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  • 传富士康正在筹建12英寸芯片厂，定位珠海

    代工手机制造的富士康也要进军芯片行业了，是要效仿台积电吗? 富士康欲染指大陆芯片制造业的野心渐渐显现。据报道，富士康已经与珠海政府签订了一项协议，富士康将在珠海地区兴建一间12英寸芯片厂，总投资额90亿美金。据日经报道，这一大笔投资将由珠海市政府通过政府补贴及减税的方式进行投资补偿。这间12英寸芯片厂项目预计2020年启建。 这间芯片厂未来将主要用于生产UHD电视用芯片，图像传感器以及其它各种传感器芯片。工厂的终极目标是制造机器人及汽车用高级芯片产品。 富士康拒绝就此报道进行任何评论。 此前台湾岛内芯片业界普遍猜测富士康正在筹建12英寸芯片厂。过去富士康意图收购东芝的存储芯片部门但终告失败，不过这次事件并没有熄灭他们图谋涉足芯片制造业的野心。   富士康主席郭台铭曾表示将采取措施增强富士康在半导体制造领域的发展。公司设立了新的集团以便整合公司的半导体制造资源，还委派了原属夏普的Young Liu担任该集团的领导。 富士康旗下目前与芯片有关的企业包括半导体制造设备供应商京鼎精密科技(股)公司(Foxsemicon Integrated Technology)，封装测试供应商訊芯科技(Shunsin Technology)，芯片设计公司天鈺科技(Fitipower Integrated Technology Inc.)，芯片设计服务提供商虹晶科技(Socle Technology),除此以外，富士康旗下还有一条原属夏普Fab4的8英寸芯片产线。 市场观察人士认为，富士康与珠海政府的这项计划折射出中国政府增强半导体产品自给自足能力的急迫心理。拥有政府资金支持的富士康将帮助中国政府增强其半导体产品的自给自足能力。 根据“中国制造2025”计划，到2020年，大陆自产半导体产品的国内市场需求率将达到40%，到2025年则要达到70%，因此扩展芯片制造产能便成为一项当务之急。 尽管拥有大陆政府的财政支持，但富士康仍不得不面对包括人才紧缺等方面的许多挑战， 另一方面，近期包括台积电，联电在内的代工厂12英寸产能利用率均普遍低于预期。加上还有许多新12英寸厂(特别是大陆地区)都计划在不久的将来投入使用，这样预计未来几年内12英寸厂的总产出量还会进一步攀升(利用率低的问题还会进一步发酵?)。

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  • Soitec 2019上半年财报强劲增长 FD-SOI技术迎来发展的春天

    SOI (Silicon-On-Insulator绝缘体上硅)是一种用于集成电路制造的新型原材料，替代目前大量应用的体硅(Bulk Silicon) 。作为一种全介质隔离技术，SOI 材料研究已有 20 多年的历史。 在22nm工艺以下，FinFET的成本优势不再明显，而FD-SOI(Fully Depleted-Silicon-On-Insulator，薄膜全耗尽绝缘衬底上的硅)则提供了一个理想的替代方案。与体硅材料相比，FD-SOI具有如下优点：1、减小了寄生电容，提高了运行速度;2、由于减少了寄生电容，降低了漏电，具有更低的功耗;3、消除了闩锁效应;4、抑制了衬底的脉冲电流干扰，减少了软错误的发生;5、与现有硅工艺兼容，还可减少工序。 而在RF-SOI方面，得益于优异的性价比优势，RF-SOI技术已广泛应用于智能手机、WiFi等无线通讯领域，国际上用于手机的射频器件，大部分也已经从化合物半导体技术升级到RF-SOI技术。 预计到2022年，SOI 市场将实现29%的年复合增长率，产业规模达到18亿美元。 最近，全球领先的创新半导体材料设计制造商Soitec公布了其2019财年上半年的业绩(截至2018年9月30日)。该财务报表显示，Soitec实现了强劲营业收入增长。 众所周知，Soitec是一家来自法国的知名绝缘硅(SOI)晶圆制造商，已实现FD-SOI基板的高良率成熟量产，其300mm晶圆厂能够支持28nm、22nm及更为先进的节点上大规模采用FD-SOI技术。 随着FD-SOI技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注，Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展，从其最新的财务报表即可见一斑。 其财报显示，19财年上半年的合并销售额为1.869亿欧元，较上一财年增长31%。19财年上半年毛利润达到6,610万欧元，高于18财年上半年的4,630万欧元。 Soitec首席执行官Paul Boudre评论道：“今年上半年，我们实现了强劲的营业收入增长，盈利能力进一步提高，与全年财测一致。经营现金流盈余和适时发行的可转换债券使我们能够为高水平的资本支出提供资金、偿还信贷额度，并以强劲的现金状况完成上半年工作。 Soitec预计， 19财年的销售额增长有望超过35%。预计RF-SOI(200-mm)和Power-SOI(200-mm)的需求稳定，同时，伴随FD-SOI和300-mm RF-SOI晶圆销量的进一步增长，预计19财年下半年Soitec的300-mm业务持续增长。(文/wly)

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  • 国产5nm刻蚀机通过验证，将用于台积电5nm芯片制造

