持续发力中国市场，Soitec宣布中国市场发展新战略

消息，近日，Soitec在北京举办中国市场战略调整计划发布会，发布了中国市场发展新战略。面对5G和人工智能市场需求，Soitec承诺将继续加强本地化支持，直接面向中国客户，助力中国半导体生态系统。

Soitec是全球最大的优化衬底供应商，拥有Smart Cut、Smart Stacking、Epitaxy等核心技术，主要面向智能手机、汽车、云和物联网市场。该公司在全球拥有1200多名员工、3000多项专利，在欧洲、美国和亚洲设有制造工厂、研发中心和办事处。

会上，Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk、全球业务部执行副总裁Bernard Aspar和全球销售主管Calvin Chen相继介绍本次战略调整的策略及意义，并在会后与进行了进一步交流。

SOI加持半导体性能提升

SOI全称为Silicon On Insulator，即绝缘硅衬底，该技术是在顶层硅和背衬底之间引入一层氧化埋层。由于氧化埋层的隔离作用，晶体管源-漏间的寄生电容可大幅减小，半导体器件的延迟和动态功耗可以做的更低，且SOI与现有硅工艺兼容，可减少约20%的生产工序。

了解到，在目前的SOI衬底技术中，Smart Cut是最具发展潜力的一种。Bernard Aspar在会上介绍称，“Smart Cut就像是一把纳米刀，能够切割非常薄、非常完美的硅层，并将其叠加到其他的基体之上。”

据悉，Soitec充分了解用户需求，开发了各种适用于不同类型应用和产品的全系列优化衬底，目前有用于射频前端模块的RF-SOI、用于无缝高压器件隔离的Power-SOI、用于高性能处理器的FD-SOI、用于压电晶体的POI、用于光通信器件的Photonics-SOI，以及用于成像的Imager-SOI。这些SOI产品可加快满足AI和5G在大规模连接、高带宽、高可靠性和低延时性等方面的要求。

与HKMG（High-K Metal Gate，高介电常数金属栅极）等技术相比，SOI衬底技术可适应更广泛的发展需求。Thomas Piliszczuk在会后对解释道，以HKMG技术为例，其最高只能适应28nm节点工艺，越过这一节点后就需要另寻他途。

而SOI技术从十几年前的200nm工艺一直沿用至今天的14nm工艺，据法国研究机构CEA-LETI论证，SOI技术在未来的10nm及更小的节点上仍可继续演进，不但能持续优化半导体性能，且成本相比Finfet等栅极工艺相比也有优势。

在过去的一年里，5G的飞速进步使得射频前端设计更加复杂，对RF-SOI晶圆的需求高速增长。另外，随着AI、物联网、汽车电子的蓬勃发展，具有节能优势的基于FD-SOI衬底的芯片设计开始广受欢迎。

加速中国5G和AI发展

十年以来，Soitec一直是中国半导体行业的坚定合作伙伴。自2007年Soitec与中国大学和研发机构建立合作关系伊始，至如今与中国代工厂开展紧密合作，始终致力于为中国市场提供差异化价值。

Bernard Aspar在会上介绍称，中国近年来以超过美国240亿美元的成本投资于5G网络的基础建设，在人工智能领域的投资占全球总额的近60%。预计到2020年，中国半导体行业增长率将达到20%，5G将支持物联网的广泛应用，并为自动驾驶技术等AI应用提供巨大的机会。

他表示，人工智能和物联网将引发新一轮半导体革命，延迟、稳定性、数据隐私、能耗及成本都在促使AI向边缘端发展，更加需要低功耗解决方案。Soitec的FD-SOI优化衬底通过在超低功耗层面实施基底偏压，有助于实现AIoT的动态演变及丰富应用。

目前，RF-SOI材料已应用在几乎所有智能手机中，并且容量随着新产品的迭代更新而不断增长；而FD-SOI所带来的独特射频性能，使其成为诸如5G毫米波收发器等应用的理想解决方案，并能够为物联网实现全射频和超低功耗计算集成。

据介绍，FD-SOI已经应用于多个AIoT解决方案，如NXP i.MX RT600交叉处理器采用了FD-SOI解锁边缘机器学习和人工智能的潜力；Lattice基于FD-SOI的下一代持续在线FPGA低功耗机器学习推理（从1mW到1W），设计人员可以构建紧凑的高性能AI芯片；Synaptics下一代人机界面由基于FD-SOI的AI环境计算提供支持智能将向边缘发展；Rockchip RK1808采用22nm FD-SOI工艺的终极低功耗解决方案，内置3TOP NPU，专为各种人工智能和物联网应用而设计，相比主流的28nm工艺，功耗可降低约30％。

中法企业合作，共建行业新标准

Soitec从2007年开始与中国研究单位合作，为中国提供服务有超过10年。

Calvin Chen表示，Soitec依托中国高速发展的大环境，成功部署了依赖于整个生态系统的协作体系，包括基础设施和网络供应商、OEM厂商、无晶圆厂、集成器件制造、设计公司、晶圆代工、衬底、研发和学术界等。

在会上获悉，今年2月26日，Soitec宣布成为首家加入中国移动5G联合创新中心的材料供应商。中国移动5G联合创新中心是国际化联盟，致力于为中国开发5G通信解决方案。硅基和非硅基优化衬底对于5G移动通信在自动驾驶汽车、工业连接和VR等领域的大规模部署发挥着至关重要的作用。

除了为中国客户提供销售与技术支持外，Soitec通过与上海新傲科技建立长期合作伙伴关系，可为中国客户提供高品质、及时与高产量的SOI晶圆供应。

会后进一步了解到，今年2月，Soitec刚刚宣布与新傲科技加强合作关系，扩大新傲科技位于中国上海制造工厂的200mm SOI晶圆年产量，产能将从每年180000片翻倍至每360000片，以更好地服务全球市场对RF-SOI和Power-SOI产品的增长性需求。新傲科技将负责SOI晶圆制造，Soitec则管理全球产品销售。目前，新傲科技工厂已获得了多家国内外主要客户的认可。

Soitec不仅为建设新一代首批5G和Sub-6GHz设备基础设施生产了大量300mm RF-SOI晶圆，而且为客户提供多种65nm、28nm和22nm节点制造的FD-SOI产品。

Paul Boudre在会上表示，SOI的价值不仅体现于衬底层面，还体现于全球价值链中的设备、系统和终端应用层面。为了把Soitec的价值推广到中国客户以及中国客户的下游消费者，Soitec将会在中国设立一支富有经验的全球销售及市场和业务拓展团队，与全球价值链中的主要参与者展开广泛的联系。