ST几款高压半桥驱动器介绍

ST的高压驱动器旨在优化矢量电机驱动系统，在高开关频率和智能关机时具有优异的性能，以保护最终应用。

STDRIVE MOSFET和IGBT栅极驱动器集成了一个比较器保护，一个运放电流传感和一个集成的引导二极管，从而减少了系统级别所需的外部组件的数量。

1.A6387是一种高压器件

A6387是一种高压器件，使用BCD™“离线”技术制造。它是一种用于n通道功率mosfet或igbt的单芯片半桥门驱动器。高侧(浮动)部分的设计，以站立电压轨高达550 V。逻辑输入是CMOS/TTL兼容，便于微控制器或DSP接口。

特性

高压导轨可达550v

在全温度范围内，dV/dt免疫力±50 V/nsec

驱动电流的能力

400毫安源

650毫安水槽

切换时间50/30 nsec上升/下降与1 nF负载

带有迟滞和下拉的施密特触发器输入

内部自举二极管

输出与输入同步

联锁功能

AECQ100汽车合格

2.L6384E是一种高压栅极驱动器

L6384E是一种高压栅极驱动器，采用BCD™“离线”技术制造，能够驱动功率MOSFET或IGBT器件的半桥。高侧(浮动)部分能够工作与电压轨道高达600伏。这两个设备输出可以分别接收和源650 mA和400 mA，由于单输入配置，不能同时驱动高。进一步防止输出交叉导通由死区功能保证，用户可通过连接到DT/SD引脚的外部电阻进行调节。L6384E器件有一个输入引脚、一个使能引脚(DT/SD)和两个输出引脚，保证了低边和高边之间的匹配延迟，从而简化了器件的高频工作。逻辑输入是CMOS/TTL兼容，以方便与控制设备的接口。引导二极管集成在设备内部，允许更紧凑和可靠的解决方案。

L6384E具有UVLO保护和vcc供电电压上的电压钳位。电压钳通常在15.6 V左右，在VCCsupply电压升高过慢或电压下降的情况下，可以确保设备正常工作。

该设备可在DIP-8管和SO-8管和磁带和卷轴包装选项。

特性

高压钢轨可达600伏

在全温度范围内，dV/dt免疫力±50 V/nsec

驱动电流的能力

400毫安源

650毫安水槽

切换时间50/30 nsec上升/下降与1 nF负载

CMOS/TTL施密特触发器输入滞后和下拉

关闭输入

空载时间设置

欠压锁定

综合自举二极管

夹紧在VCC

可提供DIP-8/SO-8包装

3.L6386AD是一种高压栅极驱动器

L6386AD是一种高压栅极驱动器，使用BCD™“离线”技术制造，能够同时驱动一个高侧和一个低侧功率MOSFET或IGBT器件。高侧(浮动)部分能够工作与电压轨道高达600伏。这两个器件输出可以分别独立地接收和源650 mA和400 mA，并可以同时驱动高电平，以驱动非对称半桥配置。L6386AD器件提供两个输入引脚、两个输出引脚和一个使能引脚(SD)，并保证输出与输入的相位切换。逻辑输入是CMOS/TTL兼容，以方便与控制设备的接口。

L6386AD集成了一个比较器(内部反向输入引用到0.5 V)，可以用来保护设备防止故障事件，如过流。DIAG输出是一个诊断引脚，由比较器驱动，用来向控制设备发出故障事件的信号。

引导二极管集成在驱动器中，从而实现更紧凑和可靠的解决方案。

L6386AD器件在供电电压(VCC和VBOOT)上都具有UVLO保护，确保对供电线路上的电压下降提供更大的保护。

该设备可采用SO-14包装，管，磁带和卷轴包装。

特性

高压钢轨可达600伏

在全温度范围内，dV/dt免疫力±50 V/nsec

驱动电流的能力

400毫安源

650毫安水槽

切换时间50/30 nsec上升/下降与1 nF负载

CMOS/TTL施密特触发器输入滞后和下拉

上、下驱动段欠压锁定

综合自举二极管

输出与输入同步

4.L6391是采用BCD™“OFF-LINE”技术制造的高压器件

L6391是采用BCD™“OFF-LINE”技术制造的高压器件。它是一种用于n通道功率MOSFET或IGBT的单片半桥门驱动器。高侧(浮动)部分的设计，以站立电压轨高达600伏。逻辑输入是CMOS/TTL兼容到3.3 V，便于微控制器/DSP接口。

集成比较器可用于保护过流，过温等。

特性

高压钢轨可达600伏

在全温度范围内，dV/dt免疫力±50 V/nsec

司机目前能力:

290毫安源

430毫安水槽

在1 nF负载下，切换时间75/35 nsec上升/下降

3.3 V, 5v TTL/CMOS滞后输入

综合自举二极管

故障保护比较器

智能关机功能

可调停歇时间

联锁功能

布局紧凑简化

材料减量清单

有效的故障保护

灵活、简单、快捷的设计