向1nm技术节点进军

IMEC于10月11日在东京举办了年度研究结果介绍会“ IMEC Technology ForumJapan 2019（ITF Japan 2019）”。

原先负责并领导IMEC的半导体微缩化工艺/器件部门的安·斯蒂根（An Steegen）于2018年秋季突然退休，留下重要职位空缺。会议当天，新到任的Myung-Hee Na博士作了题为“通往CMOS微型化极限的道路”的演讲，并介绍了更新至1nm节点的IMEC半导体技术路线图。在2001年加入IBM之后，她从事尖端半导体工艺和器件的研发工作已有18年，并于2019年加入IMEC。前任Steegen也来自IBM，因此Myung-Hee算是其后辈。

改进晶体管的结构和材料以延续摩尔定律

让我们看一下IMEC发布的半导体技术路线图。横轴表示时间，纵轴表示每单价的晶体管数（晶体管数/美元）。随着微型化和集成化的发展，由于工艺复杂性，制造成本正在迅速上升，因此，无法按摩尔定律降低单位晶体管的制造成本。

迈向1nm节点的技术路线图（来源：IMEC）

长期以来，摩尔定律已经失效，但IMEC并没有放弃，持续改进晶体管结构和材料，并且对工艺进行优化以呈现1nm节点的技术路线图。

从28nm技术节点采用HKMG（High-K/ Metal Gate），并在16 / 14nm之后从传统的平面结构转向FinFET结构。从7 /5nm开始，开始采用Co作为MOL布线材料以及EUV光刻，以进一步改进FinFET结构。

从4/3nm节点开始，FinFET将被GAA结构取代，第一代GAA将采用硅纳米片。独创的埋入式电源线（将Vcc和地线埋入前层以压缩标准单元面积）将采用Ru作为布线材料。

半导体器件结构路线图（来源：IMEC）

2nm采用Forksheet，1nm采用CFET

对于高性能和低功耗应用，IMEC计划采用FinFET的改进版本。换句话说，2nm技术节点将采用Forksheet结构，其中n型和p型纳米片紧密地靠在一起，并且其间有一层“绝缘墙”。之所以命名为forksheet，是因为其截面类似于餐叉。与此同时，在芯片背面提供配电网络（PDN）从而向BPR提供有效的电能供应。

当达到1nm节点时，IMEC会采用CMOS结构的Complementary FET（CFET）。在此，通过在p型FET上堆叠n型FET，即通过三维堆叠具有不同导电类型的晶体管，从而标准单元面积被大大减小。据说芯片的背面可以提供更多功能，但未公开细节。从这里开始，将采用high-NA EUV光刻以进一步微缩晶体管结构。

IMEC还希望采用二维材料，自旋电子学和量子计算。为了将来进一步微缩，除了设计和工艺协同优化（DTCO）之外，系统和工艺协同优化（STCO）也很重要。

最终的二维CMOS结构“Forksheet FET”（来源：IMEC）

到目前为止，SRAM必须在每个存储单元的平面上构建6个晶体管。IMEC表示，通过改进晶体管结构和电源线，即通过采用GAA和BPR，顶视图中SRAM晶体管的等效数量可以减少到每个存储单元4.4个晶体管，即SRAM单元面积大约减小到原来的2/3。

延续摩尔定律的另一种技术是3D封装。在2019年5月于比利时举行的IMEC技术论坛2019上对此进行了详细介绍。从芯片堆叠开始的3D封装最终将出现在晶体管本身的3D堆叠中。IMEC正在同时研究垂直堆叠以及横向微缩，并正在尝试提高系统集成度。为此，IMEC同时专注于优化工艺技术，设计技术和系统技术。