当前位置:首页 > 电源 > 功率器件
[导读]日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。在种类繁多的便携式设备中,20V的P沟道S

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。

在种类繁多的便携式设备中,20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。器件的小尺寸和薄厚度有助于减少电源管理电路所占用的空间,以及/或是实现更多的功能。与市场上尺寸与之最接近的芯片级功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。

在4.5V栅极驱动下,Si8461DB的导通电阻为0.1Ω,比非芯片级器件提高了10倍,而且具有相近的占位尺寸,为节约便携设备中的电池能量提供了极大帮助。除4.5V的电压等级,Si8461DB还确定了在2.5V、1.8V和1.5V电压时的最大导通电阻,导通电阻与采用便携式系统中常见的更小输入信号的设备相匹配。对于充电开关等需要更高输入电压的应用,Si8465DB具有12V的栅源电压,在4.5V和2.5V栅极驱动时的导通电阻分别为0.104Ω和0.148Ω。

Si8461DB和Si8465DB现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十周至十二周。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

由于米勒电容阻止了Vgs的上升,从而也就阻止了Vds的下降,这样就会使损耗的时间加长。(Vgs上升,则导通电阻下降,从而Vds下降)。

关键字: MOS管 米勒效应 导通电阻

1200 V器件采用SMD-7封装,性能领先同类产品

关键字: SiC MOSFET 分立器件

新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序,将开关损耗降至最低,并增强dV/dt抗扰性能

关键字: 栅极驱动器 SiC MOSFET

DrMOS,全称Driver-MOSFET,是一种由Intel在2004年推出的高效节能技术。它通过将MOSFET和MOS驱动器集成到同一封装中,实现了尺寸和功效的优化。

关键字: 全桥 驱动芯片 MOSFET

【2024年4月15日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。...

关键字: MOSFET 导通电阻 电动汽车

【2024年4月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出...

关键字: MOSFET DCDC转换器 无刷直流驱动器

门驱动器,作为电力电子技术中的关键组件,是连接控制系统与功率半导体器件之间的重要桥梁。它的主要功能是将微控制器或控制电路发出的低电平控制信号转化为能够驱动大功率半导体器件(如绝缘栅双极型晶体管IGBT、金属氧化物半导体场...

关键字: 门驱动器 MOSFET

在电子科技日新月异的今天,各类电子元器件的性能和参数成为了研究和应用的关键。其中,2N7002作为一种广泛应用的N沟道MOSFET,其导通电压是众多工程师和技术人员关注的焦点。那么,2N7002的导通电压究竟是多少?它又...

关键字: MOSFET 电子元器件 2n7002

MOSFET是一种场效应晶体管(FET),全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

关键字: MOSFET 电子元件 场效应晶体管

美国威世(Vishay)是世界知名综合性分立式电子元件大厂,其中Vishay的高压陶瓷电容和日本村田高压电容,享有盛名。

关键字: Vishay 电容
关闭
关闭