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SiC 和 GaN：两种半导体的功率器件发展
在过去的几十年中，碳化硅和氮化镓技术的进步一直以发展、行业接受度不断提高和有望实现数十亿美元收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管的形式问世。随之而来的是快速发展，到 2026 年，工业部门现在有望超过 40 亿美元。
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PCIM Europe欧洲电力电子系统及元器件展-氮化镓器件
PCIM 见证了许多公司与氮化镓和碳化硅合作。用于电动汽车的半导体和能源革命——所有这一切都是一个快速发展的生态系统。SiC 和 GaN 器件具有比 Si 高得多的临界击穿电压，允许更薄的漂移层和更高的掺杂浓度。对于给定的芯片面积和额定电压，这会降低导通电阻，从而通过降低功率损耗提供更高的效率。
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GaN Systems HD半桥双极驱动开关评估板在贸泽开售
2022年6月14日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评估板性能优异，同时减少了组件总数，节省了宝贵的电路板空间。
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EPC开拓"GaN Talk支持论坛"平台，旨在协助工程师加速研发基于高性能氮化镓器件的功率系统和加快产品上市步伐
宜普电源转换公司(EPC)新推线上论坛，为工程师提供产品信息、答疑解难和分享採用氮化镓技术的应用现状和发展趋势。
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就车规氮化镓功率模块达成合作
将成熟的GaN技术与创新型封装专业知识相结合
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管
宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。
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意法半导体和MACOM成功开发射频硅基氮化镓原型芯片，取得技术与性能阶段突破
2019年5月19日，中国 - 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM)和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司(纳斯达克股票代码:MTSI，以下简称“MACOM”) 宣布，射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。
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意法半导体首款氮化镓功率转换器，瞄准下一代50W高能效电源设计
VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50 W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自适应间歇工作模式(burstmode) 开启的情况下，待机功耗低于30 mW。此外，该器件的保护功能可提高稳健性并有助于减少所用的物料。QFN5x6 mm封装也使其成为业内同等功率输出中封装最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供货，配有USB-PD供电端口的开发板也即将面世。
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了解 GaN 的电磁兼容性
氮化镓 (GaN) 晶体管开关速度快，我检查了LMG5200半桥 GaN 驱动器，并表明它能够实现 600ps 或更短的开关上升时间。在工作台上，我测量了每纳秒 40V 的开关节点 dv/dt！这比我使用的典型 DC/DC 转换器高约 30 倍，虽然这有助于降低开关损耗，但它确实使满足电磁兼容性 (EMC) 的挑战更加困难。为什么？因为电压和电流的变化率会激活寄生电路元件，从而产生辐射和传导噪声的噪声源。
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EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和 LED 照明的理想器件。
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意法半导体发布50W GaN功率变换器，面向高能效消费及工业级电源设计
2022 年 4 月 7 日，中国——意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计，并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管，使电源的能效和小型化达到更高水平。
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单片式整合氮化镓芯片即将推出，imec为提升功率电路性能拼了
3月22日消息，比利时微电子研究中心(imec)氮化镓电力电子研究计划主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平台上，整合高性能肖特基二极管与空乏型高电子迁移率晶体管(HEMT)的成功案例。该平台以P型氮化镓(GaN)HEMT制成，此次研发成功整合多个GaN元件，将能协助新一代芯片扩充功能与升级性能，推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点(POL)转换器所需的开发动能，进一步缩小元件尺寸与提高运作效率。
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Transphorm氮化镓芯片厂商普通股成功转板纳斯达克资本市场
2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已获准在纳斯达克资本市场(Nasdaq Capital Market，简称“纳斯达克”)上市。
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Power Integrations推出集成750V氮化镓开关的高效准谐振PFC IC
HiperPFS-5 IC能够为超快速充电适配器、消费电子产品、计算机和家电电源提供紧凑、高效的功率因数校正电路 。
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EPC在APEC 2022展会上展示GaN技术如何 为48 V应用带来革命性突破
EPC公司的氮化镓专家将在APEC展会分享多项现场演示以阐释氮化镓技术如何为许多行业的功率转换带来革命性突破，包括计算、通信和e-mobility。
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英飞凌将投资逾20亿欧元在马来西亚居林前道工厂扩大宽禁带半导体的产能，进一步增强市场领导地位
【2022年2月21日，德国慕尼黑和马来西亚居林讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)将显著扩大宽禁带(碳化硅和氮化镓)半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。公司将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。
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GaN激光雷达普及加速 | 氮化镓技术如何推动ToF激光雷达产业的加速发展？
激光雷达主要是由激光发射器、接收器、处理器以及激光操控模组这四个模块构成。使用激光雷达测距，多用飞行时间法(TOF)。简单来说，就是发射器发射出激光，操控模组控制射出方向，激光会照射到目标物体表面，并瞬间产生反射，反射光束被接收器接收，处理器计算出这束光往返的时间，就能得到这个点的精确距离。当发出无数道光线之后，就可以用无数个点来勾勒物体。
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易于使用的设计工具帮助工程师缩短基于氮化镓的功率系统的上市时间
宜普电源转换公司(EPC)为工程师提供更多的设计工具、模型和性能仿真器，用于基于高性能氮化镓器件的设计。
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纳微半导体成立全球首家针对电动汽车的氮化镓功率芯片设计中心
下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放
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意法半导体氮化镓功率半导体PowerGaN系列首发，让电源能效更高、体积更纤薄
基于氮化镓 (GaN) 的产品可以取得更高的能效，帮助工程师设计出更紧凑的电源，适合各种消费、工业和汽车应用。意法半导体 PowerGaN系列第一款产品现已投产；很快还将推出其他的不同封装和规格的产品。
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