电。 小信号−3 dB带宽为10.0 GHz,ADL5580或差分放大器的所有集成模块均可通过SPI进行编程。 在带共模网络的RF输入和输出方面,输入阻抗为100差分,输出阻抗为50差分,这使用户无需任何匹配网络即可直接驱动AD9213之类的ADC,即差分输入为50。对于50差分以外的负载条件,需要外部终端网络。 输入和输出端接块具有四种操作模式,允许用户通过寄存器0x100的Bits [7:0]设置输入和输出共模操作,请参见表7。在模式00中,必须在输入的外部提供VCM端子终端和输出终端块。对于模式01,将激活内部电压发生器(由两位控制的电压),并将VCM端子输入和输出端接块驱动到内部参考电压。如果内部参考电压和连接的端子块具有不同的VCM,则系统的行为不确定,必须避免。模式10与模式01相同,除了VCMO和VCMI引脚被驱动到内部基准电压以将内部VCM传送到连接的端子块。使用模式11设置内部VCM终端,以从外部为VCMx引脚提供电压。 在布局上,将ADL5580或差分放大器底侧的四个裸露电源焊盘焊接到低热阻和电阻抗电源板上。这些焊盘通常焊接到评估板上阻焊层中裸露的开口处。 请注意,在ADL5580-EVALZ的每个裸露电源焊盘上使用4个通孔。 将这些电源过孔连接至评估板上的电源层,以最大程度地利用器件封装散热,确保去耦电容器的位置靠近电源电压引脚。 在SPI方面,ADL5580的SPI允许用户通过3线SPI端口将器件配置为特定功能或操作。它包括使能块,偏置电流电平,传递函数峰化,更改输入和输出端接块操作模式,以及更改某些操作模式的输入和输出VCM端接。该SPI为用户提供了更多的灵活性和定制性,并由三条控制线组成:SCLK,SDIO和CS。 写周期的ADL5580输入逻辑电平为1.8 V逻辑电平。 在读周期上,可通过将SPI_1P8_3P3_CTRL位置1(寄存器0x200的位0)将SDIO配置为1.8 V(默认)或3.3 V输出电平。 以上便是小编此次带来的有关ADI ADL5580或差分放大器的全部内容,十分感谢大家的耐心阅读,想要了解更多相关内容,或者更多精彩内容,请一定关注我们网站哦。