    近日，台积电对外宣布，将在2019年第二季度进行5nm制程风险试产，预计2020年量产。与此同时，中微半导体也透露了一个重磅消息，其自主研发的5nm等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5nm制程生产线。 值得一提的是，中微半导体也是唯一进入台积电7nm制程蚀刻设备的大陆本土设备商。据悉，中微半导体与台积电在28nm制程时便已开始合作，并一直延续到10nm和7nm制程。 而中微半导体如此亮眼成绩的背后，离不开尹志尧和他团队的多年努力。 他放弃国外百万年薪工作，只为一颗“中国芯” 研究显示，2015-2020年中国半导体芯片产业投资额将达到650亿美元，其中芯片制造设备投资额就将达到500亿美元。但是中国芯片制造设备的95%都是依赖于进口，也就是说需要花480亿到国外购买设备。这也使得中国芯片制造设备的国产化成为了一件非常迫切的事情。 在美国硅谷从事半导体行业20多年的尹志尧，其在世界最大的半导体设备企业——美国应用材料公司担任总公司副总裁，曾被誉为“硅谷最有成就的华人之一”，参与了美国几代等离子体刻蚀机的研发，拥有60多项技术专利。   2004年，当时已经60岁的尹志尧放弃了美国的百万年薪，带领三十多人的团队，冲破美国政府的层层审查(所有人都承诺不把美国的技术带回中国，包括所有工艺配方、设计图纸，一切从零开始)，回国创办了中微半导体，他要在芯片制造设备领域与国际巨头直接竞争，取得一席之地。 成功打破国外垄断 等离子体刻蚀机是芯片制造环节的一种关键设备，其是在芯片上进行微观雕刻，刻出又细又深的接触孔或者线条，每个线条和深孔的加工精度是头发丝直径的几千分之一到上万分之一。这对刻蚀机的控制精度要求非常高。   据介绍，一个16nm的微观逻辑器件有60多层微观结构，要经过1000多个工艺步骤，要攻克上万个技术细节才能加工出来。只看等离子体刻蚀这个关键步骤，它的加工尺度为普通人头发丝的五千分之一，加工的精度和重复性要达到五万分之一。足见难度之高。 长期以来，蚀刻机的核心技术一直被国外厂商所垄断。2004年尹志尧回国创办中微半导体之初就将目光锁定在了刻蚀机领域。 中微半导体在刚刚涉足IC芯片介质刻蚀设备时，就推出了65nm等离子介质刻蚀机产品，随着技术的进步一直做到45nm、32nm、28nm、16nm、10nm，现在7nm的刻蚀机产品已经在客户的生产线上运行了，5nm刻蚀机也即将被台积电采用。 “在米粒上刻字的微雕技艺上，一般能刻200个字已经是极限，而我们的等离子刻蚀机在芯片上的加工工艺，相当于可以在米粒上刻10亿个字的水平。”中微半导体CEO尹志尧曾这样形容到。 经过多年的努力，中微半导体用实力打破了这一领域技术封锁，成功让中国正式跻身刻蚀机国际第一梯队。   中微半导体首席专家、副总裁倪图强博士表示，刻蚀机曾是一些发达国家的出口管制产品，但近年来，这种高端装备在出口管制名单上消失了。这说明如果我们突破了“卡脖子”技术，出口限制就会不复存在。如今，中微与泛林、应用材料、东京电子、日立4家美日企业一起，组成了国际第一梯队，为7nm芯片生产线供应刻蚀机。 (芯智讯注：美国商务部在2015年宣布，由于在中国已有一个非美国的设备公司做出了和美国设备公司有相同质量和相当数量的等离子体刻蚀机，所以取消了对中国的刻蚀机的出口管制。) 他还表示，明年台积电将率先进入5nm制程，已通过验证的国产5nm刻蚀机，预计会获得比7nm生产线更大的市场份额。 值得一提的是，2016年，中微半导体获得国家集成电路产业基金(大基金)4.8 亿元的投资，成功成为中国芯片制造领域的国家队。而这也凸显了国家对于中微半导体在中国半导体设备领域的贡献和地位的认可。 面对国外竞争对手挑衅，屡战屡胜 或许正是由于中微半导体在半导体设备领域的突飞猛进，也引来了国外竞争对手挑起的知识产权诉讼。 首先发难的是尹志尧的老东家——美国应用材料公司，2007年之时，美国应用材料公司就起诉中微半导体侵权，但却始终举证无力(尹志尧及其团队成员在离开美国时并未带走任何工艺配方、设计图纸，后续的产品设计也避开了对方的专利)，中微半导体则抓住机会适时反诉对方不正当竞争，应用材料公司显然对这一情况准备不足，最终不得不撤诉求和。 2009年，另一巨头美国科林研发又在台湾起诉中微侵犯其发明专利，中微半导体则积极应对，提供其专利无效的证据，在法院的两次审判中科林的相关专利均被判决无效，第三次台湾“智慧财产局”甚至审定撤销了科林的其中一项专利权，紧接着科林又对“智慧财产局”的审定提出行政诉讼，再次遭到驳回。 2016年，中微半导体在接受媒体采访时，也详细介绍了其应对美国行业巨头5年侵犯商业秘密和专利权缠诉，终获“一撤诉四连胜”的成功经历。 当时，中微半导体公司资深知识产权总监姜银鑫就表示，“中微在知识产权方面相当谨慎，于公司建立初期便成立了专门的知识产权团队，未雨绸缪，针对潜在的知识产权纠纷可能性做了大量的分析排查。在部分海归研发团队核心成员回国加入之前，中微便已经让他们签订了不从原单位带来技术机密的承诺书”。 2017年11月初，美国MOCVD(金属有机化合物气相沉积设备)设备厂Veeco宣布，美国纽约东区地方法院同意了其针对SGL Carbon，LLC(SGL)的一项初步禁令请求，禁止SGL出售采用Veeco专利技术的MOCVD使用的晶圆承载器(即石墨盘)，包括专为中国MOCVD设备商中微半导体设计的石墨盘。Veeco此举针对的正是中微半导体。 对此，中微半导体一方面积极发展第二和第三渠道的供应商;另一方面则在中国对Veeco提起专利侵权诉讼。 