英飞凌首款全碳化硅模块开始批量生产，并在PCIM上推出CoolSiC™家族新产品

效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。

在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。基于这些平台英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。

英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它已可用于不少应用中。不过，为了让这一新的半导体技术成为可以依靠的革命性技术，需要英飞凌这样的合作伙伴。针对应用量身定制产品、我们的生产能力、综合技术实力和对应用系统的全面了解：这四大优势使我们成为功率半导体市场的领导者。依托英飞凌碳化硅产品系列，我们希望并且能够达成这一目标。”

全新1200V碳化硅MOSFET已进行优化，同时具备高可靠性与性能优势。其动态功率损耗要比1200V硅(Si)IGBT低一个数量级。首批产品将主推光伏逆变器、不间断电源(UPS)和充电/储电系统等应用市场。不久的将来推出的新型号，也将为打造适用于工业变频器、医疗设备或铁路设备辅助电源的革命性解决方案创造条件。

1200V SiC MOSEFT采用的沟槽栅技术的一大优势在于持久的坚固耐用性。这是由于其具备较低的菲特率(FIT)和承受短路能力，可适应不同的应用。得益于4 V的阈值电压(Vth)和+15 V的推荐栅极驱动电压(VGS))，这些SIC MOSFET可以采用IGBT一样驱动控制，在发生故障时得以安全关断。碳化硅MOSFET可以实现高速开关，但英飞凌碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度，因此，可以轻松优化EMC性能。

早在去年，英飞凌就已推出主导产品EASY 1B(半桥/Booster)以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin产品。EASY 1B平台十分成熟，是实现快速开关器件的理想模块平台。在今年的PCIM展会上，英飞凌展出了基于1200 V SiC MOSFET技术的其他模块平台和拓扑。它们将逐步扩大CoolSiC MOSFET的性能范围。英飞凌展出的碳化硅模块包括：

• 采用B6(Six-Pack)拓扑的EASY1B：该模块的特点是成熟的英飞凌模块配置，导通电阻(RDS(ON))仅45 mΩ。集成的体二极管确保低损耗续流功能。该EASY 1B适用于传动、太阳能或焊接技术领域的应用。

• 采用半桥拓扑的EASY2B：这个较大的EASY器件，其性能增强，每个开关的RDS(ON)为8 mΩ。低电感模块概念是功率超过50 kW和快速开关应用的理想选择，比如太阳能逆变器、快速充电系统或不间断电源解决方案等。

• 采用半桥拓扑的62 mm：附加的半桥配置，具备更大功率，每个开关功能的RDS(ON)为6 mΩ。该模块平台为中等功率范围系统实现低电感连接创造了条件。这一特性适合诸多应用，包括医疗设备或铁路设备的辅助电源等。由于有大量潜在应用，英飞凌预计该模块将迅速普及。