全球代工巨头：3nm工艺今年下半年量产，2nm会在2025年量产

今天的Q2财报会议上，台积电除了公布当季运营数据之外，还谈到了工艺进展，确认3nm工艺今年下半年量产，2nm则会在2025年量产。目前HPC高性能计算占了台积电营收的重要部分，对先进工艺要求也是很高的，台积电的3nm工艺今年下半年量产，明年上半年贡献营收，不过初期会拉低一些毛利率，大约2-3个点。

台积电的3nm工艺共有5个衍生版本，包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E等等，会陆续在未来两三年内量产。

再往后就是2nm节点了，这是台积电的有一个重大节点，会采用纳米片晶体管(Nanosheet)，取代FinFET(鳍式场效应晶体管)，也就是进入GAA晶体管时代，不过三星在3nm节点就已经采用这个技术了。

N2相较于N3，在相同功耗下，速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%，开启高效能新纪元。

不过密度方面挤牙膏了，相比3nm仅提升了10%，远远达不到摩尔定律密度翻倍的要求，比之前台积电新工艺至少70%的密度提升也差远了。

根据台积电的信息，2nm工艺将在2024年试产，2025年量产。

7 月 14 日消息，在今日举行的财报电话会上，台积电发布了 2 季度财报。财报显示第 2 季合并营收约达新台币 5,341.4 亿元(约人民币 120.5 亿元)，税后净利润约 2,370.3 亿元(约人民币 53.47 亿元)。

台积电表示，公司 2022 年销售额(以美元计算)预计增长 30% 左右，并且今年产能不会受设备供应延迟的影响。不过，目前客户需求仍超过公司供应能力，今年产能持续吃紧。对于芯片需求前景，台积电称 2023 年将出现一个典型的芯片需求下滑周期，但整体下滑程度将好于 2008 年。同时，公司预计客户将开始减少库存，但目前高端智能手机库存不太多。因此对于台积电而言，2023 年依然是“增长之年”。

此外，公司 2023 年的增长将由先进技术支撑，高性能计算(HPC)将成为长期增长的主要引擎。公司目前预计 2023 年产能利用率将保持良好。在下一代芯片投产时间点方面，台积电重申公司 3nm(N3)芯片将于今年下半年投产，明年上半年贡献营收。值得一提的是，台积电的 3nm 工艺有众多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，会陆续在未来两三年内量产。

对于 2nm 芯片(N2)，台积电重申其将于 2025 年实现量产。2nm 芯片是台积电的一个重大节点，该工艺将会采用纳米片晶体管(Nanosheet)，取代鳍式场效应晶体管(FinFET)，这意味着台积电工艺正式进入 GAA 晶体管时代。其中，2nm 芯片相较于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。了解到，台积电第二季度 5nm 制程晶圆出货量占据公司营收的 21%(前季 20%)，7nm 制程晶圆出货量占据公司营收的 30%(前季 30%)，本季度 5nm 制程工艺营收继续提升，但还未超过 7nm 制程工艺带来的营收。此外，台积电先进制程 (7nm 及更先进制程) 营收总占比达到 51%，较前季的 50% 继续扩大。

三星已经宣布成功量产3nm制程工艺，成为行业内首个量产3nm制程的厂商，而且相比较5nm制程工艺，3nm制程工艺看起来更像是更新换代的产品，性能平均提升20%，而功耗也将降低35%。

三星已经宣布成功量产3nm制程工艺，成为行业内首个量产3nm制程的厂商，而且相比较5nm制程工艺，3nm制程工艺看起来更像是更新换代的产品，性能平均提升20%，而功耗也将降低35%。预计明年大家就可以看到三星全新的3nm制程工艺的产品了，当然作为半导体代工行业数一数二的企业，三星在制程更新上也不会停下脚步，据悉在3nm制程之后，三星就将迎来2nm制程工艺，预计在2025年正式量产。

在Intel去年推出的IDM 2.0战略中，在美国本土投资200亿美元建设2座先进工艺晶圆厂是非常关键的一环，前几天传出了跳票的消息，因为美国官方的520亿美元芯片补贴法案还没通过，不过现在消息称Intel已经得到了补贴，新工厂已经开工了。

据digitimes报道， 日前传出Intel出正式购得美国俄亥俄州新晶圆厂所需的土地， 这项投资金额高达200亿美元。

虽然工厂开工了，但是Intel的晶圆厂还有很多问题，美国政府补助将决定建厂规模，此前Intel表示由于政府520亿美元规模的芯片法案陷入停滞，他们不得不推迟或者削减在俄亥俄州的投资规模，甚至威胁去欧洲建厂。

根据Intel之前的信息，新建的两座晶圆厂分别会命名为Fab 52、Fab 62， 并首次透露这些工厂将会在2024年量产20A工艺，这是Intel面向未来的CPU工艺，首次进入后纳米时代，首发埃米级工艺，其中的A就代表埃米。

台积电表示，公司 2022 年销售额(以美元计算)预计增长 30% 左右，并且今年产能不会受设备供应延迟的影响。不过，目前客户需求仍超过公司供应能力，今年产能持续吃紧。

对于芯片需求前景，台积电称 2023 年将出现一个典型的芯片需求下滑周期，但整体下滑程度将好于 2008 年。同时，公司预计客户将开始减少库存，但目前高端智能手机库存不太多。因此对于台积电而言，2023 年依然是“增长之年”。

此外，公司 2023 年的增长将由先进技术支撑，高性能计算(HPC)将成为长期增长的主要引擎。公司目前预计 2023 年产能利用率将保持良好。

在下一代芯片投产时间点方面，台积电重申公司 3nm(N3)芯片将于今年下半年投产，明年上半年贡献营收。值得一提的是，台积电的 3nm 工艺有众多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，会陆续在未来两三年内量产。

对于 2nm 芯片(N2)，台积电重申其将于 2025 年实现量产。2nm 芯片是台积电的一个重大节点，该工艺将会采用纳米片晶体管(Nanosheet)，取代鳍式场效应晶体管(FinFET)，这意味着台积电工艺正式进入 GAA 晶体管时代。其中，2nm 芯片相较于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。

IT之家了解到，台积电第二季度 5nm 制程晶圆出货量占据公司营收的 21%(前季 20%)，7nm 制程晶圆出货量占据公司营收的 30%(前季 30%)，本季度 5nm 制程工艺营收继续提升，但还未超过 7nm 制程工艺带来的营收。此外，台积电先进制程 (7nm 及更先进制程) 营收总占比达到 51%，较前季的 50% 继续扩大。