中微半导体披露，其于2017年7月向福建高院正式起诉 Veeco上海，指控其TurboDisk EPIK 700型号的MOCVD设备侵犯了中微的基片托盘同步锁定的中国专利，要求其停止侵权并主张上亿元侵权损害赔偿。在中微半导体起诉后，Veeco上海对该中微半导体专利向国家知识产权局专利复审委(简称“专利复审委”)提起无效宣告请求。 同年11月24日，专利复审委于作出审查决定，否决了Veeco上海关于中微半导体专利无效的申请，确认中微半导体起诉Veeco上海专利侵权的涉案专利为有效专利。 2017年12月8日，福建省高级人民法院同意了中微半导体针对Veeco上海的禁令申请，该禁令禁止Veeco上海进口、制造、向任何第三方销售或许诺销售侵犯中微第CN 202492576号专利的任何化学气相沉积装置和用于该等装置的基片托盘。该禁令立即生效执行，不可上诉。 中微半导体对于Veeco上海的胜诉，成功打击了Veeco妄图通过专利战打击中微半导体的企图。 “中微在过去11年轮番受到美国设备大公司的法律诉讼，但我们由于有坚固的知识产权防线，完全遵守美国和各国知识产权法律，一直处于不败之地。”今年7月，尹志尧在接受“观察者网”采访时这样说到。 坚持自主创新，专利超800件 而在面对国外竞争对手的挑衅，屡屡获胜的背后，则是中微半导体长期以来坚持自主研发所获得的过硬的自主技术专利。 据了解，目前中微的反应台交付量已突破582台;单反应台等离子体刻蚀设备已交付韩国领先的存储器制造商;双反应台介质刻蚀除胶一体机研制成功，这是业界首次将双反应台介质等离子体刻蚀和光刻胶除胶反应腔整合在同一个平台上。 同时，中微一些基础的研发也不断地跟进尖端技术，以保证产品的研发能够紧紧跟上甚至领先于国际上的技术发展水平。 中微半导体首席专家、副总裁也表示，刻蚀尺寸的大小还与芯片温度有一一对应关系，中微自主研发的部件使刻蚀过程的温控精度保持在0.75摄氏度内，达到国际领先水平。 气体喷淋盘是刻蚀机的核心部件之一，中微半导体联合国内其他科技公司开发出了一套创新工艺，用这套工艺制造的金属陶瓷，其晶粒十分精细、致密。与进口喷淋盘相比，国产陶瓷镀膜的喷淋盘使用寿命延长一倍，造价却不到五分之一。 正是由于在刻蚀机及相关领域的不断突破和创新，也使得中微半导体在刻蚀机市场份额快速增长。 资料显示，截至2017年8月，中微已有500多个介质刻蚀反应台，并在海内外 27 条生产线上生产了约 4000 多万片晶圆;同时，中微还开发了 12 英寸的电感型等离子体 ICP 刻蚀机;此外，中微还开发了 8 英寸和 12 英寸 TSV 硅通孔刻蚀设备，不仅占有约50%的国内市场，而且已进入台湾、新加坡、日本和欧洲市场，尤其在 MEMS 领域拥有意法半导体(ST)、博世半导体(BOSCH) 等国际大客户。 而在专利方面，中微半导体共申请了超过800件相关专利，其中绝大部分是发明专利，并且有一半以上已获授权。 目前尹志尧的团队精英中，上百人都曾是美国和世界一流的芯片和设备企业的技术骨干，大都有着20到30多年半导体设备研发制造的经验。而且这些工程师们必须有着物理、化学、机械、工程技术等50多种专业知识背景。 今年4月，中微半导体 CEO 尹志尧在公开合表示，目前中微半导体在全球各地已经建置共计 582 台刻蚀反应台，并预期今年将增长至 770 台。目前中微半导体产品已经进入第三代 10nm、7nm 工艺，并进入晶圆厂验证生产阶段，即将进入下一世代 5nm、甚至 3.5 nm 工艺。 尹志尧表示，未来十年将持续开发新产品，扩大市场占有率，中微的目标是：2020 年 20 亿元、2050 年 50 亿元，并进入国际五强半导体设备公司。 5nm刻蚀机意味着什么? 不过，需要注意的是中微半导体5nm刻蚀机的研发成功和获得台积电采用，并不代表着中国大陆就可以自己生产5nm工艺芯片了。因为芯片的生产工艺非常的复杂，刻蚀只是众多关键环节当中的一环。   但是，很多自媒体为了吸引眼球，却往往故意夸大事实，以点概面，以5nm刻蚀机这一个环节上的突破，就大肆宣扬“中国已打破国外垄断，掌握5nm技术”、“中国已可以制造5nm芯片”。 在去年尹志尧在接受央视媒体采访曾表示，“国际上最先进的芯片生产公司像英特尔、台积电、三星，它们的14nm已经成熟生产了，10nm和7nm很快进入生产，所以我们必须超前，5nm今年年底基本上就要定了，现在进展特别快，几乎一年两年就一代，所以我们就赶得非常紧。” 显然，尹志尧在视频中所指的5nm是指的5nm的刻蚀机。但是，随后这段采访就被一大波媒体断章取义，不顾事实的大肆吹嘘。搞得尹志尧不得不在朋友圈发文辟谣：“中微不是制造芯片的，只是为芯片厂提供设备”。“如此堕落的文风误国误民，给真正埋头苦干的科学家和工程师添堵添乱添麻烦。” 尹志尧今年在接受采访时再次强调：“宣传要实事求是，不要夸大，更不要为吸引眼球，无中生有，无限上纲。说我们的刻蚀机可以加工5纳米器件，也只是100多个刻蚀步骤中的几步。” 确实，正如我们前面所说，刻蚀只是芯片制造众多关键环节当中的一环，在先进制程的刻蚀设备领域取得突破虽然可喜，但是在其他如光刻机等领域，中国仍处于严重落后。目前国内进展最快的上海微电子也只是实现了 90nm 光刻机的国产化。 当然，我们也不能妄自菲薄，除了中微半导体之外，不少国产半导体设备厂商也在一些相关领域的先进制程设备上取得了突破。比如，在14nm 领域，硅/金属刻蚀机(北方华创)、薄膜沉积设备(北方华创)、单片退火设备(北方华创)和清洗设备(上海盛美)已经开发成功，正在客户端进行验证。 相信随着国产半导体设计及设备厂商的努力，以及中国半导体市场的需求快速增长的拉动，中国芯将会越来越强大。