    时间:2021-02-20 关键词: SPI 或差分放大器 ADL5580

  • 来吧来吧,跟大佬一起了解下K32 L3系列MCU,爱了

    本文中,小编将对恩智浦K32 L3系列MCU予以介绍,如果你想对它的详细情况有所认识,或者想要增进对它的了解程度,不妨请看以下内容哦。 微控制单元(Microcontroller Unit;MCU) ,又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer )或者单片机,是把中央处理器(Central Process Unit;CPU)的频率与规格做适当缩减,并将内存(memory)、计数器(Timer)、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA等周边接口,甚至LCD驱动电路都整合在单一芯片上,形成芯片级的计算机,为不同的应用场合做不同组合控制。诸如手机、PC外围、遥控器,至汽车电子、工业上的步进马达、机器手臂的控制等,都可见到MCU的身影。 K32 L3系列MCU基于成功的Kinetis K系列(K22和K24),在功率优化和安全性方面比上一代产品提高了50%,适用于广泛的工业和物联网应用。K32 L3 MCU系列基于高能效Arm® Cortex®-M4内核和Cortex-M0+,并进一步增强了如低漏电外设、DC-DC转换器,以及身份验证启动、安全更新和篡改检测引脚等安全功能。 K32 L3系列MCU的推出是K32 L系列MCU的开始,将进一步推动恩智浦的安全功能和功率优化功能,引领新一代低漏电应用市场。K32 L3 MCU系列配备了全面的生态合作体系,包括MCUXpressso软件和工具以及用于轻松进行原型设计的Freedom开发板。 1. Arm Cortex-M0+ core 增强型Arm Cortex M0 +是面向微控制器内核的Cortex-M系列处理器的成员,该内核专注于对成本敏感的低功耗应用。 它具有单个32位AMBA AHB-Lite接口,并包含NVIC组件。 它还具有硬件调试功能,包括对简单程序跟踪功能的支持。该处理器支持Arm v6-M指令集(Thumb)架构,包括除三个16位Thumb操作码(总共52个)外的所有字符,再加上七个32位指令。 它与其他Cortex-M配置文件处理器向上兼容。 CM0 +内核工作时,该设备支持硬件分频器(MMDVSQ)。 2. Arm Cortex-M4 core Cortex M4处理器基于Armv7架构和Thumb®-2ISA,并且与Cortex M3,Cortex M1和Cortex M0架构向上兼容。 Cortex M4的改进包括Armv7 Thumb-2 DSP(从Armv7-A / R配置文件架构移植),提供32位指令和SIMD(单指令多数据)DSP风格的乘积和饱和算法。 3. NVIC Armv7-M异常模型和嵌套矢量中断控制器(NVIC)实现了可重定位的向量表,该表支持许多外部中断,单个不可屏蔽中断(NMI)和优先级。 NVIC用等效的系统和简化的可编程性代替了影子寄存器。 NVIC包含要为特定处理程序执行的功能的地址。通过指令端口获取地址,允许并行寄存器堆叠和查找。 前十六个条目分配给Arm内部源,其他条目映射到MCU定义的中断。 4. Memory 该设备具有以下功能: •以0个等待状态以CPU时钟速度可访问(读/写)384 KB嵌入式RAM。 •4 KB的嵌入式RAM用于闪存编程加速RAM •非易失性存储器分为两个阵列 •2个程序闪存块,为CM4提供1 MB,包括4 KB的扇区 •1个程序闪存块,为CM0 +提供256 KB的内存,包括2 KB的扇区 主程序闪存包含一个IFR空间,用于存储默认保护设置和安全信息。 该保护设置可以保护主程序闪存的64个区域和辅助程序闪存的16个区域免受意外的擦除或编程操作。 安全电路可防止未经授权从调试端口访问RAM或闪存内容。 •系统注册文件 该器件包含一个32字节的寄存器文件,该寄存器文件在所有功耗模式下均处于供电状态。此外,它在低功耗模式下仍保留内容,并且仅在上电复位期间被复位。 •VBAT寄存器文件 该设备包括一个32字节的寄存器文件。 寄存器文件由VBAT域供电,并且只要为VBAT电源供电就可以在所有模式下供电。 仅在VBAT上电复位(PORVBAT)序列期间复位VBAT寄存器文件。 以上便是小编此次带来的有关恩智浦K32 L3系列MCU的全部内容,十分感谢大家的耐心阅读,想要了解更多相关内容,或者更多精彩内容,请一定关注我们网站哦。

