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意法半导体首款氮化镓功率转换器，瞄准下一代50W高能效电源设计
VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50 W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自适应间歇工作模式(burstmode) 开启的情况下，待机功耗低于30 mW。此外，该器件的保护功能可提高稳健性并有助于减少所用的物料。QFN5x6 mm封装也使其成为业内同等功率输出中封装最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供货，配有USB-PD供电端口的开发板也即将面世。
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了解 GaN 的电磁兼容性
氮化镓 (GaN) 晶体管开关速度快，我检查了LMG5200半桥 GaN 驱动器，并表明它能够实现 600ps 或更短的开关上升时间。在工作台上，我测量了每纳秒 40V 的开关节点 dv/dt！这比我使用的典型 DC/DC 转换器高约 30 倍，虽然这有助于降低开关损耗，但它确实使满足电磁兼容性 (EMC) 的挑战更加困难。为什么？因为电压和电流的变化率会激活寄生电路元件，从而产生辐射和传导噪声的噪声源。
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EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和 LED 照明的理想器件。
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意法半导体发布50W GaN功率变换器，面向高能效消费及工业级电源设计
2022 年 4 月 7 日，中国——意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计，并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管，使电源的能效和小型化达到更高水平。
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单片式整合氮化镓芯片即将推出，imec为提升功率电路性能拼了
3月22日消息，比利时微电子研究中心(imec)氮化镓电力电子研究计划主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平台上，整合高性能肖特基二极管与空乏型高电子迁移率晶体管(HEMT)的成功案例。该平台以P型氮化镓(GaN)HEMT制成，此次研发成功整合多个GaN元件，将能协助新一代芯片扩充功能与升级性能，推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点(POL)转换器所需的开发动能，进一步缩小元件尺寸与提高运作效率。
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Transphorm氮化镓芯片厂商普通股成功转板纳斯达克资本市场
2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已获准在纳斯达克资本市场(Nasdaq Capital Market，简称“纳斯达克”)上市。
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Power Integrations推出集成750V氮化镓开关的高效准谐振PFC IC
HiperPFS-5 IC能够为超快速充电适配器、消费电子产品、计算机和家电电源提供紧凑、高效的功率因数校正电路 。
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EPC在APEC 2022展会上展示GaN技术如何 为48 V应用带来革命性突破
EPC公司的氮化镓专家将在APEC展会分享多项现场演示以阐释氮化镓技术如何为许多行业的功率转换带来革命性突破，包括计算、通信和e-mobility。
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英飞凌将投资逾20亿欧元在马来西亚居林前道工厂扩大宽禁带半导体的产能，进一步增强市场领导地位
【2022年2月21日，德国慕尼黑和马来西亚居林讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)将显著扩大宽禁带(碳化硅和氮化镓)半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。公司将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。
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GaN激光雷达普及加速 | 氮化镓技术如何推动ToF激光雷达产业的加速发展？
激光雷达主要是由激光发射器、接收器、处理器以及激光操控模组这四个模块构成。使用激光雷达测距，多用飞行时间法(TOF)。简单来说，就是发射器发射出激光，操控模组控制射出方向，激光会照射到目标物体表面，并瞬间产生反射，反射光束被接收器接收，处理器计算出这束光往返的时间，就能得到这个点的精确距离。当发出无数道光线之后，就可以用无数个点来勾勒物体。
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易于使用的设计工具帮助工程师缩短基于氮化镓的功率系统的上市时间
宜普电源转换公司(EPC)为工程师提供更多的设计工具、模型和性能仿真器，用于基于高性能氮化镓器件的设计。
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纳微半导体成立全球首家针对电动汽车的氮化镓功率芯片设计中心
下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放
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意法半导体氮化镓功率半导体PowerGaN系列首发，让电源能效更高、体积更纤薄
基于氮化镓 (GaN) 的产品可以取得更高的能效，帮助工程师设计出更紧凑的电源，适合各种消费、工业和汽车应用。意法半导体 PowerGaN系列第一款产品现已投产；很快还将推出其他的不同封装和规格的产品。
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hofer powertrain和VisIC合作开发三电平800V氮化镓逆变器
（全球TMT2021年12月17日讯）汽车动力总成技术公司hofer powertrain和高压汽车应用氮化镓(GaN)解决方案领域企业VisIC Technologies Ltd.宣布建立合作，共同开发用于800V汽车应用的基于氮化镓的逆变器。 氮化镓半导体是...
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使用氮化镓(GaN)提高电源效率
如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式AC/DC电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。
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落地、开工、投产，新一批半导体项目汇总
近日，一批半导体项目落地、开工、投产，涉及第三代半导体氮化镓、存储封测、以及硅晶圆外延片等领域。60亿，第三代半导体氮化镓项目落地福州近期，4个重大产业项目落地福州长乐区，涉及新材料、大数据、第三代半导体等，投资额超396亿元，其中包括第三代半导体氮化镓项目。据福州新闻网报道，第...
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Microchip持续扩大氮化镓（GaN）射频功率器件产品组合
全新单片微波集成电路（MMIC）和分立器件，可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求
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文章 | 使用氮化镓(GaN)提高电源效率
注：原载于Bodos功率系统，2021年11月22日作者：DougBailey，PowerIntegrations市场营销副总裁如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式AC/DC电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工...
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PI产品营销总监Chris Lee：利用氮化镓芯片组实现高效率、超紧凑的反激式电源
注：原载于电源网订阅号，2021年10月26日目前市面上出现了一个新的芯片组，它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自PowerIn...
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e络盟开售InnoSwitch™3系列IC，进一步扩大Power Integrations产品阵容
InnoSwitch3系列IC采用PowiGaN™技术，在各种负载条件下的效率均高达 95%，且在封闭式适配器应用中无需散热片就可实现高达100W的输出功率