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  • 超越韩国 中国成全球最大半导体设备市场

    据中国半导体设备市场规模不断扩大，已超过了韩国，成为全球最大市场。 韩国亚洲日报12月5日报道，最新数据显示，中国首次超越韩国成为全球最大半导体设备市场。据国际半导体设备与材料协会(SEMI)5日消息，今年三季度韩国半导体设备出货规模为34.5亿(1美元约合6.87元人民币)美元，环比减少29%，同比减少31%。这是韩国自2016年1季度(16.8亿美元)以后设备出货规模首次出现下滑。半导体设备市场是反映半导体行业的先导指标，有分析认为，此番半导体设备出货规模减少意味着韩国半导体产业亮起红灯。 韩国2016年三季度以后半导体设备出货规模激增。由于DRAM和闪存芯片市场前景良好，三星电子和SK海力士一直在积极扩建生产线。2017年一季度，韩国半导体设备出货金额达到35.3亿美元，首次超越中国台湾(34.8亿美元)，成为全球最大的半导体设备市场。2018年一季度，韩国半导体设备市场规模创历史新高，达到62.6亿美元，此后出现下滑，二季度仅为48.6亿美元，三季度韩国拱手让出蝉联6个季度的首位，半导体设备市场规模仅为34.5亿美元，屈居第二。 半导体业界有关人士表示，今年上半年芯片市场形势良好，但是进入下半年需求减少，市场景气下滑，加之三星电子、SK海力士调整投资计划，整体设备市场规模有所减小。 中国半导体设备市场规模不断扩大。三季度中国半导体设备市场规模为39.8亿美元，环比增长5%，同比增长106%，成为全球最大半导体设备市场。2017年三季度时，中国半导体设备市场规模还仅仅只有19.3亿美元，当时仅为韩国市场规模的五分之二，短短一年，中国便实现反超，市场规模扩大了两倍。 中国半导体市场近几年快速发展，越来越多的公司也表达了进入芯片领域的兴趣。以存储芯片为例，以前中国国内存储芯片完全靠进口，今年福建晋华集成电路的内存生产线有望投产，另外长江存储科技公司也在建设内存和闪存芯片生产线。格力、康佳等传统家电企业也表示，将进入芯片领域。 据国际半导体设备与材料协会报告显示，中国目前正在北京、天津、西安、上海等16个地区打造25个FAB建设项目，福建晋华集成电路、长江存储科技公司等企业技术水平虽不及韩国，但均已投入芯片量产。报告预测，今年中国半导体设备市场规模有望达118亿美元，同比实现43.9%的增长，明年市场规模有望扩大至173亿美元，增长46.6%，成为全球第一大市场。而同一时期内韩国的半导体设备市场规模从179.6亿美元减少至163亿美元，减幅为9.2%。 中国这几年快速上马了多个半导体晶圆生产厂，量产在即，对设备的需求自然快速增长。

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  • MOSFET酝酿下一波涨价 DRAM跌幅却持续加大

    MOSFET的缺货从2016年下半年就已经开始，一直持续到现在。到了2018年，MOSFET产能继续大缺，下半年出现缺货潮，ODM/OEM厂及系统厂客户抢产能，台厂大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季订单全满，接单能见度直至年底，正酝酿下一波价格调涨。 据了解，MOSFET的这波涨价主要由于上游晶圆代工厂产能有限，加之需求市场火爆，引发缺货潮。业界预料以目前MOSFET缺货情况判断，供给吃紧可能持续至2019年上半年。这其中，汽车及工业应用对MOSFET需求上涨是一方面推手，另一方面，大型企业重新聚焦于更高端、毛利率更高的产品，如汽车及工业应用的IGBT、碳化硅MOSFET、超接面MOSFET，使得通用MOSFET与IGBT的交期增加至6个月以上，这为MOSFET的供应紧张更加了一把火。   另外，据12.3日消息，G20峰会之后，中美贸易紧张情势趋缓，晶圆与MOSFET在市场持续供不应求，缺货情况继续发酵，再度成为资金追逐焦点，激励晶圆和MOSFET的股价上涨。 晶圆厂环球晶透露，至9月底预收款高达220亿元新台币，较第2季增加88亿元新台币，并创下历史新高纪录，显示客户需求强劲。环球晶预期，明年平均单价将高于目前水平，2020年报价将持平或小幅上扬。MOSFET厂杰力预期，明年上半年MOSFET市场仍将维持供不应求热况，产品还有涨价空间。 与此形成鲜明对比的是，前一段时间不断涨价的DRAM开始走下坡路了! 据集邦咨询的最新报告，第四季DRAM合约价二次下修，2019年第一季跌幅持续扩大。 报告中指出，今年第四季DRAM价格正式反转向下，11月合约价甚至出现二次下修的状况，以目前成交方式来看，已有部分比重的合约价改以月(monthly deal)方式进行议价，显示买方对于DRAM价格后势看法悲观，预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。 以今年11月来看，4GB与8GB的价格除了高价仍有维持之外，在中低价都已调降，主流模组4GB的均价较10月的31美元滑落至30美元，跌幅3.2%;8GB亦同，均价由上个月的61美元滑落至60美元，跌幅1.6%。 观察今年第四季DRAM平均销售单价有近8%的跌幅，其中以标准型存储器、服务器存储器与利基型存储器为最，季跌幅都接近10%;而行动式存储器由于先前缺货时涨价幅度较小，因此第四季的跌幅相对较小，仅约5%。 展望明年第一季，DRAMeXchange指出，供给面较2018年第四季持续增加，主要来自于1Ynm制程良率持续改善、投入比重持续增加，以及三星平泽厂在今年第四季的持续增产;而每年首季都是传统需求淡季，加上2019年第一季智能手机的出货力道恐怕较往年更为疲弱，恐将造成行动式存储器价格跌幅扩大。从整体DRAM价格来看，明年第一季跌幅较今年第四季更为显著恐怕是不可避免的状况。 供给增加、需求更趋弱化，DRAM整体市况将持续走弱，看来短期内，DRAM是逃不脱跌跌不休的命运了。

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  • 历史性突破 ISSCC 2019审稿会上 中国图像传感器企业论文首次入选

