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[导读]近年来,我国积极推进网络强国和数字中国建设,5G和千兆光网等新型信息基础设施建设覆盖和应用普及全面加速。随着5G技术的普及和应用,射频前端市场的需求量不断增长,行业战略地位也逐步提升,在过去的2022年,中国射频前端芯片市场规模达到914.4亿元,国内射频前端器件供应商左蓝微电子日前正式发布PESAW B28F双工器,为中高端客户提供更加灵活的产品选择。

近年来,我国积极推进网络强国和数字中国建设,5G和千兆光网等新型信息基础设施建设覆盖和应用普及全面加速。随着5G技术的普及和应用,射频前端市场的需求量不断增长,行业战略地位也逐步提升,在过去的2022年,中国射频前端芯片市场规模达到914.4亿元,国内射频前端器件供应商左蓝微电子日前正式发布PESAW B28F双工器,为中高端客户提供更加灵活的产品选择。

高性能滤波器满足市场对高端应用的需求

2022年左蓝微电子开始布局PESAW、PEBAW等高性能滤波器,通过设计技术上的差异化降低尺寸、提升性能。其中PESAW 能够满足高Q值(>2000)、低插入损耗(<1.5dB)、高隔离度(>58dB)及大功率(功率容量较常规提高2dBm)等对性能要求较高的应用场景,因此也荣获“2022年度最佳射频芯片”奖。

此次左蓝微电子发布的PESAW B28F双工器封装尺寸为1.8mm x 1.4mm,TX频段为703~748MHz, RX频段为758~803MHz,具有大带宽、高陡峭度、高隔离等难点,左蓝微电子采用PESAW 技术路线,通过自主设计创新,不断打磨,相继攻克难点。

B28F双工器拥有高Q值、低损耗、温漂小、高耐功率等特性,其输入功率达到31dBm@5000h, 50℃,在关键指标处的温漂系数更是接近于0 ppm/k,TX带内插损-1.6dB,RX -2.0dB,隔离-55dB以上,B28F双工器带内插损、带外抑制和隔离度均表现优异,综合性能指标国内领先,并比肩国际一流产品。

图:产品插损性能曲线图

图:隔离性能曲线图

B28F双工器的发布是左蓝微电子高端产品研发实力的体现,当前国内布局高端滤波器的公司较少,本土射频前端行业深陷低端化内卷的竞争,左蓝微电子始终致力于中高端滤波器的自主研发,通过长期对研发的大力投入,实现在高端滤波器产品上的突破,不断推出具有高可靠性、高集成度、高性能的新产品,以满足市场对高端应用的需求。

坚持技术创新 实现国产替代

5G技术的快速渗透普及以及国内广阔的应用领域拓展,促使国内通信产业在全球市场上不断发展并稳步提升,让国内厂商看到了国产替代的机会。而5G技术引入新的频段应用对射频前端器件的复杂度和性能提出了更高的要求。

中国是手机需求量较大的市场,据6月26日中国信通院公布的数据显示:5月国内市场手机出货量2603.7万部,同比增长25.2%,其中,5G手机2016.9万部,同比增长13.7%,占同期手机出货量的77.5%,而每部5G手机中滤波器数量至少有80只以上。展望未来,随着宏观经济逐步回暖,5G手机的出货量将有望回升,下游智能终端产品将驱动射频前端芯片市场正向发展。

图:国内手机市场出货量及5G手机占比(来源:中国信通院)

受益于国家政策、国产替代红利及资本支持,左蓝微电子一直积极投入研发创新与资源布局,目前已拥有完整的声学设计,电磁封装设计工具链和正向研发设计能力,自主研发的模块化设计平台和设计数据库,使得研发团队能够快速进行器件的迭代和新产品的正向开发,同时针对自主设计平台和产品开发项目流程进行打磨和优化,不断提高产品性能和开发效率。

此外,左蓝研发团队秉承创新突破、高品质、小型化和集成化产品开发理念,持续深耕自研技术,不断丰富核心技术专利群,筑起专利“护城河”,截至2023年6月已申请100多项国内外专利,这些专利是公司产品竞争优势的有力保障,同时也为公司保持产品创新奠定了技术基础。

依托当前国产替代加速推进的市场机遇,左蓝微电子围绕市场需求和热点,攻克技术难题,推出了可以适应高频通信、热稳定性好、小型化、集成化的射频滤波器、双工器/多工器和射频前端模组产品,全面提升国产射频厂商的核心能力。在今年3月的MEMS制造大会上,左蓝微电子展示了自主研发的B5超薄超小双工器及B66/B7/B12等系列双工器产品,目前也正在持续量产出货中,且已进入多家智能终端客户的供应链体系,受到市场广泛认可。

在产业链整合上,左蓝微电子与业界知名晶圆代工厂绑定产能,与头部封测厂共建封测产线,保障产品能够稳定供应,形成良性的生产、市场关系;左蓝微电子还与国内外主流晶圆材料商建立紧密合作关系和采购渠道,联动设计与工艺的优化迭代。目前左蓝微电子自有的后道封测产线正在马不停蹄地完成批量交付任务,滤波器和双工器良率不断提高,达到业内领先水平。

未来,左蓝微电子将一如既往地紧跟国际一流企业技术创新步伐,积极投入研发与创新,专注于提高核心竞争力,持续进行技术研发、产品布局、应用领域等方面的创新和开拓,推动射频器件的全面国产化。

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