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[导读]8月23日下午消息,据报道,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示,毋庸置疑的,摩尔定律依然有效且状况良好,它没有死掉、没有减缓、也没有带病,并透露晶体管将能做到0.1纳米。 1965年提出的摩

8月23日下午消息,据报道,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示,毋庸置疑的,摩尔定律依然有效且状况良好,它没有死掉、没有减缓、也没有带病,并透露晶体管将能做到0.1纳米。

1965年提出的摩尔定律(Moores Law)引领半导体发展超过半世纪,这个定律主要是指芯片上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。

但摩尔定律有没有走到极限?走到极限未来会是什么样的发展?这是近几年来全球科技界业讨论相当多的问题。

近几年,互补金属氧化物半导体(CMOS)先进制程中,最新几代纳米节点的功耗改善程度,已出现明显的放缓。科技界观察到,从45纳米到14纳米的节能数据可以看出,虽然每一代制程,芯片的面积变得越来越小,但能够达到的能耗缩减幅度却越来越小,尤其在14纳米初期最为明显。近二、三年进入更先进的10纳米制程,也有类似状况。这不禁让人忧心,摩尔定律是否即将走到尽头?

对此,在本周开幕的第31届HotChips大会专题演讲中,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示,摩尔定律依然有效且状况良好。

对于未来的技术路线,黄汉森认为像碳纳米管(1.2nm尺度)、二维层状材料等可以将晶体管变得更快、更迷你;同时,相变存储器(PRAM)、旋转力矩转移随机存取存储器(STT-RAM)等会直接和处理器封装在一起,缩小体积,加快数据传递速度;此外还有3D堆叠封装技术。

黄汉森强调,社会对先进技术的需求是无止境的,他还强调,除了硬件,软件算法也需要迎头赶上。

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