    刚刚结束审稿的旧金山国际固态电路会议ISSCC 2019，中国获得了历史性的突破，共有九篇论文入选。其中，由思特威(SmartSens)所提交的其在图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)领域的最新研究成果(论文)《A Stacked Global-Shutter CMOS Imager with SC-Type Hybrid-GS Pixel and Self-Knee Point Calibration Single-Frame HDR and On-Chip Binarization Algorithm for Smart Vision Applications》被旧金山国际固态电路会议ISSCC 2019收录。(其余论文分别来自清华大学、复旦大学、上海交大等中国知名院校及ADI中国) 该项研究成果(论文)是国际固态电路会议ISSCC首次收录来自中国图像传感器企业的技术成果!这一重要突破不但表明思特威在CIS技术领域的研究成果获得了全球学术界及产业界的最高认可，更是中国优秀半导体企业在CIS领域取得的里程碑式成就。 国际固态电路会议IEEE ISSCC(International Solid-State Circuits Conference简称ISSCC)，是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议。这一始于1953年的行业顶级大会，历史上曾成为多项集成电路里程碑式发明的首次披露场合。由于国际固态电路会议在国际学术、产业界受到极大关注，因此被称为集成电路行业的奥林匹克大会。每年吸引了超过3000名来自世界各地工业界和学术界的参加者。 在国际固态电路会议(ISSCC)举行的六十年中曾为许多“世界第一”的研究成果提供了展现的舞台，很多集成电路发展中里程碑式的发明都是在该会议上首次披露，如世界上第一个集成模拟放大器电路(1968年),世界上第一个8-bit microprocessor (1974年), 世界上第一个32-bit microprocessor (1981年), 世界上第一个1Gb的DRAM (1995年), 世界上第一个GHz的微处理器 (2002), 世界上第一个多核处理器 (2005年)等等。 作为此次突破性被收录的学术成果(论文)的重要作者、思特威首席技术官莫要武博士表示：“我们很高兴能够获得旧金山国际固态电路会议(ISSCC)的认可，并收录我们在CIS领域最新的研究成果(论文)。这一成功离不开我们技术研发团队的不懈努力，以及思特威在技术研发领域的巨大投入。CIS领域曾经长期为美国、日本厂商所垄断，而思特威自成立之初，便希望通过技术革新与突破让CIS市场能够听到‘中国声音’，让中国力量成为全球CIS技术发展的主要推动力之一。” 旧金山国际固态电路会议ISSCC 2019将于2019年2月17日至21日在美国旧金山举办，届时思特威将在现场发表本次获收录的研究成果(论文)。特别值得一提的是，凭借高精尖、前瞻性研究成果，思特威受邀将在图像传感器技术领域的报告会上作最为重量级的开场发表，介绍其研究成果。国际固态电路会议(ISSCC)专题报告会的开场演讲中所发表的研究成果是报告会的重中之重，全面引领该领域的技术发展方向，之前一直被国外传感器巨头企业所垄断，此次思特威代表中国的传感器企业，一举打破国外传统大企业的垄断之局，不但具有划时代的意义，更为我国未来图像传感器领域的迅猛发展打下坚实的技术基础。 据了解，思特威电子科技有限公司(SmartSens Technology)是一家高性能CMOS图像传感器芯片设计公司，公司由获评“国家千人计划”的徐辰博士及多名硅谷精英于2011年创立，在美国硅谷和中国上海拥有一支全球领先的研发团队。思特威专注于提供面向未来和全球领先的CMOS图像传感器芯片产品，是全球第一家推出基于电压域架构和BSI工艺的全局曝光CIS芯片的公司。 目前思特威在视频监控领域处于行业领先地位，产品涉及安防监控、车载影像、机器视觉及消费类电子产品(运动相机、AR、VR、智能手机)等应用领域。自成立来，思特威一直以客户为核心，不断创新，致力于为客户提供高质量视频解决方案。

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  • 7nm时代来临，明年台积电将代工100多款7nm芯片

    来自外媒的消息报道说，预计到2018年底，台积电用7nm工艺完成流片的芯片设计将超过50款，而到2019年底会有100多款芯片采用其7nm和增强版7nm EUV极紫外光刻技术。 作为代工行业的执牛耳者，台积电的7nm工艺正如火如荼。即便有中美贸易战、挖矿需求衰退、智能手机销量低迷等因素影响，7nm也将帮助台积电在第三季度达成创纪录的收入之后，第四季度继续创造新高。 同时，尽管传闻苹果砍掉了一部分A12处理器订单，台积电仍然预计到明年会有100多款基于7nm、7nm EUV极紫外光刻工艺的芯片完成流片，在今年50款的基础上翻一番还多，其中不乏华为麒麟、高通、AMD、NVIDIA、Xillinx这样的大客户。 因此，台积电对于7nm工艺未来几年的前景非常乐观，预计相关年收入可以稳定达到100-120亿美元。 极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography)，常称作EUV光刻，极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。业界有人曾提到，EUV 光刻的技术能够拯救摩尔定律。 在此之前，台积典曾宣布，7nm EVU已经完成芯片流片，魏哲家则透露，台积电计划在2020年大规模量产7nm EUV。 7nm EVU相比于7nm DUV晶体管密度提升20%，同等频率下功耗可降低6-12%。 台积电7nm目前正在全速开工，将在今年第四季度为台积电贡献晶圆收入的20%以上，全年比例则可接近10%，明年全年则能超过20%。

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  • 习近平：中美紧张局势不会再升级，贸易战不会产生任何赢家！

    习近平主席在亚太经济合作组织(APEC)峰会上发表讲话表示，贸易战不会有真正赢家，呼吁各国维护以WTO 为核心，以规则为基础的多边贸易体制。     在巴布亚新几内亚举行的APEC 峰会上，中国主席习近平谴责美国的贸易保护主义，称拥抱保护主义的国家“注定要失败”，贸易保护主义为世界经济带来了不确定性。 美国副总统迈克彭斯则谴责了中国对本国有利的贸易政策，他表示在中国改变方向之前，美国不会改变方向，同时还对中国的“一带一路”倡议进行了抨击，并称准备将对中国商品征收的关税“加倍”， 习近平则表示中美之间的紧张局势不会再升级，“历史表明，无论是冷战、热战还是贸易战，对抗都不会产生任何赢家，”他对聚集在巴布亚新几内亚首都莫尔兹比港的各国领导人说道。“人类又一次站在了十字路口”，他表示，“合作还是对抗?开放还是封闭?互利共赢还是零和博弈?如何回答这些问题，关乎各国利益，关乎人类前途命运。” 据报道，习近平和迈克彭斯曾在会场上有过两次交谈，彭斯向习近平表示，“美国希望与中国构建更加良好的关系，但是中国方面必须做出改变”，习近平则回应称，“我认为双方之间的对话很重要”。 据报道，11月16日，美国总统特朗普曾表示，如果在11月末的中美首脑会谈上，中国能够做出足够的让步，那两国之间的贸易关系，就能得到改善，第四波的关税就可不必生效。 目前为止，美国已经对2500亿美元从中国进口的商品加征关税。作为报复，中国也对1100亿美元美国商品加征关税，并实质上中断了大豆等关键美国农产品的进口。