    时间:2021-02-20 关键词: 恩智浦 MCU 微控制单元

  • MPQ5069保护开关:具备受损 MOSFET 检测、输出电量测量功能

    MPQ5069保护开关:具备受损 MOSFET 检测、输出电量测量功能

    在这篇文章中,小编将对MPS MPQ5069保护开关的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度,和小编一起来阅读以下内容吧。MPQ5069 是一款热插拔保护器件,它的作用在于用于保护输出端电路不受输入端瞬态的影响。它也可以保护输入不受短路和输出瞬态影响。 启动时,输出电压上升斜率会限制浪涌电流。SS 引脚上的外部电容可控制输出电压上升斜率。 最大输出负载电流使用采样 FET 拓扑结构来限制,而限流值大小由 ISET 引脚与地之间的低功率电阻控制。由内部充电泵驱动功率器件的栅极,控制具有极低导通电阻(7mΩ)的功率 FET 导通。MPQ5069 保护开关还包含 IMON 功能,可通过设置 IMON 引脚至地之间的电阻值,产生与功率器件电流成正比的电压。 MPQ5069保护开关 的故障保护功能包括限流保护、过温关断保护、受损 MOSFET 检测。限流保护和过温关断保护均提供可配置的自动重启和锁定模式。该器件还具有欠压保护功能。MPQ5069 保护开关采用 QFN-22(3mmx5mm)封装,符合 AEC-Q100 认证。 在电流限制方面,MPQ5069保护开关提供了一个恒定电流限制,可以通过一个外部电阻器对其进行编程。一旦器件达到其电流极限阈值,内部电路就会调节栅极电压,以使MOSFET中的电流保持恒定。为了限制电流,栅极-源极电压需要从5V降至约1V。典型的响应时间约为20µs,在此时间段内输出电流可能会有较小的过冲。 当电流限制触发时,故障计时器启动。如果在故障超时周期结束之前输出电流低于限流阈值,则MPQ5069保护开关恢复正常工作。如果电流限制持续时间仍然超过故障超时期限,则MOSFET将关闭。后续行为与AUTO引脚配置有关。如果在故障超时期间温度达到热保护阈值,则MOSFET关闭。 当AUTO引脚悬空时,该器件在自动重试模式下工作以提供过流保护。当AUTO引脚接地时(一旦它检测到过电流情况)并且持续时间超过预设值,该器件就会进入闭锁模式。 当器件达到其电流极限或过热阈值时,会将FLTB引脚驱动为低电平,具有20μs的传播延迟,以指示故障。正常工作期间所需的电流限制取决于外部电流限制电阻。 在故障计时器和重启方面,当电流达到其过流限制阈值时,一个200µA故障定时器电流源将在TIMER引脚上为外部电容器(CT)充电。如果限流状态在TIMER引脚达到1.23V之前停止,则MPQ5069保护开关返回正常工作模式,并且在TIMER电压达到1.23V之后,低值电阻使CT放电。如果在TIMER引脚电压达到1.23V后限流状态继续,则MOSFET截止。然后,后续的重启过程取决于所选的重试配置。 如果AUTO引脚接地或被拉低,则MPQ5069保护开关锁存。重新启动输入电源或循环EN信号以恢复功能。 悬空AUTO引脚或将其拉至2.5V以上会导致器件在打ic模式下工作。在故障超时周期结束时,MOSFET关断,并且低电流(0.5µA)灌电流使外部电容器(CT)放电。当TIMER电压达到低阈值(0.2V)时,器件重新启动。如果故障条件仍然存在,则故障超时时间和重启计时器将重复。 在短路保护方面,如果负载电流由于短路而迅速增加,则电流可能会大大超过电流限制阈值,然后控制环路才能做出响应。 如果电流达到25A的次级电流限制水平,则会使用100mA下拉栅极放电电流激活快速关断电路以关断MOSFET。 这限制了通过开关的峰值电流,从而限制了输入电压降。 总的短路响应时间约为200ns。一旦达到25A的电流极限,FLTB就会切换为低电平,并保持低电平直到电路恢复正常工作。 以上所有内容便是小编此次为大家带来的有关MPS MPQ5069保护开关的所有介绍,如果你想了解更多有关它的内容,不妨在我们网站或者百度、google进行探索哦。

