氟化氢供应不足影响存储芯片生产，内存价格快速反弹

据BusinessKorea报道，随着日本政府限制向韩国出口半导体材料，内存芯片的国际现货价格正在快速反弹。在这种情况下，预计全球半导体市场状况将比先前预期更好。

根据市场研究公司DRAMeXchange的数据，DRAM现货价格在上周和本周均有所上涨，而NAND闪存价格在上个月末开始逐渐上涨。PC DRAM（DDR4 8Gb）价格从7月11日到15日，上涨了11.8％，而DDR3 4Gb上涨率为13.7％。同期NAND闪存（64Gb MLC）价格上涨3.6％。

这比以前的预测更乐观。一个月前，DRAMeXchange预测NAND闪存和DRAM价格将分别在今年第三季度和2020年第二季度触底。

这种意外的变化与上周开始的出口限制有关。“日本对韩国的出口限制导致NAND闪存市场需求快速复苏，”Kiwoom证券解释说，“3D NAND价格已接近其下限，并且由于东芝的停电问题和出口限制可能会进一步刺激它们导致库存迅速减少，这种情况下，客户希望能购买更多内存产品。”

业内人士正在关注氟化氢的采购，氟化氢是日本政府限制的化学品之一。这是因为如果韩国和日本之间的经济纠纷持续很长时间，供应不足将严重影响存储芯片的生产。

目前，韩国公司使用的氟化氢中有43.9％来自日本。日本的供应几乎是不可替代的，因为它的纯度要高得多，而半导体制造工艺本质上不允许混合使用材料。这意味着延长出口限制可能导致内存芯片产量下降，主要原因就是氟化氢供应不足。