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[导读]【2026年9月23日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布,为可再生能源解决方案的领先提供商麦田能源提供碳化硅(SiC)功率半导体器件,助力提升其户用储能系统(ESS)的运行效率。麦田能源采用英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 Q-DPAK封装,将开关损耗降低70%。依托该技术,麦田能源PQ3-Ultra储能系统实现光伏逆变器最高并网效率98.78%,电池充放电最高效率达98.47%。

【2026年9月23日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布,为可再生能源解决方案的领先提供商麦田能源提供碳化硅(SiC)功率半导体器件,助力提升其户用储能系统(ESS)的运行效率。麦田能源采用英飞凌CoolSiC™MOSFET1200VG2Q-DPAK封装,将开关损耗降低70%。依托该技术,麦田能源PQ3-Ultra储能系统实现光伏逆变器最高并网效率98.78%,电池充放电最高效率达98.47%。

英飞凌科技光伏与户用储能系统应用经理AmitRaut表示:“通过Q-DPAK封装的碳化硅MOSFET,我们将户用储能系统的效率、散热性能与设计灵活性提升到全新水平。麦田能源的实践充分证明,先进碳化硅技术能够转化为可量化的系统性能提升,推动清洁能源解决方案在全球家庭的进一步普及。”

麦田能源研发总监邓志江表示:“与英飞凌的合作是我们打造高性能储能解决方案战略的重要支柱。英飞凌的CoolSiC™技术兼具优异的效率与出色的可靠性,与我们的产品理念高度契合。双方携手合作,进一步提升户用储能系统性能,加速可再生能源的落地应用。”

麦田能源储能系统采用顶部散热Q-DPAK封装的英飞凌第二代CoolSiC™MOSFET1200V,实现优化的散热性能、系统效率与功率密度。该器件专为具有高性能、高可靠性需求的应用开发。产品搭载英飞凌先进的.XT互连技术,可降低热阻与工作结温,而沟槽栅架构则有助于减少开关损耗。与传统底部散热设计相比,Q-DPAK封装可支持更优的PCB布局,有助于降低寄生参数和杂散电感的影响,提供更出色的热管理能力。器件紧凑的尺寸可以支持节省空间的系统设计,支持自动化组装,助力企业实现经济高效的规模化生产。

采用顶部散热Q-DPAK封装的英飞凌第二代CoolSiC™MOSFET1200V,提供优化的散热性能、系统效率与功率密度

麦田能源PQ-H3-Ultra-10.0逆变器搭配EQ3300-5电池组成的混合储能系统,在柏林工程和经济应用科学大学(HTWBerlin)与AQUUResearch近期开展的测试中,取得97.0%的系统性能指数(SPI),在2026年10kW组全部受测混合逆变器储能产品中排名第一,并创下了自2018年该评测启动以来的SPI历史最高纪录。近三年来,麦田能源已在全球70余个国家落地部署超89万台光伏逆变器、逾100万组电池产品。

麦田能源PQ3-Ultra储能系统在柏林工程和经济应用科学大学(HTWBerlin)与AQUUResearch近期开展的测试中,取得97.0%的系统性能指数(SPI)

本次合作充分体现两家企业的共同目标:在全球范围推动高效、可靠的户用能源解决方案发展。

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