出色的主驱逆变器需要怎样的功率模块？

主逆变器是电动汽车的心脏，它决定了驾驶行为和车辆的能源效率，是电动汽车中的一个关键元器件。为了推动新能源汽车的主逆变器继续向更大功率、更高能效、更高电压、更轻重量、更小尺寸方向发展，安森美(onsemi)推出了 VE-Trac系列的功率集成模块(PIM)，提供可扩展性、增强的热性能、以及行业最低电感的封装结构，能实现最高能效、最先进的功率密度和敏捷的响应速度。目前，VE-Trac系列包括VE-Trac SiC、VE-Trac Direct和VE-Trac Dual。

电动汽车主逆变器框图

用于900 V-1200 V主驱逆变器的VE-Trac SiC模块

向SiC转型是汽车主逆变器主流趋势。安森美VE-Trac SiC系列产品，包括VE-Trac B2 SiC模块和VE-Trac Direct SiC模块。采用领先的封装技术，通过专有的压接设计，实现了可靠的 PCB互连，提供同类最佳的电气和热性能及功率级可扩展性。

VE-Trac B2 SiC模块在一个半桥架构中集成了安森美的所有SiC MOSFET技术。裸片连接采用烧结技术，提高了能效、功率密度和可靠性。该模块符合AQG 324汽车功率模块标准。B2 SiC模块结合烧结技术用于裸片连接和铜夹，压铸模工艺用于实现强固的封装。其SiC芯片组采用安森美的M1 SiC技术，从而提供高电流密度、强大的短路保护、高阻断电压和高工作温度，在EV主驱应用中带来领先同类的性能。

用于750 V-1200 V主驱逆变器的VE-Trac IGBT模块

包括VE-Trac Dual和VE-Trac Direct。利用新的窄台面 IGBT技术，采用6-pack架构，提供高电流密度和稳定可靠的短路保护以及更高的阻断电压，提供出色的性能。

用于650 V-1200 V主驱逆变器的VE-Trac MOSFET模块

这些SiC MOSFET设计为快速且坚固耐用。它们提供比Si MOSFET高10倍的介电击穿场强、高2倍的电子饱和速度、高3倍的带隙和高3倍的热导率。所有安森美SiC MOSFET均符合车规AEC-Q101 认证和支持PPAP。

说明VE-Trac Direct产品特性和功能的技术细节，提供参考电路和应用注释，以确保产品以最佳方式用于其预期的最终用途。