美高森美和Analog在可扩展碳化硅MOSFET驱动器解决方案领域展开合作 以加快客户设计和上市速度　

美高森美公司(Microsemi Corporation) 和Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案，其基础为美高森美的一系列碳化硅MOSFET产品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔离栅极驱动器。这款双碳化硅MOSFET驱动器参考设计提供用户友好的设计指南，并通过使用美高森美的碳化硅MOSFET缩短客户上市时间，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET过渡。

新的参考设计为客户提供高度隔离的碳化硅MOSFET双栅极驱动开关，以便通过多个拓扑来评估碳化硅MOSFET。这包括为支持同步死区时间保护的半桥开关和无保护异步信号传输而优化的模式。通过配置，它也可以提供并行驱动以满足研究非钳位感应开关(UIS) 或双脉冲测试的要求。该参考设计专为美高森美的碳化硅MOSFET分立器件和模块而开发，是用于评估其SiC器件产品组合的工程工具。其电路板支持修改栅极电阻值，以容纳大部分美高森美分立器件和模块。

美高森美的战略营销经理Jason Chiang说：“双碳化硅MOSFET驱动器参考设计不仅使美高森美的客户能够加快产品开发工作，它也可以配合我们的下一代碳化硅MOSFET的推出，以确保最终用户的顺利过渡。重视功率电子器件的整体设计的客户，可利用我们的新型碳化硅驱动器解决方案为其设计选择最佳的驱动器和元件，并能够根据其特定碳化硅MOSFET需求进行扩展。”

双碳化硅MOSFET驱动器参考设计非常适合各种终端市场和应用，包括航空航天(致动、空调和配电)、汽车(混合动力/电动汽车传动系统、电动汽车电池充电器、直流-直流变换器)、国防(电源和高功率马达驱动)、工业(光伏逆变器、马达驱动器、焊接、不间断电源、开关模式电源、感应加热和石油钻探)以及医疗(MRI和X射线电源)。

Analog Devices公司与美高森美展开合作，是组成加速生态系统的一部分，目标是为最终用户缩短投向市场的时间，以及加快生态系统参与者获得收益。美高森美的加速生态系统汇集了领先的硅、知识产权(IP)、系统、软件和设计专家，为最终客户提供经过验证的电路板和系统级解决方案。

碳化硅产品具备多种优势，包括更高的系统效率，在相同的物理尺寸下将功率输出提高了25至50%，以及在更高的开关频率下实现高于绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)的效率，减小了系统尺寸和重量，增强了过温时的运行稳定性(+175℃)并显着降低了冷却成本。

据市场调研公司YoleDéveloppement的估计，碳化硅功率器件市场份额将于2021年超过5.5亿美元，其中，2015至2021年的复合年增长率(CAGR)为19%。该公司也描述了碳化硅的优势如何影响新产品的开发和碳化硅技术。凭借动态性能和热性能优于传统硅功率MOSFET的碳化硅MOSFET产品及其他优势，美高森美为配合这些趋势做好了充分准备。通过将Analog Device公司的ADuM4135隔离碳化硅驱动器解决方案与美高森美的MSCSICMDD/REF1碳化硅MOSFET驱动程序参考设计相结合，可进一步增强美高森美满足客户产品开发需求的能力。

Analog Devices公司的隔离栅极驱动器具备DESAT和众多其他保护功能，可提供强大的栅极驱动能力(6A)以及可靠的电气隔离，这对在高压功率转换系统中实现长使用寿命和安全操作至关重要。Analog Devices公司的隔离栅极驱动器产品组合为设计人员提供了优于采用光电耦合元件或脉冲变压器设计的性能与可靠性。借助Analog Devices公司经过验证的iCoupler®技术，隔离栅极驱动器系列为支持宽禁带器件(尤其是碳化硅MOSFETS)的高电压和高开关速度应用提供了许多关键优势。这包括不足50 ns的出色传播延迟以及小于5ns的通道间匹配，高于100KV/us的共模瞬变免疫能力(CMTI)，以及在单个包装中支持高达1500V DC的使用期工作电压。

供货

包括评估板的双碳化硅SiC驱动器参考设计(MSCSICMDD/REF1)现已可供订购。