这样的IGBT就没不喜欢的

[导读]世界读书日WorldBookDay点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！自以为用这颗小小的心脏包裹住了波澜壮阔，给这片山川湖海围上了栅栏，不放出那匹脱缰野马，这样就不会有人从我假意的冷淡里，拎出些滚烫的秘密。by陈大力自以为用这颗小小的心脏包裹住了波澜壮阔，给这片山川湖海围上了栅栏...

自以为用这颗小小的心脏包裹住了波澜壮阔，给这片山川湖海围上了栅栏，不放出那匹脱缰野马，这样就不会有人从我假意的冷淡里，拎出些滚烫的秘密。by 陈大力自以为用这颗小小的心脏包裹住了波澜壮阔，给这片山川湖海围上了栅栏，不放出那匹脱缰野马，这样就不会有人从我假意的冷淡里，拎出些滚烫的秘密。by 陈大力

提及IGBT应该每一个电子工程师都不会陌生，IGBT是由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十至几百伏量级、电流几十至几百安量级的强电上的。而且IGBT支持软开关，配合一种控制器就能够很好的对电路进行开关。

东芝半导体在IGBT分立元器件上有着极大的提升，在保证高耐压环境中正常工作之外，进一步对器件结构进行优化改善，极大的降低了开关时产生的功率损耗和电磁干扰，为市场在IGBT领域上带来了利好革新。

形虽简但至强

接下来介绍的是GT30J110SRA，隶属于东芝半导体IGBT分立元器件族群，属于第6.5代更新分立元器件，继承了前几代优良的品性并且在此基础上有了极大的提升。例如它的Vce等级达到了1100V，适用于绝大多数家用电器的升压电路；它的功耗进一步的被降低，可以完美的节约能源成本；它的电磁辐射被有效的优化调节，能够很好的改善电磁干扰影响电路系统工作中正常运作。

为了证明上述讲得所言非虚，下面引用IGBT在电路中的测试数据来给大家做一个诠释。

图上半部分可以看到在进行开关切换的时候GT30J110SRA还是需要△T＝ton－tr的时间来对电平进行高低切换的，因此做PWM精度控制的时候就需要将loss的时间考虑进来，不然就会产生控制精度误差。图下半部分可以看出在对电源进行开关的时候GT30J110SRA切换电平产生的功耗损失，跟Vce、Ic成正比，满足对时间的积分关系，但是△T＝t2－t1足够小所以产生的损耗也是微乎其微的。而且芯片结构也被进行了优化提升，实现了较低的电磁辐射。并且在电磁辐射水平最强的30MHz左右时，辐射发射量仅为35.8dBμV/m，达到了十分优秀的水平！

好品质助家电

目前GT30J110SR在家电产品中的电压-谐振逆变器开关、软开关领域都有不俗的应用，诸如在电磁炉、微波炉产品中都能够大放异彩。未来，它将为家电产品提供更多更好的功能服务。

东芝半导体在IGBT研发设计方面积累了多年的宝贵经验，并持续致力于创新和提升芯片的功能属性和稳定特性，能够帮助用户在参考设计和应用部署上解决难题和困惑。