台积电最近几年风头正劲：18A 工艺将在 2025 年量产

现在针对中美问题芯片就显得十分尴尬,这也让我们认识到了芯片自主知识产权的重要性，面对西方国家的技术封锁，我们不断前行。现在国内发展较好的芯片公司包括中芯国际以及台积电，在芯片代工方面台积电已经做到了行业的龙头地位，所以世界上有很多的企业是在和台积电合作的，尤其是在7nm的技术上更是如此。

台积电现在已经基本垄断了，7纳米技术的芯片，如今已经能够和韩国的三星以及美国的英特尔公司进行较量，现在台积电在7nm技术已经遥遥领先，已经占据了70%的市场份额。现在三星已经在7纳米技术上逐渐退出了市场，面对台积电技术的打压，三星已经没有了退路，作为芯片方面的巨头，尤其是现将启动2纳米工艺，所以已经逐渐拉开了和三星之间的距离。

但是台积电一直都被国人所诟病，虽然是国企，但是内容是相对复杂的，因为台积电很多方面的技术都是国外进口的，现在迫于美国的压力，已经终止了和华为的合作。虽然华为的市场也是很强大的，但是为了多方面的考虑和外界的原因，他们还是选择了国外市场，现在他们推出了2nm的技术，这一点已经超越了很多的西方公司。

此前有消息称英特尔已经拿了台积电3nm一半产能，近日，则有消息称英特尔现在又要跟台积电合作开发2nm工艺。

英特尔不仅可能会将3nm制程工艺交给台积电代工，同时也开始跟台积电讨论合作开发2nm工艺。不过这一说法还没有得到英特尔或者台积电的证实，考虑到这是高度机密的信息，一时间也不会有官方确认的可能。

据悉，台积电3nm的量产时间预计2022年四季度启动，且首批产能被苹果和英特尔均分。至于未来的2nm工艺，台积电将在2nm节点推出Nanosheet/Nanowire的晶体管架构并采用新的材料，预计会在2025年量产。

近些年我国在芯片领域虽然发展的比较慢，但是还是取得了一些，让外界认可自己的成就，比如说我国芯片制造的领头羊，中芯国际，中芯国际是我国所有研究芯片生产技术的公司中，唯一一个能够实现14纳米芯片量产的公司。

在我国芯片研究领域还有一个比较知名的公司，那就是华虹半导体，但是华虹半导体要实现14纳米芯片的量产，那也需要一段时间，所以我国在芯片生产上还是要向其他先进的集团学习，比如说台积电。

据了解台积电的芯片制造工艺是目前最先进的，他们已经能够实现7纳米芯片的生产。台积电可以说是一个比较大的芯片代工厂，像我国的华为公司，他们研制出来的很多芯片在国内没有办法实现量产，所以他们都会交给台积电来生产。

目前采用了被称为Intel 7工艺的12代酷睿CPU正在大卖中，出色的性能与同级别竞品有了相当大的优势，只不过Intel 7工艺采用了英特尔的10nm工艺，得益于出色的架构设计才有了如此出色的性能。

目前AMD的CPU产品采用了台积电的7nm工艺，而英特尔才刚刚上的7nm，无论是首发时间还是工艺水平，英特尔都处于落后水平，而从14nm到14nm+++++长达五年的停滞时间来看，英特尔在更加先进工艺方面出现了很大问题。

虽然英特尔发布了10nm工艺的CPU，其实英特尔早在2019年就发布了第一代产品，我们大胆推测英特尔未来还会推出10nm++、10nm+++更多的产品，英特尔想要发布成熟的7nm产品还要不不短的时间，而对比台积电的未来规划，1nm已经在计划之中，英特尔已经落后太多。

其实英特尔已经多次在公开场合表示，不排除使用其他公司的先进工艺，早在几个月前就有消息传出，英特尔将会使用台积电3nm工艺，并且已经预定了一般的产能，如果这个消息属实，那么下一代酷睿以及英特尔高端显卡产品有很大概率使用3nm工艺。

近日英特尔与台积电又有绯闻传出，消息称台积电将会与台积电联合开发2nm工艺，当然这个消息还没有被官方确认，考虑到台积电3nm工艺将会在2022年底正式上线，而那个时候也是英特尔、AMD、英伟达发布全新产品的时间点，台积电3nm产品预计将会被苹果和英特尔瓜分。

在先进工艺上，台积电最近几年风头正劲，不过别忘了 Intel 依然是地球上制造工艺最先进的半导体公司之一，未来四年里他们要掌握五代 CPU 工艺，其中相当于 1.8nm 节点的 18A 工艺将在 2025 年量产。

去年 3 月份， Intel 新上任的 CEO 基辛格宣布了 IDM 2.0 战略，其中就包括大手笔投资新的晶圆厂， 并快速升级 CPU 工艺，分别是 Intel 7 、 Intel 4 、 Intel 3 及 Intel 20A 、 Intel 18A ， 其中前面三代工艺还是基于 FinFET 晶体管的，从 Intel 4 开始全面拥抱 EUV 光刻工艺。

20A 、 18A 工艺中的 A 代表埃米，是首个进入埃米时代的工艺，差不多等效于其他厂商的 2nm 及 1.8nm 工艺， 而且 20A 开始放弃 FinFET 晶体管，拥有两项革命性技术， RibbonFET 就是类似三星的 GAA 环绕栅极晶体管， PoerVia 则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。

0A 工艺在 2024 年量产， 2025 年则会量产改进型的 18A 工艺，这次会首发下一代 EUV 光刻机， NA 数值孔径会从现在的 0.33 提升到 0.55 以上。

更重要的是， Intel 的先进工艺未来不仅是自己用，还要对外提供代工服务，要跟台积电抢市场。 在今天的财报会议上， Intel CEO 基辛格提到了 18A 工艺已经有三个客户，而且是美国军方主导的 RAMP-C 防御计划中的，具体名单现在保密。

预计 Intel 在 2025 年量产 18A 工艺的时候，台积电也会进入 2nm 节点，这也是台积电工艺的一次重要升级，台积电将在 2nm 节点推出 Nanosheet/Nanowire 的晶体管架构并采用新的材料。