MOSFET
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热插拔控制器在直流升压电路中的设计应用
设计了一种利用热插拔保护控制芯片，实现直流升压电路的输出过流、短路保护。本文分析了直流升压电路以及热插拔保护电路的工作原理及实现方式，详细介绍了电路及参数设计、选择过程，以及实际工作开关波形，并给出了设计实例。实验证明，利用热插拔保护控制芯片，有效地避免了常规直流升压电路在输出过流短路时的固有缺陷，提高了电源使用的可靠性。
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Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V
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Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
采用PowerPAK® SO-8封装的P沟道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移动计算21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内最低
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政策扶持重点 功率半导体产业进黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业
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答疑解惑 盘点在开关电源设计中的经典问答题
如何为开关电源电路选择合适的元器件和参数?很多未使用过开关电源设计的工程师会对它产生一定的畏惧心理，比如担心开关电源的干扰问题，PCB layout问题，元器件的参数和类型
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Vishay的Si7655DN -20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之最佳产品奖
【导读】宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品
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Vishay的Si7655DN -20V P沟道MOSFET荣获最佳产品奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。EDN China创新奖于2005年引入国内，以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设
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瑞萨转单效应，尼克森收复季线
MOSFET厂尼克森(3317)11月营收创下今年次高数字，市场看好来自瑞萨转单效应发酵，可望挹注出货量大幅成长，不过尼克森表示，转单效应并没有那么强烈，而公司除了力守PC市场MOSFET市占外，长期规划也将着眼于非PC市场
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瑞萨转单效应，尼克森收复季线
MOSFET厂尼克森(3317)11月营收创下今年次高数字，市场看好来自瑞萨转单效应发酵，可望挹注出货量大幅成长，不过尼克森表示，转单效应并没有那么强烈，而公司除了力守PC市场MOSFET市占外，长期规划也将着眼于非PC市场
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瑞萨转单效应，尼克森收复季线
MOSFET厂尼克森(3317)11月营收创下今年次高数字，市场看好来自瑞萨转单效应发酵，可望挹注出货量大幅成长，不过尼克森表示，转单效应并没有那么强烈，而公司除了力守PC市场MOSFET市占外，长期规划也将着眼于非PC市场
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Vishay推出通过AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET
非对称封装优化低边MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC转换器中可节省空间21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO
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Vishay推出通过AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Si
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MOSFET封装进步帮助提供超前于芯片组路线图的移动功能
面临为需求若渴的移动设备市场提供新功能压力的设计人员正在充分利用全新亚芯片级封装(sub-CSP)技术的优势，使用标准IC来构建领先于芯片组路线图的新设计。简介：移动功能市场需求移动电话渗透率在已开发市场达到了
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MOSFET封装进步帮助提供超前于芯片组路线图的移动功能
面临为需求若渴的移动设备市场提供新功能压力的设计人员正在充分利用全新亚芯片级封装(sub-CSP)技术的优势，使用标准IC来构建领先于芯片组路线图的新设计。简介：移动功能市
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Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装尺寸，可用于移动计算，在4.5V下导通电阻低至8.0mΩ21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款
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浅析影响DC-DC转换器效率的主要因素
本文详细介绍了开关电源(SMPS)中各个元器件损耗的计算和预测技术，并讨论了提高开关调节器效率的相关技术和特点，以选择最合适的芯片来达到高效指标。本文介绍了影响开关电
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Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出
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科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车/电动车功率变换器
科锐公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣锐特科技有限公司宣布：欣锐特最新推出的高效混合动力车/电动车（HEV/EV）功率变换器中采用科锐1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高达96%，实现业界领先。欣锐特是一
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科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车/电动车功率变换器，实现业界领先的96%效率|| 欣锐特与科锐密切合作，设立一流电动汽车功率变换器的新标杆
2013 年 11月 18日，中国上海讯 — 科锐公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣锐特科技有限公司宣布：欣锐特最新推出的高效混合动力车/电动车（HEV/EV）功率变换器中采用科锐1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高达96
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科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车
科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车/电动车功率变换器，实现业界领先的96%效率 欣锐特与科锐密切合作，设立一流电动汽车功率变换器的新标杆 2013 年 11月 18日，科锐公司(Nasdaq: CREE)和深圳欣锐特科技有限公
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