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[导读]安森美的EliteSiC系列碳化硅(SiC)技术提升Ampt的直流优化器性能

2023年1月6日 — 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),和世界头号大型光伏(PV)太阳能和储能系统直流优化器公司Ampt LLC宣布携手合作,以满足市场对直流组串优化器的高需求。Ampt在其直流组串优化器中使用了安森美的EliteSiC系列碳化硅(SiC)技术之N沟道SiC MOSFET,用于关键的功率开关应用。

Ampt组串优化器用于大规模光伏电站,使成本更低、性能更高的太阳能和直流耦合储能系统被共同部署在太阳能电站内。组串优化器以高的固定电压输送来自光伏阵列的电力,系统电压范围在600 VDC至1500 VDC,降低了电站的整体电流要求和成本。Ampt优化器利用安森美最新的具有极低导通电阻和开关损耗的SiC MOSEFT技术,实现了储能系统和太阳能电站更高的双向充放电效率。

Ampt首席执行官Levent Gun说:“将安森美的EliteSiC技术纳入我们的直流优化器,有助于大型光伏电站开发商提高项目的经济效益。显然,产品性能是我们的一个关键决策点,而安森美提供在设计阶段的技术支持及持续供货保证,支持Ampt的快速扩展,证明安森美是个强大的合作伙伴。”

EliteSiC器件的RDS(on)典型值为80 mΩ,栅极电荷(Qg)值为56 nC,Rg较低,为1.7Ohms。它能够在175°C的结温下工作,降低了应用中的热管理要求,从而实现尺寸更小、成本更低的方案。

安森美执行副总裁兼电源方案部总经理Simon Keeton说:“我们的EliteSiC技术把高性能和高可靠性相结合,能够实现高效、可靠的直流优化器,这也是Ampt这样的行业领导者所期望的。我们期待持续合作开发新产品,推进可再生能源应用向前发展,打造一个可持续的生态系统。”

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