采用台积电 3nm 制程工艺，Marvell 发布数据中心芯片

据 21ic 获悉，近日通信和存储芯片大厂 Marvell 发布了数据中心芯片，该芯片采用台积电 3nm 制程工艺制作了高速率、高带宽的芯片间接口模块。在该节点中的业界首创硅构建模块包括 112G XSR SerDes(Serializer / Deserializer)、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 / CXL 3.0 SerDes 以及 240 Tbps Parallel Interconnect，用于管理数据基础设施中的数据流。

根据官方描述，SerDes 和并行互连在芯片中充当高速通道，用于在chiplet内部的芯片或硅组件之间交换数据，与 2.5D 和 3D 封装技术兼容，如台积电领先的2.5D CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)解决方案，并将使 Marvell 能够为其基础设施产品开发一些最先进的 multi-die、多芯片封装系统(SiP)。这些技术将消除系统级瓶颈，以推进最复杂的半导体设计。

此外，SerDes 还有助于减少引脚、走线和电路板空间，从而降低成本。超大规模数据中心的机架可能包含数以万计的 SerDes 链路。Marvell 提供的数据表示新的并行芯片到芯片互连可实现高达 240 Tbps 的聚合数据传输，比多芯片封装应用的可用替代方案快 45%，也就是说，互连传输速率相当于每秒下载 10000 部高清电影，尽管距离只有几毫米或更短。

Marvell 将其 SerDes 和互连技术整合到其旗舰硅解决方案中，包括 Teralynx 开关、PAM4和相干 DSP、Alaska 以太网物理层 (PHY)设备，OCTEON 处理器、Bravera 存储控制器、Brightlane 汽车以太网芯片组和定制 ASIC，为一些像机器学习这样具有挑战性的基础设施用例优化定制 ASIC 解决方案。 而转向 3nm 工艺使工程师能够降低芯片和计算系统的成本和功耗，同时保持信号完整性和性能。

如下图，其中左图的蓝线表示为 PCIe Gen 6 / CXL 3.0 优化 3nm SerDes 的高性能信号，而右图的橙线表示为 112G XSR 优化的低延迟 3nm SerDes 信号。芯片间的并行连接速度可以达到 240 Tbps，比多芯片应用的可用替代方案快 45%。虽然传输距离只有几毫米甚至更短，但每秒可下载 1 万部高清电影。

Marvell 中文翻译为美满电子科技公司(Marvell Technology Group)，是一家总部位于硅谷的美国芯片制造商，专门制造存储、通讯以及消费性电子产品芯片。由周秀文(Sehat Sutardja)博士、妻戴伟立(Weili Dai)、弟周秀武三人共同创立于1995年。

Marvell 在中国上海设有研发中心，是全球顶尖的无晶圆厂半导体公司之一，也是全球发展最快的半导体公司之一。公司在全球的员工数量近 6000 名，国际研发中心遍布美国、欧洲、以色列、新加坡和中国，并在存储、通信、智能手机和消费电子半导体解决方案等领域占有领先地位。