    半导体 加征关税 贸易战 习近平

  • 三星电子环境恶劣致近百人死亡 预计本月23日正式道歉

    对于三星这样的巨型公司，工人们实属弱势群体，如果公司不能从根本上重视工人的工作环境，那工人的人身安全可想而知又能得到多少保障呢？ 据外媒报道，知情人士日称，针对旗下半导体工厂因工作环境恶劣而导致员工患病，甚至死亡事件，三星电子预计于本月23日正式道歉。 报道称，此次道歉也是双方近日所达成和解协议的一部分。本月初，负责处理该纠纷的仲裁委员会宣布，已为双方制定最终的和解协议。根据协议，三星将向患工伤的员工每人最高赔偿1.5亿韩元(约合91.9万元人民币)，具体视所患的疾病而定。 在此前的7月份，三星电子和代表工伤受害者的员工权力倡导组织“半导体产业从业人员健康和权利支持者”(以下简称“SHARPS”)已经达成一份协议，将无条件接受调解人就工伤赔偿问题做出的裁决。 近日，据SHARPS的一位官员称，目前双方仍在研究和解协议的细节内容，预计于11月23日举行签字仪式。 负责处理该纠纷的仲裁委员会还建议，三星电子CEO应该向受影响员工致歉。而业内观察家认为，届时三星芯片业务负责人Kim Ki-nam可能代替CEO向员工们道歉。行业观察家还称，双方签字后，预计三星会在明年1月前启动赔款程序。 这起事件源于2007年，当时任职于三星电子半导体工厂的黄姓工人罹患白血病身亡。后来，他的父亲发现，还有另一名同事死于白血病。 早在2015年，代表着许多癌症工人的韩国激进团体Sharps就表示，已经知晓大约有200名工人在三星工厂工作后患上癌症，其中约70人已经去世。而最新数据显示，截至今年6月份，共明确了其他319名受害者，其中的117人已经死亡。 据工人及外部专家认为，由于三星的生产厂存在辐射，并使用了大量危险化学品，工人们长期暴露在这种环境下很容易患病，如淋巴瘤和白血病等。 希望这样的悲剧事件不要仅仅停留在道歉赔偿的层面上，更应该做到有规可循，防患于未然，切实保护不仅是三星公司，而是整个行业的产业工人的人身健康。

    半导体 三星电子 癌症工人

  • 院士郝跃：我国半导体发展缺乏“从0到1”的原始创新

    2018年11月7-8日，第三届半导体材料器件表征及可靠性研究交流会在上海召开，本届会议旨在加强全国各相关领域研究队伍的交流、提供学术界与产业界相互分享最新研究成果的机会，推动我国先进电子材料与器件的发展，促进杰出青年科学家的迅速成长和协同创新。 会议同时邀请到了中国科学院院士、西安电子科技大学副校长郝跃，国家自然基金委、复旦大学、中国科学院上海技术物理研究所、中国科学院上海微系统所、南京大学、清华大学、西安电子科技大学、中科院苏州纳米所、南京工业大学、北京大学、湖南大学、山西师范大学等众多专家学者。各位专家聚焦于当前半导体材料和器件的研究热点，分享各自最新的研究成果。 会上，国家自然基金委员会信息学部主任、中国科学院院士郝跃做了题为“从第三代半导体进展谈我国核心电子器件发展”的大会报告。郝院士首先回顾了从“十一五”到“十三五”以来，国家在核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品(简称“核高基”)领域的战略部署，以及我国半导体与集成电路产业的发展现状。 郝院士指出，经过多年的发展，我国半导体与集成电路产业取得了长足的进步，并一跃成为全世界最大的集成电路消费市场，在个别技术领域甚至具备了与国际同行并行的趋势。但总体而言，我国半导体与集成电路产业跟美、日、欧相比仍存在较大的差距，“中兴事件”给了我们一次深刻的警示，表明我国高端通用芯片仍然受制于人，在关乎国防安全和国民经济的关键技术领域创新能力不足，尤其是缺乏“从0到1”的原始创新，企业更多的将资源聚焦在应用技术层面和产业化方面，形象的来说就是“从1到10”或“从1到n”的工作，“大而不强”，而创新驱动显得尤为重要。 据悉，本次大会由泰克公司携手复旦大学，联合南京大学、中科院上海技术物理研究所、中国科学院纳米中心共同举办，作为全球领先的测试、测量和监测应用领域的电子内容监控解决方案提供商，泰克公司展示了其半导体材料器件表征及可靠性实验平台及测试验证方案的能力，介绍了其4200A在助力高校半导体材料及器件研究的发展以及新技术应用的案例，例如，帮助美国佐治亚理工大学Graham Lab实验室实现宽禁带半导体电子器件的可靠性分析研究，帮助伯克利实验室实现30倍测试时间的缩短等。 据悉，此次第三届半导体材料器件表征及可靠性研究交流会”吸引了来自各个相关领域的科技人才、研究队伍、知名学者以及产业界和学术界的共同关注，受到了一致好评，为研究机构与企业的强强联合，深化产学研的合作搭建了全球领先的一流平台。

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  • 拿了美国政府41亿美元补贴，富士康会兑现承诺吗?