    时间:2021-02-19 关键词: MOSFET 保护开关 MPQ5069

  • 高通发布全球首个10Gbps 5G调制解调器及射频系统

    高通发布全球首个10Gbps 5G调制解调器及射频系统

    近日,高通技术公司发布了骁龙X65 5G调制解调器及射频系统(以下简称“骁龙X65”)——第4代5G调制解调器到天线的解决方案。据悉,第4代高通骁龙™ X65是全球首个支持10Gbps 5G速率和首个符合3GPP Release 16规范的调制解调器及射频系统,目前正在向终端厂商出样,采用该全新系统的商用终端预计于2021年推出。自从首个调制解调器及射频系统商用以来,骁龙X65堪称公司在5G解决方案上的最大飞跃。该系统旨在通过媲美光纤的无线性能支持目前市场上最快的5G传输速度,并充分利用可用频谱实现极致的网络灵活性、容量和覆盖。 除了骁龙X65之外,高通技术公司还推出了骁龙X62 5G调制解调器及射频系统(以下简称“骁龙X62”),一款针对主流移动宽带应用市场进行优化的调制解调器到天线的解决方案。 高通公司总裁兼候任首席执行官安蒙表示:“5G的演进为高通公司创造了最大的机遇,因为移动技术将让几乎所有行业从中受益。凭借骁龙X65 5G调制解调器及射频系统,我们创造了重要里程碑——开启传输速率高达10Gbps的连接时代并支持最新5G规范。骁龙X65将在赋能全新的5G用例方面发挥至关重要的作用,不仅会重新定义顶级智能手机,还将为5G在移动宽带、计算、XR、工业物联网、5G企业专网和固定无线接入等领域的扩展带来全新可能性。” 高通技术公司高级副总裁兼4G/5G业务总经理马德嘉表示:“骁龙X65融合了全球领先的无线科技创新者对于5G关键技术突破的所有期待。我们的第4代5G调制解调器及射频系统面向全球5G部署而设计,带来从调制解调器到天线的重大创新,以及覆盖Sub-6GHz和毫米波频段的广泛频谱聚合功能。这将推动5G的快速扩展,同时为用户提升网络覆盖、提高能效和性能。此外凭借其在增程和大功率上的能力,骁龙X65和骁龙X62还在将5G扩展至固定无线接入和云连接计算领域的过程中发挥核心作用。” 旗舰级骁龙X65 5G调制解调器及射频系统的关键创新包括: ◆ 可升级架构:支持跨5G各细分市场进行增强、扩展和定制;并通过软件更新,支持即将推出的全新特性、功能,以及3GPP Release 16新特性的快速部署。特别是随着5G扩展至计算、工业物联网和固定无线接入等全新垂直行业,该可升级架构可以支持基于骁龙X65打造面向未来的解决方案,以支持全新特性的采用,延长终端使用周期,并有助于降低总拥有成本。 ◆ 第4代高通QTM545毫米波天线模组:旨在扩大移动毫米波的网络覆盖,提升能效。高通QTM545毫米波天线模组搭配全新骁龙X65调制解调器及射频系统,支持比前代产品更高的发射功率,支持包括n259(41GHz)新频段在内的全球所有毫米波频段,同时保持与前代产品一样紧凑的占板面积。 ◆ 全球首创AI天线调谐技术:该技术是将公司超过十年的开创性AI研发成果引入移动射频系统的第一步,为蜂窝技术性能和能效带来重大提升。例如,与前代技术相比,通过AI实现对手部握持终端侦测准确率30%的提升。这一提升可以带来增强的天线调谐功能,从而提高数据传输速度,改善覆盖范围,延长电池续航。 ◆ 下一代功率追踪解决方案:拥有更小巧、更高效,并且具备更高性能——与普通功率追踪技术相比,具备卓越性能和成本效益。 ◆ 最全面的频谱聚合:覆盖包括毫米波和Sub-6GHz频段的全部主要5G频段及其组合,FDD和TDD,通过使用碎片化的5G频谱资产,为运营商带来极致灵活性。 ◆ 高通5G PowerSave 2.0:基于3GPP Release 16定义的全新节电技术,比如联网状态唤醒信号(Connected-Mode Wake-Up Signal)。 ◆ 高通Smart Transmit™ 2.0:这是由高通技术公司许可的独特系统级技术,可与骁龙X65调制解调器及射频系统搭配使用,通过利用从调制解调器到天线的系统感知功能,在持续满足射频发射要求的同时,为毫米波和Sub-6GHz频段带来更高的上传速率和更广的网络覆盖。 骁龙X65调制解调器及射频系统的上述创新以及其它诸多性能提升,旨在通过更快的蜂窝通信速度、更广的网络覆盖以及全天电池续航,提供卓越的5G体验。骁龙X65将支持新一代顶级智能手机,并支持5G扩展至PC、移动热点、工业物联网、固定无线接入和5G企业专网等细分领域。高通技术公司还在骁龙X65基础上推出了一款可广泛使用的产品——骁龙X62 5G调制解调器及射频系统。骁龙X62是面向移动宽带应用的5G调制解调器到天线的解决方案,可支持数千兆比特的下载速度。 骁龙X65的重要性 10Gbps 5G时代已经到来,而10Gbps 5G时代离不开完整的调制解调器到天线的解决方案,包括从调制解调器、射频收发器到完整射频前端的全集成系统。骁龙X65 5G调制解调器及射频系统正引领10Gbps 5G时代:不仅为顶级智能手机带来业界最广泛的特性组合,还面向全部主要地区的其它众多细分领域带来卓越5G性能,赋能全球所有主要运营商。 调制解调器与射频的紧密集成和先进的调制解调器及射频技术,将帮助终端厂商通过外形时尚的终端为消费者带来出色的数据传输速率、网络覆盖、通话质量和全天电池续航。骁龙X65 5G调制解调器及射频系统所提供的数千兆比特5G,可以支持消费者享受媲美光纤的浏览速度和低时延,并通过5G无线连接获得新一代联网应用和体验,包括云计算和边缘计算、高速响应的多人游戏、丰富的娱乐、沉浸式360度视频以及即时应用。 目前,骁龙X65和骁龙X62正在向客户出样。基于这两款调制解调器及射频解决方案的商用终端,预计在2021年晚些时候面市。

    时间:2021-02-19 关键词: 高通 射频 调制解调器 5G

发布文章