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[导读]在本系列的第一部分中,我讨论了外部偏差的必要性以及我们需要在什么条件下考虑它。在这一部分中,我将研究我们是否可以将外部偏置应用于任何控制器,然后列举了一根外部偏置的电路。

在本系列的第一部分中,我讨论了外部偏差的必要性以及我们需要在什么条件下考虑它。在这一部分中,我将研究我们是否可以将外部偏置应用于任何控制器,然后列举了一根外部偏置的电路。

根据经验,我们不能将外部偏置应用于对控制场效应晶体管 (FET)(也称为高侧 FET)具有电流限制的控制器。这归结为电流限制是如何实施的。

让我们看几个例子。第一个器件是 LM3495,一种仿真峰值电流模式降压控制器。乍一看,我们可以在 V IN引脚上施加外部偏置似乎是可行的。

然而,通读数据表,有一个部分称为高端电流限制。当高端 FET 开启时,比较器会监控其两端的电压。如果在 FET 导通时高端 FET 的漏源电压超过 500mV,LM3495 将立即进入打嗝模式。高端 FET 开启后的 200ns 消隐期可防止开关瞬态电压无故触发高端电流限制。

现在,如何实际监控高侧 FET 两端的电压?比较器有两个输入。第一个输入是 SW 引脚,第二个输入是 V IN引脚。假设是高端 FET 的漏极和 V IN引脚始终处于一个电位。

这种配置节省了一个引脚,但它使外部偏置成为问题。假设我们 5V 作为外部偏置施加到 V IN引脚。输入电压为 3.3V,施加到高端 FET 的漏极。这会在比较器上产生 1.7V 的差异,寻找 500mV,因此控制器进入打嗝模式。

下一个器件示例是 LM27403。查看数据表,高侧 FET 没有电流检测。因此,我们可以使用该器件在低 V IN应用中为 VDD 引脚提供外部偏置。

我怎么知道要对 VDD 引脚施加外部偏置?让我们看一下图 1 所示器件的框图。注意为低侧 FET 驱动电路显示的电源电压;在这种情况下,它是 VDD。如果我们查看图 2 中的应用电路,我们将看到 CBOOT 通过二极管连接的位置。对于 LM27403,也是 VDD。因此,我们可以确定 VDD 是用于施加外部偏置的正确引脚。

1:显示 VDD 的框图

2:显示 VDD 的应用电路

现在的问题是如何确定可以在 VDD 引脚上施加什么电压值。为此,我们需要参考 VDD 引脚的绝对最大额定值,并确保施加的外部偏置不违反该额定值。查看 LM2403 数据表,VDD 的绝对最大值为 6V,建议的工作最大值为 5.5V。

5V 是板上的共轨电压,可用作适当的偏置电压。为了不违反 VDD 引脚的绝对最大额定值,偏置电压需要是一个稳定的电压。

我将介绍一个电路,我们可以使用该电路为任何控制器生成外部偏置。在 5V 偏置轨无法用于提供外部偏置的情况下,这可能证明是有用的。

查看图 3,阴影区域是偏置的外部电路。Ric 代表集成电路 (IC) 汲取的电流。

3:阴影框中显示的外部偏置电路

我们必须确保外部偏置电路可以提供电流,因为它取决于工作频率、所选的场效应晶体管 (FET) 等。

Iic = (Qg(Q1) + Qg(Q2))*1e-09*Fsw*1e03 (1)

让我们插入一些数字,并使用以两种不同频率运行并使用 TI CSD87381P NexFET™ 电源块的器件为例。这些是模拟条件:

· Qg(Q1) = 3.9nC。

· Qg(Q2) = 6.2nC。

· Iic = 12mA 在 1,200kHz。

· Iic = 5mA 在 500kHz。

计算出 Iic 后,我们可以通过 Vext_bias/Iic 计算模拟的 Ric。

使用计算出的 Ric 运行仿真,并确保 Vext_bias 不超过 VDD 引脚或需要施加外部偏置的 IC 引脚的绝对最大值。在某些情况下,我们可能需要一个齐纳二极管或额外的负载电阻。

4 和图 5 显示了电路波形。我们可以看到我为外部偏置生成了接近 5V 的电压。正如本系列第 1 部分中的效率曲线所示,无论情况如何,这种方法都有助于提高效率或使电路能够支持更高的电流。

4Fsw = 1,200kHz 和 Iic = 12mA 时的波形

5Fsw = 500kHz、Iic = 5mA 时的波形

有许多电荷泵方案可能有各种变体,我已经演示了一种实现外部偏置的简单方法。需要注意的一点是 3.3V 电压轨的变化。如果 3.3V 电压轨具有较宽的容差,我建议放置一个齐纳二极管来钳位施加到 VDD 引脚的电压,以防输入电压轨出现过冲。



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