采用7nm制造工艺！高通发二代5G基带骁龙X55

2016年10月，高通发布了其第一款5G基带“骁龙X50”，新旗舰平台骁龙855搭配的就是它，但这款基带存在很多不足。

骁龙X50仅支持5G模式(5G NR)，必须与骁龙855内置基带合作才能支持2G/3G/4G，而且对5G频段的支持也不全，另外它还采用了落后的28nm工艺，功耗和发热都不够理想。

现在，高通正式发布了第二代5G基带“骁龙X55”，终于解决了以上痛点。

骁龙X55采用了最新的7nm工艺制造(三星还是台积电待确认)，而且进化为完全独立的多模全球5G基带，任何地区、任何频段、任何网络都可用！

骁龙X55单芯片即可完全支持2G、3G、4G、5G网络，而且将4G连接能力提升到了LTE Cat.22，并支持八载波聚合、256-QAM，最高下行速度2.5Gbps。

骁龙X55还通吃全球5G网络，支持26GHz、28GHz、39GHz三个毫米波段，以及TDD/FDD双模式的5G NR 6GHz以下频段。

在此之前，骁龙X50仅支持28GHz、39GHz两个毫米波段，以及TDD模式5G NR 6GHz以下频段。要知道，800MHz及更低频段仅存在于FDD模式下，所以骁龙X55的升级至关重要。

不过可惜的是，骁龙X55基带要到在2019年晚些时候才会商用，所以第一波骁龙855 5G手机是赶不上了。

随着对26GHz毫米波的支持，高通还发布了新的毫米波天线模块“QTM525”，取代此前的QTM052。

新模块身材更加迷你，高通保证可放入厚度不到8毫米的轻薄手机中，而规格方面维持相同的2x2 MIMO 800MHz带宽，搭配新基带骁龙X55在毫米波段速度最高6Gbps，而在LTE 4G模式下叠加6GHz以下频段后最高可达7Gbps。

此外，高通还同时发布了两款新的5G RF射频方案，5G包络跟踪器“QET6100”、5G NR适应性天线调节器“QAT3555”。

QET6100并不是第一个5G ET方案，骁龙X50和其他竞品5G基带都有，不过首个支持100MHz上传频段，而此前仅支持40MHz。

能效最高提升了2倍，有利于延长电池续航，并改善了室内网络、256-QAM的覆盖能力和网络利用率。

QAT3555支持数量庞大的5G天线，600MHz-6GHz频率全覆盖，而且封装厚度减小了25％。

对比前代产品，它还加强了室内覆盖，提高了能效，持续数据传输率更高更稳。

有了它，不管你怎么手持5G手机，都不会影响信号收发，避免“死亡之握”。