ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。

在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。

目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC控制器的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN™系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

未来，ROHM将继续以其擅长的模拟技术为中心，追求应用的易用性，积极开发解决社会课题的产品。

日本大阪大学 研究生院工学研究科 森 勇介 教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能的功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下，ROHM建立了高可靠性GaN器件的量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的控制IC开发。这对于促进GaN器件的普及而言，可以说是非常重要的一大步。要想真正发挥出功率半导体的性能，就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面，日本有包括ROHM在内的很多极具影响力的企业。从我们正在研究的GaN-on-GaN晶圆技术到ROHM正在研究的元器件、控制IC和模块，需要整个国家通力合作，为实现无碳社会贡献力量。”

＜背景＞

在追求电源电路小型化时，需要通过高频开关来减小外围元器件的尺寸，而这就需要能够充分激发出GaN等高速开关器件驱动性能的控制IC。这次，为了实现包含外围元器件的解决方案，ROHM确立了非常适合GaN器件的超高速驱动控制IC技术，该技术中还融入了ROHM引以为豪的模拟电源技术之一“Nano Pulse Control™”技术 。

＜控制IC技术详情＞

该技术采用了在ROHM的垂直统合型生产体制下融合了电路设计、工艺和布局三大模拟技术而实现的“Nano Pulse Control™”技术。通过采用自有的电路结构，将控制IC的最小控制脉宽由以往的9ns大幅提升至2ns，这使得以48V和24V应用为主的应用，仅需1枚电源IC即可完成从高电压到低电压的降压转换工作（从最高60V到0.6V）。该技术非常适合与GaN器件相结合，实现高频开关，从而助力外围元器件小型化，对采用了该技术的DC-DC控制器IC（开发中）和采用了EcoGaN™技术的电源电路进行比较时，后者的安装面积比采用普通产品时可减少86%。