有源箝位结构可以预防电感负载关闭时的过电压东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布,该公司已经推出了用于继电器驱动器的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)"SSM3K33
可将导通电阻降低约24%东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列,并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”,并
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列,并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”,并计划于2013年8月投入量产。通过优化芯片设计,可将其每单
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出第四代超级结MOSFET“DTMOS IV”系列650V设备。作为该系列的首款产品,“TK14A65W”已经推出,并计划于2013年8月全面投入量产。该系列采用最
实现顶级1低导通电阻性能东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出第四代超级结MOSFET“DTMOS IV”系列650V设备。作为该系列的首款产品,“TK14A65W&rdq
UC3625无刷直流电动机开环速度控制
6月下旬,凌力尔特向业界推出LT4320 、LT3081两款新品。为此,凌力尔特召开了新品发布会,21ic记者也受邀参加。如今,几乎所有产生的电能都是 AC型的,而电子系统所需要的则为DC型。即使是传统上只接受交流电的设备也
系统5V或3.5V时,MOSFET驱动,同时需要相当数量的元件,产生额外的+12V电压,但典型的双MOSFET驱动器不可能采用第二个通道驱动12V电源,通过在独立引脚上使用漏极驱动器,可
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay
低导通电阻可减少移动设备的传导损失21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和功率管理开关专用保护电路中使用
为小型家用电器提供热感应和稳定的电磁干扰性能,模块经过优化,能够在严苛的应用条件下确保效率及最高可靠性21ic讯 电机控制系统设计人员需要能够在严苛的应用条件下,提
一款汽车灯调光电路
随着电力电子技术的高速发展,电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切,而电子设备都离不开可靠的电源,进入80年代计算机电源全面实现了开关电源化,率先完成计算机
随着电源技术的发展,低电压,大电流的开关电源因其技术含量高,应用广,越来越受到人们重视。在开关电源中,正激和反激式有着电路拓扑简单,输入输出电气隔离等优点,广泛
多相DC-DC转换器引出当今的高性能ASIC和微处理器己广泛应用工控、通信航天等各个领域。但由于它的功率消耗较高,有时高达150W甚至超过,对于1V至1.5V的电源电压,这些器件所
安森美半导体 (ON Semiconductor) 推出两款新的MOSFET器件,用于智能手机及平板电脑应用,作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用
有源箝位结构可以预防电感负载关闭时的过电压东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布,该公司已经推出了用于继电器驱动器的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)"SSM3K33
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布使用CMOS兼容工艺开发高功率增益晶体管。该晶体管可有效降低高频射频/模拟前端应用的功耗。详细信息将于6月12日在2013年超大规模集成电路技术及电路研讨会(Symposia o
21ic讯 东芝公司今天宣布使用CMOS兼容工艺开发高功率增益晶体管。该晶体管可有效降低高频射频/模拟前端应用的功耗。详细信息将于6月12日在2013年超大规模集成电路技术及电路
1.集成运算放大器是一种高增益直接耦合放大器,他作为基本的电子器件,可以实现多种功能电路,如电子电路中的比例,积分,微分,求和,求差等模拟运算电路。2.运算放大器工作在两个区域:在线性区,他放大小信号;输入