传Intel正式购得美国俄州新晶圆厂所需土地,约200亿美元

在Intel去年推出的IDM 2.0战略中，在美国本土投资200亿美元建设2座先进工艺晶圆厂是非常关键的一环，前几天传出了跳票的消息，因为美国官方的520亿美元芯片补贴法案还没通过，不过现在消息称Intel已经得到了补贴，新工厂已经开工了。

据digitimes报道，日前传出Intel出正式购得美国俄亥俄州新晶圆厂所需的土地，这项投资金额高达200亿美元。

虽然工厂开工了，但是Intel的晶圆厂还有很多问题，美国政府补助将决定建厂规模，此前Intel表示由于政府520亿美元规模的芯片法案陷入停滞，他们不得不推迟或者削减在俄亥俄州的投资规模，甚至威胁去欧洲建厂。

根据Intel之前的信息，新建的两座晶圆厂分别会命名为Fab 52、Fab 62，并首次透露这些工厂将会在2024年量产20A工艺，这是Intel面向未来的CPU工艺，首次进入后纳米时代，首发埃米级工艺，其中的A就代表埃米。

虽然工艺细节还没公布，不过20A相当于友商的2nm工艺，还会有2大黑科技——Ribbon FET及PowerVia。

根据Intel所说，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。