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GaN Systems 与上海安世博能源科技结盟 推进氮化镓进入中国电动车应用市场
【中国上海 – 2023年8月3日】氮化镓功率半导体全球领导厂商 GaN Systems 今宣布与上海安世博能源科技策略结盟，共同致力于加速并扩大氮化镓功率半导体于电动车应用的发展。安世博能源科技为电源行业领导厂商，拥有完整电源供应器、电动车充电模块及车载充电器产品解决方案。结合 GaN Systems 尖端的氮化镓功率器件、在车用领域所累积的应用实绩，与安世博能源科技在高功率电源系统设计及批量生产的卓越能力，此次策略合作将为中国电动车行业带来突破性革新。
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硬核拆解 | 拓尔微65W 2C1A氮化镓多口快充
随着身边智能设备的增多，一个充电头对应一个设备，出门需要携带多个充电器已经成为日常，有时还会忘带匹配的充电头，无法充电造成困扰......多口快充的出现解决了这一难题，出门仅需携带一个充电头，减轻背包的负担，还可以满足多个设备同时快速充电的需求。一款令人放心的多口快充必须具备安全性能好、可靠性高、兼容性强的特点，这对选择的芯片解决方案具有高要求。拓尔微电子自有品牌65W 2C1A氮化镓快充，内置协议芯片和降压转换器均为自家解决方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多种快速充电协议，兼容性强，可满足各类设备的充电需求，且具备多种保护功能。
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EPC新推基于GaN FET的150 ARMS电机驱动器参考设计，适用于电动出行、叉车和大功率无人机
宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。
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EPCGaN FET配以ADI控制器可实现具有最高功率密度的稳压DC/DC转换器
宜普电源转换公司(EPC)和Analog Devices(ADI)公司携手新推的参考设计采用经过全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管，可实现超过96.5%的效率。
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EPC发布第十五阶段产品可靠性测试报告：根据实际应用经验，预测氮化镓器件寿命
宜普电源转换公司(EPC)发布第十五阶段产品可靠性测试报告，进一步丰富了关于氮化镓器件可靠性的知识库和展示了EPC eGaN产品的稳健耐用性已在实际应用中得到验证。
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PI家族再添一员，全新900V氮化镓反激式开关IC发布！
近日Power Integrations发布的全新900V氮化镓器件，再一次将初级功率开关的性能提升到一个新的高度。
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Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC
新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源，输出功率可高达100W。
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英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems），在扩充氮化镓产品线的同时，进一步巩固自身在全球功率系统领域的领导地位
【2023 年 03 月 03日，德国慕尼黑和加拿大渥太华讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）和氮化镓系统公司（GaN Systems）联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资 8.3 亿美元收购氮化镓系统公司。氮化镓系统公司是全球领先的科技公司，致力于为功率转换应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工。
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泰克助力VisIC Technologies公司推动电动汽车动力系统技术进步
随着世界各国都在努力降低碳排量，电动汽车（EV）的市场容量正不断扩大。推动这一增长的关键因素将是最大限度地减少电动汽车动力系统的开关损耗，并通过使用更小、续航时间更长的电池来实现显著的效率提升。正因如此，VisIC Technologies公司倡导采用氮化镓（GaN）功率晶体管，并使用泰克强大的测试设备来确保实现杰出的性能。
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新型80 V、40 A eToF™激光驱动器GaN IC可实现更高功率密度和更具成本效益的激光雷达系统
宜普电源转换公司(EPC)推出新型氮化镓集成电路EPC21701，这是一款80 V激光驱动器IC，可提供15 A脉冲电流，适用于飞行时间激光雷达应用(ToF激光雷达应用)，包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感器。
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立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140 W快充解决方案
宜普电源转换公司和立锜科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器参考设计，可将12 V~24 V的输入电压转换为5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比，新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓场效应晶体管EPC2204相结合，使得解决方案尺寸可缩小20%以上，而且在20 V和12 V输出电压下，可实现超过98%的效率。在不需使用散热器和5 A连续电流下，20 V转5 V的最大升温低于摄氏15度，而12 V转20 V的最高升温则低于摄氏55度。
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英诺赛科苏州基地实现8英寸氮化镓晶圆大规模量产，预计年产值120亿元
6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司举办量产暨研发楼奠基仪式，宣布英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地正式进入量产阶段。该项目位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，一期投资80亿元，用地213亩，按当前计划，到2021年底，产能可达6000片每月。项目全部达产后，预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，年产值120亿元，利税15亿元以上。
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基于氮化镓(GaN) 技术的新型节能设备
工程研究人员创造了比以前的技术更节能的新型大功率电子设备。这些器件是通过一种以受控方式“掺杂”氮化镓 (GaN) 的独特技术实现的。
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能讯半导体：5G时间窗口只有三年
“现在正处于从LDMOS转到氮化镓的时间窗口，但只有三年。”能讯半导体总经理任勉表示，在氮化镓领域耕耘十二年，能讯半导体迎来关键时间节点，抓住5G基站建设机会，就可以在竞争中占据有利位置。
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Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据
加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基于超过850亿小时的现场应用数据，该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小于0.1。现有氮化镓功率解决方案的全功率可靠性评估中，这一失效率是业界报道过的最好的评估结果之一。
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电源设计说明：分析用于高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件
在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正将精力集中在这些类型的组件上，以创建高效转换器和逆变器。
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Transphorm拓展中国区业务,扩大氮化镓应用实验室
加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm (Nasdaq: TGAN)宣布在中国深圳开设新的办事处。作为一家外商独资企业(WFOE)，Transphorm的深圳办事处将负责加强当地客户支持、销售和市场营销工作，另外，该办事处将作为当地支持客户开发氮化镓电源系统的应用实验室，并同时支持全球研发工作。深圳办事处将由Transphorm现任亚洲销售副总裁Kenny Yim管理，他同时也担任中国区总经理一职。Transphorm亚洲区应用部门主管Chun Hung Ho 将在深圳办事处协助Kenny，Chun Hung是Transphorm任职七年的资深员工。
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好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护，完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的核心价值，让工程师放心无忧采用氮化镓。
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关于MOCVD、HTCVD 和 MBE 在内的外延设备发展状态，释放分子束外延的潜力
对更强大和更节能设备的空前需求刺激了对砷化镓、氮化镓和碳化硅等化合物半导体的需求。这种材料需要通过外延生长的超纯薄膜。尽管分子束外延 (MBE) 是三种外延设备之一，长期以来一直被认为是利基市场，但它已准备好过渡到批量应用。
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用于新一代电动汽车的 SiC MOSFET功率器件介绍
电动和混合动力汽车的设计人员致力于提高能量转换效率，这些设备配备了紧凑型封装和高热可靠性电力电子模块组装，并降低了开关损耗。