    据 The Verge 10 月 30 日报道，2017 年美国威斯康星州与富士康达成协议，富士康承诺将投资 100 亿美元在威斯康星州建立 10.5 代 LCD 制造工厂(尺寸为 2940mm ×3370mm 的 10.5 代玻璃是当今市面上最大的液晶玻璃基板，能为 65 寸、75 寸电视提供最为经济的切割方案)，为当地创造 1.3 万个就业岗位，而政府的回报是高达 30 亿美元的补贴。但随着时间的推移，建厂计划一改再改，补贴也增加到了 41 亿美元。 2017 年 7 月，威斯康星州共和党州长斯科特·沃克(Scott Walker)和富士康董事长郭台铭宣布：富士康计划在该州东南部建立一家能享受到大量补贴的制造工厂。 谈及这份协议，最有趣的莫过于协议的起草，这个灵光乍现的想法最初被写在一张餐厅的纸巾背面。 时间回到 2017 年 11 月，在签署合同时州政府承诺，如果富士康能够投资 100 亿美元建立工厂并创造 1.3 万个就业岗位，政府将提供 30 亿美元的补贴。对于美国一个远离高科技的州来说，富士康的举措，或许会将部分高科技公司和产业引入星州，同时也带来了远超过预期的就业机会。沃克曾在 2010 年当选州长时承诺提供 25 万个就业机会，而在他任期超过 6 年之后，依然距离这个目标有很远的距离。这对于力求在 2018 年连任的沃克来说，是迫切的需要的。 沃克表示，「有很多人会争先恐后地找出个不喜欢这种事情的理由，但我们会想办法让这件事继续下去。」几周后，他称这笔交易是一个「千载难逢的机会」，对威斯康星州来说将是一次「变革」。「这些 LCD 显示器将首次在美国生产，就在威斯康星州。」 有些人预测，富士康的举措，会将苹果和许多其他科技设备生产商带到威斯康辛州，并创建一个「威斯康辛式硅谷」。在与高科技产业不是很密切的威斯康星州，这份合同毫无疑问影响深远。 鉴于此次建厂意义非凡，州政府对于富士康的补贴规模也令人震惊。这是威斯康星历史上规模最大的一次补贴，也是美国政府向外国公司提供的最大一笔补贴。威斯康辛州过去也曾向企业提供补贴，但每个工作岗位的补贴从没有超过 3.5 万美元。相比之下，富士康所获得的补贴是每个工作岗位 23 万美元。 回报和代价 随着补贴的规模稳步增加至令人瞠目结舌的 41 亿美元，富士康却一再改变建设计划。回到补贴为 30 亿美元的时候，威斯康星州财政局估计，纳税人需要到 2043 年才能收回补贴成本。回报周期超长是由于沃克在 2011 年将该州的企业所得税降至零。这意味着，对富士康的补贴不会成为一笔税收减免，而是将由富士康工人缴纳的国家所得税偿还数十亿美元的现金。在补贴已经达到 41 亿美元的情况下，该州的投资回收期可能在 2050 年或更晚时间。 一些人甚至质疑是否真的能收回补贴。乔治亚大学经济学教授杰弗里·多尔夫曼(Jeffrey Dorfman)在《福布斯》杂志的一篇文章中写道:「实际上，每个工作岗位补贴 10 万美元的回报期不是 20 年，也不是 42 年，而是几百年，甚至永远也不会。每个工作岗位的成本高达 23 万美元(或更多)，重新获得政府支出的资金是不可能的。当补贴上升到 41 亿美元之后，每个工作岗位的成本达到了 31.5 万美元。」 与此同时，为了促成这项合作的达成，政府还免除了富士康在当地的环保规定，允许富士康在建设和运营过程中将材料排放到湿地。还免除了富士康需要在建厂区域内进行环境影响评价的要求，富士康最终拥有 4.5 平方英里土地，而其中大部分是农田。沃克政府还同意富士康从密歇根湖取水。富士康每天将会使用多达 700 万加仑湖水，其中 39% 会因蒸发而流失。环保人士指责这违反了由五大湖各州和加拿大各省签署的保护五大湖的大湖协约(Great Lake Compact)条款，并提起法律诉讼来制止这一行为。 根据富士康向威斯康辛州自然资源部提交的文件显示，公司每年将造成严重的空气污染，包括排放数百吨一氧化碳、颗粒物、二氧化硫、氮氧化物和挥发性有机化合物。据《密尔沃基哨兵报》报道，该工厂会释放出大量挥发性有机化合物和氮氧化物，使工厂所在地成为威斯康星州东南部最严重的污染源之一。 今年 5 月，根据日经新闻亚洲评论报道，富士康正在大幅缩减对工厂的筹备。但富士康明确地否认了这一点。而到了 6 月下旬，富士康公司高管却承认他们不会建造郭台铭最初承诺的那种工厂。 取而代之的是一个仅生产玻璃面板的第六代工厂，而不是为 10.5 英寸电视屏幕生产 10.5 代 LCD 制造工厂。Display Supply Chain Consultants 的合伙人 Bob O'Brien 表示，第六代工厂的投资仅需要约 25 亿美元，而不是富士康最初承诺的 100 亿美元。 甚至于第 6 代 LCD 屏幕也可能不会在当地生产太久。「我们对电视并不是很感兴趣。」富士康发言人路易斯·沃(Louis Woo)表示，威斯康辛工厂的工人将专注于寻找新的方式来应用富士康的显示器、蜂窝通信和人工智能技术，从而建立一个所谓「AI+8K+5G」的「生态系统」。 威斯康星州并不是第一个遇到富士康更改承诺的政府。富士康曾承诺在印度投资 50 亿美元，创造 5 万个就业岗位，但结果却只是其中的一小部分。据《媒体》报道，「同样的结果也出现在越南，富士康曾在 2007 年承诺投资 50 亿美元;在巴西，富士康在 2011 年说要投资 100 亿美元。」此外还有宾夕法尼亚州哈里斯堡，富士康承诺投资 3000 万美元并雇佣 500 名工人，但这一承诺从未兑现。 截至目前，富士康已经开始在当地修建工厂并开始工作，州政府和地方政府也已经在富士康所需的基础设施建设上继续投入巨资。如果 2018 年沃克连任失利，接任的新州长将很难再取消这项协议。对于生活在威斯康星州的纳税人来说，多了一份看得到摸不着的收益;对于纳税人的家庭而言，却不得不为这笔交易买单。

