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尔必达将与联华电子将研发新技术
「日本经济新闻」报导，日本半导体大厂尔必达公司将与台湾的联华电子及力成科技共同研发最尖端的「铜硅穿孔（TSV）」加工技术。报导指出，半导体的微细化技术已快达到极限，将来的研发焦点聚焦在芯片的垂直堆栈技术。
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新创公司企图以STT-RAM取代今日主流内存
今日主流内存技术的末日即将来临？一家专精自旋转移力矩随机存取内存(spin transfer torque random access memory， STT-RAM)的美国硅谷新创公司 Grandis 日前发表了更新的产品蓝图，并宣示以这种新一代 MARM 取代 D
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联电私募 传尔必达策略结盟
联电昨日与尔必达、力成签订直通硅晶穿孔（TSV）技术合作开发合约，市场则再度传出，尔必达将是联电私募案引进策略合作伙伴的口袋名单之一，且双方未来不排除朝向交叉持股的合作方向进行。唯联电及尔必达对此一市场消
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联电尔必达力成 合攻3D IC
联电（2303）、尔必达（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方将结合在三维（3D）IC的设计、制造与封装等优势，投入开发整合逻辑芯片及动态随机存取内存（DRAM）的3D IC完整解决方案，并导入联电的28奈米制程生
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联电与力成及尔必达28奈米TSV技术合作 最快2012年量产
晶圆代工大厂联电(2303-TW)今天与DRAM模块厂力成(6239-TW)日本尔必达(Elpida)(6665-JP)共同宣布针对包括28奈米先进制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技术进行合作。 联电执行长孙世伟表示，有鉴于摩尔定律的成长已经趋缓
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签订3D IC技术合约 蔡笃恭：技术到位后自然有市场需求
力成董事长蔡笃恭今日表示，只要3D IC的TSV技术率先达成熟阶段，市场需求自然会浮现。(巨亨网记者蔡宗宪摄) 日本DRAM晶圆大厂尔必达(6665-JP)，台湾晶圆代工大厂联电(2303-TW)以及DRAM封测大厂力成(6239-TW)今(21
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力晶首季销售激增逾8成跃居全球第5大DRAM供应商
研究机构iSuppli表示，力晶2010年首季销售季成长81%，已跃居全球第5大DRAM供应厂。全球DRAM产业首季营收比前1季成长8.8%，根据iSuppli的资料，前5大DRAM厂约占全球整体DRAM产业营收的91%，前2大厂三星电子(SamsungEl
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海力士：无锡封测厂可月产1亿颗1GB DRAM
全球第2大内存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布，该公司已与大陆厂商无锡太极实业(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江苏省无锡市建成第二座内存厂房，名称为「高科技半导体封装测试公司(HitechSemiconductorPackage
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联电、尔必达、力成挥军铜制程3D芯片
联电（2303）、尔必达（Elpida）、力成（6239）等3家半导体大厂今（21）日将宣布策略合作，据了解，3家业者将针对铜制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技术进行合作开发，除了针对3D堆栈铜制程之高容量DRAM技术合作
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海力士中国大陆第2座存储器封测工厂落成
韩联社(Yonhap)报导，海力士(Hynix Semiconductor)在中国大陆的第2座存储器封测工厂已落成。这座厂房名为Hitech半导体封装测试公司，位于江苏无锡，是与无锡太极实业合资的企业，由海力士持有45%股权，太极实业拥有剩
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南亚科、瑞晶40纳米6月导入全面反制三星大扩产计画
继三星电子(SamsungElectronics)宣布大手笔资本支出，台系DRAM厂亦不甘示弱，台塑集团旗下南亚科和尔必达(Elpida)集团旗下瑞晶都决定提前于6月导入42及45纳米制程，较原订计画提前整整1季。南亚科发言人白培霖表示，
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南亚科、瑞晶40纳米6月导入 全面反制三星大扩产计画
继三星电子(Samsung Electronics)宣布大手笔资本支出，台系DRAM厂亦不甘示弱，台塑集团旗下南亚科和尔必达(Elpida)集团旗下瑞晶都决定提前于6月导入 42及45纳米制程，较原订计画提前整整1季。南亚科发言人白培霖表示
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2010年即将过半，分析师电子产业的十大看点
到目前为止，各种迹象都显示今年电子产业发展前景乐观，而且成长幅度会很大；但总是还有一些令人忧虑的地方……以下是EETimes美国版资深编辑MarkLaPedus对2010年“一则以喜、一则以忧”的十个看点。1.IC市场火热……
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世界先进产品线
世界先进首季营收比重中，逻辑产品占营收比重89%，DRAM11%。在逻辑产品线中，由于电视、PC及手机等带动需求，大尺寸驱动IC营收季增49%，占逻辑产品50%，小尺寸占逻辑产品线比重16%，营收也比上季增加47%。此外，电源
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移动DDR2 DRAM将把DRAM扩展到手机以外领域
据iSuppli公司，双倍数据率(DDR2)DRAM将迅速占领手机市场，这种新一代DRAM预计将取代传统DDR，在2011年以前成为主流移动DRAM技术。在2010年总体移动DRAM出货量中，预计约有80%是DDR。但是，随着DDR2在2011年下半年成
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尔必达中国大陆设厂将引发新一轮DRAM战火
继三星电子(SamsungElectronics)宣布巨额资本支出计画后，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄亦表示，最快将在2012年前与台系DRAM厂到大陆设新厂房，并将邀请大陆政府官方入股。业界推测尔必达落脚之处有两个选项，其一是茂
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三星砸钱瞄准东芝 台DRAM厂喘口气
三星电子 (SamsungElectronics)宣布投下巨额资本支出计划，在全球DRAM产业掀起滔天巨浪，尤其台系DRAM厂忧心忡忡，担心还没打仗就先输了一半，不过，近期存储器业者在深入探询三星布局后表示，三星这场充满杀敌言论的
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尔必达中国大陆设厂将引发新一轮DRAM战火
继三星电子(Samsung Electronics)宣布巨额资本支出计画后，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄亦表示，最快将在2012年前与台系DRAM厂到大陆设新厂房，并将邀请大陆政府官方入股。业界推测尔必达落脚之处有两个选项，其一是茂
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照明市场大 LED不会是下个DRAM
关于市场上传出led产业可能会成为下一个DRAM的看法，LED磊晶龙头厂晶电(2448)董事长李秉杰8日表示，LED照明市场的规模比背光市场大很多，而LED照明市场估计要到2016~2017年才会饱和，因此，按目前照明市场仍有相当大
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三星砸钱瞄准东芝 台DRAM厂喘口气
三星电子 (SamsungElectronics)宣布投下巨额资本支出计划，在全球DRAM产业掀起滔天巨浪，尤其台系DRAM厂忧心忡忡，担心还没打仗就先输了一半，不过，近期存储器业者在深入探询三星布局后表示，三星这场充满杀敌言论的
