MOSFET
-
SiC半导体元件“真命天子” 沟道MOSFET即将实用化
LED半导体照明网讯 高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产“沟道型”SiC MOSFET’（电装解说员）。在2013年10月举办的‘CEATEC JAPAN 2013’上，电装展示了SiC的相关技术（图
-
德州仪器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低导通电阻
小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。
-
数字供电和模拟供电
数字供电和常见的模拟供电不同，前者采用了数字PWM，体积更小的整合了数字MOSFET和DRIVER的芯片，以及体积更小的数字排感，搭配多个MLCC;而模拟供电不同，采用传统的PWM芯片
-
三相正弦波逆变器瞬态的共同导通问题设计方案
在三相正弦波逆变器瞬中瞬态共同导通往往是被忽略的问题，因为瞬态过程很难捕捉。以半桥变换器为例，其典型驱动电路如下图a)所示，理想的栅极电压波形如下图(b)所示。 但是
-
恩智浦推出首款采用1.1-mm2无铅塑料封装的3 A晶体管
高Ptot MOSFET和双极性晶体管具有很低的RDson和VCesat基准值，适用于空间受限应用中的电源管理和负载开关恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分
-
ST PNP电晶体兼具MOSFET能效与板空间使用效率
意法半导体(ST)最新的双载子功率电晶体 3STL2540 ， 提供双载子电晶体的成本优势与矽晶面积使用效率，同时兼具同等级 MOSFET 的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本电源管理和 DC-DC 电源转换器(DC-DC convert
-
SiC功率半导体元件的“真命天子”，沟道MOSFET即将实用化
“高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET”（电装解说员）。 在2013年10月举办的“CEATEC JAPAN 2013”上，电装展示了SiC的相关技术（图1）。其中包括了两大“惊
-
怎样做好LED照明设计
LED光源具有节能、环保、发光均匀、使用寿命长、光色RGB的发光强度能连续变化，并可按照环境整体要求进行编程控制等传统光源无法比拟的优势，在照明设计产品应用过程中，越来越成为灯光设计师们的首选光源。而在LED照明设计中我们要先了解LED照明的设计理念。
-
浅析影响DC-DC转换器效率的主要因素
效率是任何开关电源（SMPS）的重要指标，特别是便携式产品，延长电池使用寿命是一项关键的设计目标。对于空间受限的设计或者是无法投入成本解决功率耗散问题的产品，高效率也是改善系统热管理的必要因素。
-
IR推出AUIRF8736M2 车用DirectFET2功率 MOSFET 提供更高功率密度及更小的系统尺寸和成本
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，适合需要在紧凑的占位面积内提供高功率密度的重载汽车应用，包括
-
ST推出双极功率晶体管 媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装
21ic讯 意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器(DC-
-
Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖
【导读】日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5
-
Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖
20V P沟道器件具有低导通电阻和超薄PowerPAK® 1212-8S封装日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源
-
Vishay的Si7655DN MOSFET荣获Top-10电源产品奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱
-
Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只
-
Linear 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5
21ic讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5，该器件能以高达 80V 的输入电压工作，在高达 100V 瞬态时
-
麦瑞半导体推出85V半桥MOSFET驱动器 集成阴极负载二极管且有最宽可编程栅极驱动电压范围
和用于电池供电应用的现有器件相比，该解决方案可把工作时间延长40%21ic讯 麦瑞半导体公司今天推出了85V半桥MOSFET驱动器MIC4604。MIC4604具有集成的85V阴极负载二极管和业
-
解析LED驱动市场的产业现状及其未来趋势
在LED照明市场的强劲驱动下，也带动LED驱动市场成长，LED驱动规模逐渐攀升，据市场研究机构预测，LED驱动IC市场营收规模将由2010年的近20亿美元，在2015年达到近35亿美元，期间平均复合年成长率为12%。该机构并指出，
-
LED驱动市场现状及趋势
在LED照明市场的强劲驱动下，也带动LED驱动市场成长，LED驱动规模逐渐攀升，据市场研究机构预测，LED驱动IC市场营收规模将由2010年的近20亿美元，在2015年达到近35亿美元，
-
PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器
PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器：“PhotoMOS”是松下电器的一款采用光电元件以及功率MOSFET进行输出的输出光电耦合器。面世二十年间，在全世界的销量达到八亿个，