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  • 富士康美国启动数千人大规模招工 会说中文是优势

    中国电子代工巨头富士康集团，正在投资100亿美元在美国建设大型液晶面板基地，据外媒最新消息，富士康对外宣布将启动最大规模招工活动，一共将面试数千人。 富士康在美国的液晶面板厂，位于威斯康辛州的乐山(Mount Pleasant)。据多家美国媒体报道，富士康未来几个月内将举行五场招工大会。 第一场大会在乐山的Globe Drive大街13315号举行，时间是10月13日早七点到晚七点。据悉，这个地址的建筑已经被富士康租赁，未来将用来运营管理几公里之外的液晶面板厂。 其他四场招工大会分别是10月21日在Racine县，10月27日在Green Bay，10月27日在Eau Claire，以及11月2日在威斯康辛州最大城市和港口密尔沃基市。 所有希望到富士康集团工作的求职者，必须提前登录网站提交资料，只有收到面试邀请的应聘者才能够参加上述招工大会。 单单是在第一场在乐山的招工大会上，富士康集团就将面试两千人。 这次大规模招聘活动的招聘总规模，尚不得而知。不过在富士康集团液晶面板基地投产时，一共需要数千名员工，而在远期之内一共需要1.3万名员工。 需要指出的是，这是富士康集团在美国的第一次大规模招工，但是富士康的人员招聘实际上早已经启动。在过去一年中，富士康已经在官方网站放出了150多个岗位。 这些岗位主要涉及到专业职能以及管理工作，比如金融分析师、工厂运营总监、注册护士、规划经理、全国销售总监、市场营销总监、劳工法律师、税务专家等。三成的岗位涉及到工程技术。 富士康集团来自中国，据报道，会说中文将成为美国人应聘的优势，至少有十个岗位的描述写到，中文能力虽然不是必需，但是是一个加分技能。 富士康也在招募房地产购买领域的多位专业管理人员。近期，富士康也宣布了多项在威斯康辛州的房地产收购计划。 八月份，富士康集团的一名高管在接受当地媒体采访时表示，到2023年，富士康将在美国创造1.3万个就业岗位，这一计划是完全能够实现的。 这位高管也表示，在富士康的美国招聘计划中，一成是生产线工人，另外九成将是“知识工人”。 富士康还强调说，同时欢迎本地居民以及退伍军人前来应聘和面试。 据之前美国媒体报道，在中国市场不同，美国的技术工人储备并不充分，因此富士康集团要招到预计规模的员工和工人，存在一定难度。富士康已经采取多种措施，包括和其他企业和机构合作，招聘已经接受过技术培训的美国退伍军人，另外富士康也和美国一些当地学校进行和合作，招募理工科的毕业生，一些学员还将被送到中国的富士康工厂进行实习培训。 此前在宣布美国项目的时候，富士康也承诺，美国液晶面板基地员工的平均年薪将达到5.4万美元。这已经超出了美国人平均工资水平(美国人平均月薪为3500美元)。 除了在美国威斯康星州之外，富士康集团还和广州市政府合作，正在广州建设另外一座液晶面板基地。 在液晶面板领域的大举投资，属于富士康转型计划的一部分。郭台铭正在降低对苹果和其他客户代工订单的依赖，增强自有品牌产品和高技术零部件、原材料业务。这两种业务都将提升富士康的科技含量和利润率，告别低端低利润的代工模式。 此前，富士康集团斥资35亿美元，收购了日本夏普公司，获得了夏普优秀的液晶技术。郭台铭认为，随着普通家庭更换60英寸的大屏电视，液晶电视仍然有巨大的市场空间。 在归属富士康集团后，夏普电视在中国疯狂降价，销量和市占率猛增，让同行极为震惊。

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  • 再投240亿美元，紫光在成都开建12英寸 3D NAND存储器制造基地

    继2016年12月30日，紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设，项目总投资为240亿美元的长江存储国家存储器基地项目在武汉东湖高新区正式动工建设之后，紫光再投240亿美元，打造紫光成都存储器制造基地!2018年10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工仪式在成都双流举行。省委常委、市委书记范锐平出席活动，市委副书记、市长罗强致辞并宣布项目启动，紫光集团董事长兼首席执行官赵伟国致辞。 该项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。项目旨在打造世界一流的半导体产业基地，将助力四川电子信息产业向全球产业链、价值链高端跨越发展。   紫光集团董事长赵伟国表示，这个项目瞄准了我国高端集成电路产品设计、制造等薄弱环节，汇聚全球高端科技产业实力，致力于打造世界一流的半导体产业基地。 市长罗强说，成都是国家重要的电子信息产业发展基地，积极实施“一芯一屏”发展计划，紧紧围绕关键核心部件研发制造，全力推动电子信息产业转型升级。我们坚信，在国家部委和省委省政府大力支持下，通过紫光集团全体员工创新创造和辛勤付出，项目建成后必将巩固紫光集团在全球集成电路产业的重要地位，助推成都、助推四川跻身世界芯片制造版图。成都将继续为紫光集团在蓉项目建设运营提供优质高效服务，锻造好、维护好、利用好核心技术的“国之重器”，共同谱写中国电子信息技术产业更加美好的未来。 赵伟国表示，成都紫光集成电路制造基地项目建设标志着紫光集团在芯片制造领域布局又迈出坚实一步，也是中国集成电路崛起征程中建立的又一个桥头堡。此次项目瞄准我国高端集成电路产品设计制造等薄弱环节，汇聚全球高端科技产业实力，致力于打造世界一流半导体产业基地，对我国实现高端集成电路创新突破具有重大意义，相信它的建成必将助推四川和成都成为全球重要的电子信息产业基地，为四川、成都经济高质量发展贡献力量。 据了解，紫光集团是国内具有引领地位的综合性集成电路企业和领先的云网服务企业。紫光成都存储器制造基地项目选址成都高新综合保税区双流园区，主要建设12英寸3D NAND存储器芯片生产线，并开展存储器及关联产品(模块、解决方案)研发、制造和销售。

    半导体 长江存储 紫光成都存储器制造基地

  • 全球首个4D NAND闪存量产，96层堆栈，速度提升30%

      早在今年的FMS国际闪存会议上，SK Hynix就宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存，日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产，目前主要是TLC类型，96层堆栈，512Gb核心容量，使用该技术可以减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。 随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产，全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND，几家厂商的技术方案也不太一样，SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字，在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存，日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产，目前主要是TLC类型，96层堆栈，512Gb核心容量，使用该技术可以减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。   根据SK Hynix之前公布的信息，所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。   SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。 至于QLC类型的，这个未来会是SK Hynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。 媒体报道称，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比，4D NAND闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。 根据官方所说，4D NAND闪存今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。 虽然称为4D NAND，但实际上，和3D NAND比起来并没有什么革命性的技术，或许只是一种市场行销的手段罢。

    半导体 nand 4d 96层堆栈

  • 好日子到头了?DRAM市场供大于求态势初现，2019年售价跌幅或达20%

    过去两年，存储芯片像经历着过山车的上半程，一直持续疯涨，不过，今年以来，情况开始发生转变。NAND闪存开始出现降价，DRAM的价格也不再坚挺。 根据之前的统计数据，2018年NAND闪存价格至少下跌了50%，而这个趋势还会持续下去，市场预期2019年NAND闪存价格还会再跌50%。 至于DRAM，虽然价格没有出现像NAND那样的下跌，但已开始出现供过于求的态势，价格下探迹象明显。 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告，在各大厂已议定第四季合约价的情况下，10月份的合约价格开始大幅滑落，主流模组4GB的均价自上季的34.5美元滑落至31美元，跌幅10.14%;大容量模组8GB跌幅更为明显，自上季的68美元滑落至61美元，跌幅为10.29%。由于DRAM市场供过于求的态势才刚开始，因此不排除11月与12月价格将持续下探。而由于各家厂商积极求售，8GB解决方案的跌幅预期将会持续高于4GB解决方案。 展望明年首季情况，除了PC以外，服务器以及智能手机等终端产品也将面临出货量下修的状况，整体而言，DRAMeXchange预估2019年全年DRAM平均销售单价的跌幅可能达到20%。  

    半导体 DRAM

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