晶圆
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东芝/SanDisk合资Fab5投产 首批晶圆8月出货
Toshiba东芝株式会社(TOKYO：6502) 与SanDisk公司 (NASDAQ：SNDK) 共同庆祝，位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm(12寸)晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。由于消费者对于智慧手机、平板电脑和其他电子设备
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SEMI：明年半导体设备支出金额略滑1.2% 封测设备续增
SEMI公布半导体设备资本支出年中预测报告(SEMI Capital Equipment Forecast)，预估今年全球半导体设备营收将达到443.3亿美元，台湾将以106亿美元支出金额再拿下全球设备最大市场；展望明年金额支出预估值，SEMI预期，
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欧司朗LED晶圆向6英寸化迈进
德国欧司朗光电半导体(OSRAM Opto Semiconductors)宣布，该公司将促进位于马来西亚槟城(Penang)和德国雷根斯堡(Regensburg)的InGaN类LED晶圆生产线的6英寸化，扩充LED的生产能力。由此，到2012年底之前，白色LED用芯
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惠瑞捷V93000 Direct-Probe 解决方案获得200 多个成功案例
半导体测试公司惠瑞捷近日宣布与MicroProbe、NVIDIA、Tokyo Electron (8035 TSE) 和Rudolph Technologies合作开创使用惠瑞捷V93000 Direct-Probe解决方案生产数位、SOC 和RF 设备的统包解决方案(turnkey solution)。
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惠瑞捷V93000 Direct-Probe 解决方案获得200 多个成功案例
半导体测试公司惠瑞捷近日宣布与MicroProbe、NVIDIA、Tokyo Electron (8035 TSE) 和Rudolph Technologies合作开创使用惠瑞捷V93000 Direct-Probe解决方案生产数位、SOC 和RF 设备的统包解决方案(turnkey solution)。
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惠瑞捷V93000 Direct-Probe成功用于200多个生产案例
首屈一指的半导体测试公司惠瑞捷日前宣布与MicroProbe、NVIDIA、Tokyo Electron (8035 TSE) 和Rudolph Technologies合作开创使用惠瑞捷V93000 Direct-Probe解决方案生产数位、SOC 和RF 设备的统包解决方案(turnke
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晶圆战争╱挖角梁孟松 三星挑战台积
三星积极抢进晶圆代工市场，正面迎战龙头台积电，引起产业界关注。图为晶圆厂的无尘作业室。 报系资料照片 全文网址: 晶圆战争╱挖角梁孟松 三星挑战台积 | 科技产业 | 财经产业 | 联合新闻网 http://gb.udn.c
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GlobalFoundries开始试产28nm工艺
据欧洲媒体证实，GlobalFoundries已经开始在德国德累斯顿工厂内28nm HKMG新工艺的试验性投产。 首批上马的28nm工艺生产线采用300毫米晶圆，不过上边还不是成形的芯片，只是测试电路和SRAM单元而已 。只有这种试
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《科技》全球晶圆争取台湾IC设计订单意图明显
晶圆代工大厂全球晶圆（GlobalFoundries）来台布桩，将透过旗下转投资设计服务厂虹晶科技（Socle），争取台湾IC设计业者65/55纳米及45/40纳米代工订单，昨日更宣布指派营销业务资深副总裁奎派克（Jim Kupec），接任虹
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力成科技布局先进封装技术
力成科技积极自内存封测业务往先进封装技术布局，继先前买下茂德厂房以作为实验工厂后，转投资公司聚成科技的新竹厂也在3月动土，预计2012年第3季装机试产。力成董事长蔡笃恭表示，实验工厂以开发新技术为主，包括晶
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力成科技布局先进封装技术 新厂2012年第3季装机投产
力成科技积极自内存封测业务往先进封装技术布局，继先前买下茂德厂房以作为实验工厂后，转投资公司聚成科技的新竹厂也在3月动土，预计2012年第3季装机试产。力成董事长蔡笃恭表示，实验工厂以开发新技术为主，包括晶
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矽晶圆供应难互惠 MEMC与尚德决终止合约
美国矽晶圆大厂MEMC Electronic Materials, Inc. 1日在股市开盘前发布新闻稿指出，旗下子公司已同意终止中国大陆太阳能电池生产巨擘尚德电力控股(Suntech Power Holdings)的太阳能矽晶圆长期供应合约，此约最初于200
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FDSOI晶体管制造用晶圆产业已整装待发
Intel，台积电等巨头企业已经决定先后在22/14nm节点走上Finfet之路，这样一来，另一条路--FDSOI方面的进展状况便显得格外引人注目。最近，在日本东京召开了2011年半导体技术国际会议（Symposium on VLSI Technology）
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2010年IDM与无晶圆半导体公司的MEMS收入
据IHSiSuppli公司的研究，2010年无晶圆制造半导体公司扩大了在全球微机电系统（MEMS）市场的份额，去年占总体MEMS营业收入的近四分之一。 2010年无晶圆制造半导体公司占总体MEMS营业收入的23.2%，高于四年前
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SOI工业协会组织宣告FDSOI晶体管制造用晶圆产业已整装待发
Intel，台积电等巨头企业已经决定先后在22/14nm节点走上Finfet之路，这样一来，另一条路FDSOI方面的进展状况便显得格外引人注目。最近，在日本东京召开了2011年半导体技术国际会议（SymposiumonVLSITechnology），会
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应用材料推出首款背部加热式Vantage Vulcan RTP快速退火设备
应用材料公司本周三推出了新款VantageVulcanRTP快速退火设备，这款RTP机型采用了晶圆背面加热技术，可以显著改善RTP处理中晶圆表面芯片核心内部各部分的温度均一性。应用半导体公司硅系统集团前端制程用设备部门的总
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SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备
不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示，采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比，性能的提高达到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在内的几家主要
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SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备
不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示，采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比，性能的提高达到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在内的几家主要
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应用材料推出首款背部加热式Vantage Vulcan RTP快速退火设备
应用材料公司本周三推出了新款Vantage Vulcan RTP快速退火设备，这款RTP机型采用了晶圆背面加热技术，可以显著改善RTP处理中晶圆表面芯片核心内部各部分的温度均一性。 新型晶体管设计需要的RTP退火处理项目图解
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SOI工业协会组织宣告FDSOI晶体管制造用晶圆产业已整装待发
Intel，台积电等巨头企业已经决定先后在22/14nm节点走上Finfet之路，这样一来，另一条路FDSOI方面的进展状况便显得格外引人注目。最近，在日本东京召开了2011年半导体技术国际会议（Symposium on VLSI Technology），
