英诺赛科苏州基地实现8英寸氮化镓晶圆大规模量产，预计年产值120亿元

6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司举办量产暨研发楼奠基仪式，宣布英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地正式进入量产阶段。该项目位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，一期投资80亿元，用地213亩，按当前计划，到2021年底，产能可达6000片每月。项目全部达产后，预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，年产值120亿元，利税15亿元以上。

在量产仪式上，英诺赛科（苏州）半导体有限公司总经理孙在亨表示，苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地正式量产是英诺赛科的一个里程碑。自项目从2018年6月正式启动以来，过去三年英诺赛科争分夺秒，奋力推进项目建设，在2019年8月主厂房封顶，于2020年9月开始设备搬入，到2021年6月就实现大规模量产，从设备搬入到开始量产仅用了8个半月时间，这是每一位英诺赛科人与合作伙伴的荣耀，也必将写入第三代半导体产业发展史。

孙在亨指出，半导体产业发展70多年后，硅材料在功率和射频方面的应用潜能已经被充分挖掘，难以大幅提高，以氮化镓为代表的第三代半导体材料适逢其会，将引领未来十年半导体市场增长趋势。该基地进入量产，标志着这家全球氮化镓产能规划最大的企业为氮化镓应用时代的到来做好了准备。

与硅材料相比，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料也被称为第三代半导体技术。与硅材料相比，宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、击穿场强高等优势。因此，用宽禁带半导体材料制作的器件具有耐高温、耐高压、损耗低、高频特性好等特点， 在功率与射频应用中具有极高潜力。

在量产仪式上，国家集成电路产业基金总裁丁文武等先后发言，对英诺赛科在我国化合物半导体（即第三代半导体）产业发展中做出的成绩予以肯定，也期许英诺赛科为我国氮化镓产业发展开创新局面，做出更大贡献。

在此前一天举行的硅基氮化镓产业发展峰会上，英诺赛科市场与销售副总裁顾怡祥在演进中指出，英诺赛科是全球仅有的从低压到高压（30V-650V）全覆盖的氮化镓整合元件制造商。在快充适配器市场，已经有超过60家客户的量产产品采用英诺赛科器件，出货量达到千万级；在激光雷达市场，超过5家厂商采用英诺赛科方案，出货量达到百万；在数据中心和手机应用上，英诺赛科产品也进入多家核心客户方案中。

氮化镓市场正处于早期发展阶段向大规模应用跨越的关键期，英诺赛科的使命就是打通当前技术普及面临的种种障碍，跨越鸿沟，让氮化镓技术真正惠及社会民生。

在量产仪式同期，英诺赛科还举办了研发楼奠基仪式。据公开信息，作为被国家四部委(发改委、工信部、财政部、海关总署)列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，英诺赛科是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目；同时，作为苏州市独角兽培育企业，英诺赛科承担了多个国家部委及省相关部门的重点研发项目。该研发楼建筑面积3.5万平方米，共十层，高50米，将办公、研发、餐厅三大功能融合在一起，研发楼建成投入使用以后，将为英诺赛科长期发展奠定良好基础。