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英飞凌数字电源控制器推出全新产品XDPP1188-200C，专为AI数据中心高压/中压IBC而设计，最高可支持800V直流系统
【2026年3月26日, 德国慕尼黑讯】AI服务器对更高功率的需求持续增长，给制造商带来了新的挑战。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出全新器件XDPP1188-200C，进一步扩展其XDP™数字电源控制器IC产品系列。这款控制器专为满足现代AI服务器电源架构的需求而设计，支持48 V至12 V或更低电压的中间总线转换器(IBC)，同时还支持未来更高电压的直流系统，包括将±400 V或800 V直流总线电压转换为48 V、24 V或12 V。这有助于更大程度地减少总线排和配电路径上的功率损耗。
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ASMPT推出ALSI LASER1206激光切割与开槽设备 助力先进封装与车用功率器件制造
2026年3月26日，中国上海——半导体与电子制造软硬件领军企业ASMPT与其子品牌奥芯明于2026年中国半导体展会(SEMICON China 2026)N4451展位，推出全新裸晶圆处理系统ALSI LASER1206。本次展会主题为“智创‘芯’纪元”，ALSI LASER1206精准响应专注于先进封装的半导体企业日益增长的需求，为人工智能、智能出行等高增长市场提供解决方案。该全新系统搭载专利多光束激光加工技术，可实现膜框与裸晶圆全自动化处理，进一步丰富公司产品线，并重点聚焦前道工艺领域。
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英飞凌新推出一款12位数字电流监测IC XDM700-1，提供高精度传感与报告功能
【2026年3月27日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)进一步扩展其XDP™保护与监测产品组合，推出新产品XDM700-1。XDM700-1是一款适用于高/低侧电流及电压传感的系统监测与报告集成电路(IC)，输入电压最高达80 V。该产品基于XDP7xx保护技术平台打造，提供精准的实时测量、监测、报告功能，是AI服务器等多种应用的关键组件。
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奥芯明推出最新款引线键合机AERO PRO 推动先进封装互联能力升级
2026年3月25日，中国上海——3月25日至27日，中国半导体行业年度盛会SEMICON China 2026上，半导体与电子制造软硬件领军企业ASMPT与其子品牌奥芯明隆重推出最新款引线键合机AERO PRO。该设备专为高密度应用打造，兼具高速与高精度特性，可对直径小至0.5 密耳的超细引线实现卓越的键合精度与灵活性。AERO PRO搭载实时监测与预测性维护功能，可优化设备性能，并无缝融入智能制造环境。
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Molex 莫仕推出 145 GHz Cardinal 多端口高频同轴组件，为 AI 和 6G 测试树立新标杆
伊利诺伊州莱尔市 – 2026年3月25日 – 全球电子设备领军企业暨连接技术创新企业 Molex莫仕推出 Cardinal 多端口高频同轴组件，为测试和测量 (T&M) 树立行业标杆。该产品支持高达 145 GHz 的频率，标志着 Cardinal 家族的战略性扩展，其成熟可靠的机械完整性进一步进化，现已满足高带宽频谱需求，可用于验证下一代 AI 驱动的架构及 6G 无线基础设施。
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Microchip推出车规级系统封装(SiP)混合型单片机SAM9X75 专为汽车及电动出行人机界面(HMI)应用而打造
具备MPU处理性能，同时支持传统MCU开发环境
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达尼森推出高精度钳位式直流和交流电流传感器
具有高精度、卓越的相位偏移性能与高频带宽
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Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 标准车规级半屏蔽功率电感
全新 SRN3010BTA-330M 型号具备高感值，可优化电路性能，并采用底部焊接引线设计以提升可靠性。
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Same Sky推出新的面板安装按钮开关
俄勒冈州奥斯韦戈湖2026年3月24日消息——Same Sky开关集团今天宣布，其按钮开关产品线增加了面板安装按钮开关。PB2、PB3、PB4和PB5系列提供瞬时或维护版本、SPST或SPST-NO电路类型以及关断或关断(开)开关功能。所有型号的标准防护等级均为IP67，使其能够抵抗恶劣工业应用中的水分和污染物等。
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Vishay新款光电晶体管光耦合器提高工业应用的精度和能效
这些器件结合了高线性电流传输比(CTR)和0.5 mA的低正向电流，支持高达+125 °C的工作温度，提供了四种封装选择
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是德科技推出220GHz光波器件分析仪，支持验证新一代光收发器
新一代光波器件分析仪加速1.6/3.2Tb/s光收发器元件设计与验证，推动新一代高速光互连技术发展
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Vishay推出获AEC-Q200认证的超小尺寸厚膜贴片式电阻
在汽车、工业和通信应用中，这些器件可节省空间，同时保持高可靠性
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瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关，标志着功率转换设计规范的重大变革
2026 年 3 月 23 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布，推出业界首款采用耗尽型(d-mode)氮化镓(GaN)技术的双向开关——TP65B110HRU：该产品能够在单一器件中阻断正负电流的功能。该款器件主要应用于单级太阳能微型逆变器、人工智能(AI)数据中心和电动汽车车载充电器等系统，可大幅简化功率转换器设计，以单个低损耗、高速开关且易驱动的产品替代传统背靠背FET开关。
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Cadence 推出专为新一代语音 AI 与音频应用打造的 Tensilica HiFi iQ DSP
第六代 HiFi DSP 为基于语音的 AI 应用和最新沉浸式音频格式带来更出色的性能与能效表现
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Vishay推出标准厚膜片式电阻，兼具耐硫性能和长期稳定性
器件符合AEC-Q200标准，五种紧凑型封装可供选择，适用于汽车、工业和通信领域
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